【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】安定して強い酸化力で基板の表面を酸化しシリル化することができる半導体基板の表面処理方法および基盤処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理方法は、硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成する工程と、酸化性溶液を用いて半導体基板の表面に酸化膜を生成する工程とを備える。酸化性溶液を用いて半導体基板の表面を酸化しＯＨ基を生成し、半導体表面にシリル化剤を供給し、ＯＨ基とシリル化剤に含まれる有機物の加水分解により得られるＯＨ基との結合及び脱水縮合反応により半導体基板の表面を疎水化する。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性を確保しつつ、優れた特性と信頼性の高いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板９上にソース領域１７、チャンネル領域１８、ドレイン領域１９を有する活性層１１と、ゲート電極層１６と、活性層１１とゲート電極層１６との間に形成されるゲート絶縁層１５とを有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層１５を、活性層１１側に形成される第１の酸化珪素膜１２と、ゲート電極層１６側に形成される第２の酸化珪素膜１４と、第１の酸化珪素膜１２と第２酸化珪素膜１４の間に形成される窒化珪素膜１３とで形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明はゲート構造物として高誘電率を有する物質として、高誘電率を有する物質からなるゲート絶縁膜を含む半導体装置及びその製造方法に関する。
【解決手段】半導体装置及びその製造方法において、基板上に形成され、ハフニウムシリコン酸化物含有固体物質を含むゲート絶縁膜パターンと前記ゲート絶縁膜パターン上に形成される第１ゲート導電膜パターンを含むゲート構造物及び前記ゲート構造物と隣接する基板の表面部位に配置されており、ｎ型不純物がドーピングされたソース／ドレイン領域を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】複数枚のシリコン基板を炉内で熱処理し、該基板表面にシリコン酸化膜を形成する方法であって、上記基板をこれら基板間に空隙を設けずに密着させ、上記炉の長さ方向に直立状態で重ね合わせて又は上記炉の高さ方向に積層して熱処理することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
【効果】本発明のシリコン酸化膜の形成方法を用いることで、熱酸化炉への充填枚数は飛躍的に増加するため、生産性が著しく向上する。本発明によれば、テクスチャ構造が必須となる結晶系の太陽電池の製造に極めて有効であり、また、太陽電池性能の低下も生じないため、効率のよい太陽電池の製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有膜の露出面に形成する酸化膜中や、既に基板上に成膜済みの誘電膜中等に水素が混入することを抑制させ、半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】 水素ガスより分子サイズの大きい還元性ガスを処理室内に供給し、処理室内に供給された還元性ガスをプラズマ放電して生成した還元性ガスプラズマを基板の表面に供給する還元工程と、酸化性ガスを処理室内に供給し、処理室内に供給された酸化性ガスをプラズマ放電して生成した酸化性ガスプラズマを基板の表面に供給する酸化工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る誘電体膜の製造方法は、基板上に、ＡｌとＳｉとＯを主成分とする金属酸化物である誘電体膜を形成する誘電体膜の製造方法であって、Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））≦０．１であり、非晶質構造を有する金属酸化物を形成する工程と、該非晶質構造を有する金属酸化物に１０００℃以上のアニール処理を施し、結晶相を含む金属酸化物を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を実現する。
【解決手段】ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。その結果、この膜の内部応力は、代表的には−５ラ１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜５ラ１０
¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 、好ましくは−１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² 〜１０¹⁰ｄｙｎ／ｃｍ² となり、高い熱伝導性を有するため、ＴＦＴのオン動作時に発生する熱による劣化を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに導電型の異なるシリコン半導体２，３相互の接合部を少なくとも１つ有する半導体装置であって、上記シリコン半導体接合部の接合界面端部を含む表面を、Ｎを含有するＳｉＯ₂膜８で接合界面端部を覆うことにより、接合界面端部の大気との接触を避けることができ、この部分での不純物吸着を抑え、経年によるリーク電流の発生を抑えることができる。ＳｉＯ₂膜８にＮを含有させることで、ＮがＳｉＯ₂膜に含有されると同膜に正の固定電荷が発生し、これにより電場が形成され、接合界面端部を含む表面でのキャリアの再結合を抑え、リーク電流の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン表面とシリコン化合物層とが露出した被処理体に対して、選択的にシリコンを高い窒化レートと高い窒素ドーズ量でプラズマ窒化処理する方法を提供する。
【解決手段】 選択的プラズマ窒化処理は、処理圧力を６６．７Ｐａ以上６６７Ｐａ以下の範囲内に設定し、載置台２の電極４２に高周波電源４４から被処理体の面積当り０．１Ｗ／ｃｍ^２以上１．２Ｗ／ｃｍ^２以下の高周波電力を供給して行う。この高周波電力によってウエハＷへバイアス電圧が印加され、高いＳｉ／ＳｉＯ_２選択比が得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜とＣＶＤ膜との密着性を高めて界面特性の優れた膜の作製を実現する。
【解決手段】処理チャンバ２０５内において、処理基板に対してオゾン含有ガスのみを供給して処理基板上に酸化膜を形成する酸化工程と、この酸化工程を経た処理基板に対してＣＶＤ原料ガスとオゾン含有ガスとを供給して当該処理基板上に前記原料ガスの成分の酸化物からなる酸化膜を形成させるＣＶＤ工程とが実行される。前記ＣＶＤ工程の初期段階の製膜速度は前記酸化工程の製膜速度よりも小さく制御される。また、前記ＣＶＤ工程を経た処理基板をオゾン含有ガスの雰囲気または紫外光領域の波長を有する光が照射されたオゾン含有ガスの雰囲気に曝すアニール工程と、このアニール工程を経た処理基板を前記ＣＶＤ工程に供する工程とを有するとよい。前記アニール工程を経た処理基板を前記ＣＶＤ工程に供する工程を複数繰り返すとなおよい。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面に厚さがサブナノから数ナノメートル（ｎｍ）レベルの極薄の絶縁膜を形成し、これを利用して、低電圧動作ＭＯＳデバイスを実現する。
【解決手段】ガラス基板上の多結晶シリコン（薄膜）に対して、その上に室温硝酸酸化法により１．８ｎｍのＳｉＯ_２膜１を形成し、さらに、その上にプラズマＣＶＤ法により４０ｎｍのＳｉＯ_２膜２を堆積して積層にし、これをゲート絶縁膜１０として、ｐ−チャンネルＭＯＳトランジスタ（ＴＦＴ）を創製した。このＴＦＴは、駆動電圧を３Ｖに低減しても十分に動作可能であり、消費電力を顕著に低減することできる。 （もっと読む）

【課題】浮遊ゲート電極を有するメモリセルの高集積化を実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層１１の表面にトンネル絶縁膜１２を介してシリコンを含む第１の導電体層を形成する工程と、第１の導電体層の表面から半導体層１１に至る分離溝９を形成し、第１の導電体層が所定幅で分離された、浮遊ゲート電極となる複数の導電板１３ｂを形成する工程と、導電板１３ｂ側面の中間部まで、分離溝９を素子間絶縁膜１５で埋め込む工程と、複数の導電板１３ｂの間隔を所定幅と同等以上の幅に維持しながら、導電板１３ｂの露出面にシリコン窒化膜１６ａを形成する工程と、制御ゲート電極１９ａとなる第２の導電体層を形成して分離溝９の上部を埋め込む工程と、を備え、シリコン窒化膜１６ａは、窒素元素を含む原料ガスを励起させて生成する窒素ラジカルによって、導電板１３ｂに含まれるシリコンを窒化して形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の形成にともなう基板へのダメージに起因した性能劣化を抑制することができる半導体装置の製造方法および酸化処理装置を提供する。
【解決手段】一の面を有する基板６ａが準備される。一の面の上において酸化処理が行なわれる。酸化処理が行なわれる際、導入されたＯ３ガスの低温熱分解によってＯ（³Ｐ）ラジカルが発生させられ、該Ｏ（³Ｐ）ラジカルに光源４ａが発する赤橙色光を照射し励起することによってＯ（¹Ｄ）ラジカルが発生させられる。このＯ（¹Ｄ）ラジカルによって基板６ａの一の面の上に低温でダメージなく酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴ、ＰＺＴ及びＰＴからなる群より選ばれた１種の強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル部分へのC原子の偏積と酸化膜内へのC原子の蓄積を独立に制御かつ低減する。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化して、薄い熱酸化膜を成長させ、所望の二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜厚＝前記熱酸化膜の膜厚＋堆積したシリコン膜厚の100/44倍、の関係になるようにして求めた膜厚のシリコンを、熱酸化膜の上に堆積する。この堆積したシリコンを熱酸化することにより、所望の膜厚の二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜を得る。この二酸化ケイ素SiO₂絶縁膜の上に、ゲート電極をデポジションしてパターニングし、かつ、ソースドレイン形成をする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを用い、プラズマを発生させて、厚さ３〜１０ｎｍ、好ましくは３〜５ｎｍの第１の半導体層を形成する。次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第１の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第２の半導体層を形成する。次に、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を形成し、導電層を形成して、薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板及び半導体膜の形成された基板における基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面に形成されたシリコン膜の膜質を改善するための基板処理方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることによりＨ_２Ｏガスを生成し、Ｈ_２Ｏガスをシリコン膜に対し噴出させることにより、シリコン膜の膜質を改善することを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリといった半導体装置の特性変動を抑えられるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、前記シリコン窒化膜が形成された前記基板に対して酸化処理を施す酸化工程と、を含み、前記酸化工程では、前記シリコン窒化膜が形成された前記基板を収容したチャンバ内の圧力を大気圧よりも低くした状態で前記チャンバ内に酸素含有ガス及び水素含有ガスを供給し、前記シリコン窒化膜の表面からその反対側の前記基板との界面にかけて前記シリコン窒化膜の全体を酸化して前記シリコン窒化膜の全体をシリコン酸化膜に変換する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物層の表面のアモルファス層を低減し、金属酸化物層の誘電率を向上させること。
【解決手段】金属酸化物の前駆体層を分解して金属酸化物層を形成する工程と、金属酸化物層にレーザを照射して前記金属酸化物層を結晶化する工程と、結晶化された金属酸化物層に対して、１０〜３００Ｈｚの間隔で、最初のパルスの照射フルエンスを６０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２とし、最後のパルスの照射フルエンスを１０ｍＪ／ｃｍ^２以下とし、照射フルエンスの減少速度Ｖが−１５０≦Ｖ［ｍＪ／（ｃｍ^２ｍｉｎ）］＜０となるように、各パルスの照射フルエンスを減少させながらパルスレーザを照射する除冷工程と、を備える金属酸化物層の製造方法。 （もっと読む）