【課題】複数の圧電体薄膜を積層して形成される圧電体素子における膜の密着性を高めて剥離を防止し、耐久性、信頼性を高めるとともに変位効率（駆動効率）を向上させる圧電体素子を提供する。
【解決手段】基板30上に、第１の電極32が形成され、その上に第１の圧電体膜34が形成される。さらに第１の圧電体膜34の上に拡散ブロック層として機能する金属酸化物膜36が積層され、その上に金属膜38が積層して形成される。金属膜38の上に第２の圧電体膜76が形成され、その上に第２の電極46が積層して形成される。第１の圧電体膜34の分極方向と第２の圧電体膜44の分極方向は互いに異なる。第１の電極32と第２の電極46を接地電位とし、金属膜38を含む中間電極40をドライブ電極とすることができる。各層の圧電体膜を互いに異なる組成で構成することができる。中間層40の厚みと応力値の積は１００Ｎ／ｍ^２未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱処理方法としてレーザーを使用して薄膜を製造する薄膜製造装置であって、最適なレーザー条件を算出、制御することができる薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】基板上に機能性インクを所定のパターンで塗布する塗布手段と、塗布された前記機能性インクを加熱して結晶化するための１つ又は２つ以上のレーザー光源と、前記機能性インクの結晶状態を測定するためのＸ線回折装置と、前記Ｘ線回折装置により測定された前記機能性インクの前記結晶状態の情報を記録する記録部と、前記レーザー光源のレーザー照射条件を制御する制御装置と、を有し、前記制御部は、前記記録部に記録された、事前の前記レーザー光源によるレーザー照射した前記機能性インクの前記結晶状態の情報に基づいて、前記レーザー光源のレーザー照射条件を調整するようにする、基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜を活性層とするＴＦＴの閾値ドリフトを小さくする。
【解決手段】シリコンを含む半導体装置の製造方法であって、シリコンを含む原料ガスを水素ガスで６００倍以上に希釈する工程と、前記希釈した原料ガスと水素ガスの混合ガスに高周波電力を加えて放電させる工程と、前記放電により分解した原料ガス中のシリコンを基板に堆積させる工程と、前記混合ガスの圧力を６００Ｐａ以上に制御する工程とを含み、前記原料ガスの水素ガスによる希釈率がＤ、前記混合ガスの圧力がＰ（Ｐａ）のとき、前記高周波電力の電力密度Ｐｗ（Ｗ／ｃｍ^２）をＰｗ（Ｗ／ｃｍ^２）×Ｄ（倍）／Ｐ（Ｐａ）の値が０．０８３以上、かつ０．２２２以下となる範囲に設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタリング法を用いて、酸化ガリウム膜を成膜する成膜方法を提供する
ことを課題の一つとする。トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層として、酸化ガリウ
ム膜を用いる半導体装置の作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化ガリウム（ＧａＯｘとも表記する）からなる酸化物ターゲットを用いて
、ＤＣスパッタリング法、またはＤＣパルススパッタ方式により絶縁膜を形成する。酸化
物ターゲットは、ＧａＯｘからなり、Ｘが１．５未満、好ましくは０．０１以上０．５以
下、さらに好ましくは０．１以上０．２以下とする。この酸化物ターゲットは導電性を有
し、酸素ガス雰囲気下、或いは、酸素ガスとアルゴンなどの希ガスとの混合雰囲気下でス
パッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができるニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子３００（アクチュエーター）は、絶縁体膜５５上に、第１電極６０と、第１電極６０の上方に設けられて厚さが３μｍ以下、好ましくは０．３〜１．５μｍの薄膜である圧電体層７０と、圧電体層７０の上方に設けられた第２電極８０とが、積層形成される。圧電膜７０であるニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、ランタンアセチルアセトナート、ニッケルアセチルアセトナート、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、混合溶液を加熱する。 （もっと読む）

【課題】（１００）面に優先的に結晶配向が制御された強誘電体薄膜をシード層やバッファ層を設けることなく、簡便に得ることが可能な、強誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶面が（１１１）軸方向に配向した下部電極を有する基板の下部電極上に、強誘電体薄膜形成用組成物を塗布し、加熱して結晶化させることにより下部電極上に強誘電体薄膜を製造する方法の改良であり、強誘電体薄膜が（１００）面に優先的に結晶配向が制御された配向制御層により構成され、配向制御層を結晶化後の層厚を３５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲内にすることにより形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】選択的に窒化物膜を形成する。
【解決手段】処理容器２内に窒素含有ガスを供給し、処理容器２内の圧力を１３３Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内に設定して、処理容器２内に窒素含有プラズマを生成し、該窒素含有プラズマによって、シリコンを含有する第２の部分１００Ｂの表面１００Ｂａを窒化させずに、タングステンを含有する第１の部分１００Ａの表面１００Ａａを選択的に窒化して、第１の部分１００Ａの表面１００Ａａに窒化タングステン膜１０７を形成する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】安定して強い酸化力で基板の表面を酸化しシリル化することができる半導体基板の表面処理方法および基盤処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理方法は、硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成する工程と、酸化性溶液を用いて半導体基板の表面に酸化膜を生成する工程とを備える。酸化性溶液を用いて半導体基板の表面を酸化しＯＨ基を生成し、半導体表面にシリル化剤を供給し、ＯＨ基とシリル化剤に含まれる有機物の加水分解により得られるＯＨ基との結合及び脱水縮合反応により半導体基板の表面を疎水化する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の効率化とパッシベーション膜の剥離の抑制とが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金を含む配線３０ａ及び配線３０ｂを形成する工程と、配線３０ａ及び配線３０ｂに接して、窒化シリコン膜３２をプラズマ気相成長する工程と、窒化シリコン膜３２の製膜レートよりも大きな製膜レートのもと、窒化シリコン膜３２に接し、窒化シリコン膜３２よりもシリコン組成比が小さい窒化シリコン膜２２をプラズマ気相成長する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】バッチ式の縦型炉を用いてプラズマアシストＡＬＤ法により窒化膜を形成する際、炉底部付近でのローディング効果を抑制する。
【解決手段】反応容器１０２内に複数段にウエハを載置可能なボート１０１と、前記反応容器の側面に沿ってＲＦ電極１０６で挟まれたプラズマ空間１０５と、該プラズマ空間から前記反応容器内の前記各段のウエハに略均等にガスを供給可能な供給口Ｆ１，Ｆ２と、を備えたバッチ式の縦型炉１００を用いて、窒化すべきガスの導入、吸着、パージ、プラズマ励起された窒化ガスの導入による前記窒化すべき吸着ガスの窒化およびパージ、を１サイクルとして所定の膜厚までサイクルを繰り返すプラズマアシストＡＬＤ法において、前記窒化すべきガス導入時のキャリアガス量よりも前記窒化ガス導入時のキャリアガス流量を少なくし、特に窒化ガスとしてのＮＨ３とキャリアガスとしてのＮ２の流量比をＮＨ３の５０に対してＮ２を３以下とする。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜の上部に形成するＴｉＯ膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とし、ＴｉＯ膜の誘電率を高める。
【解決手段】ジルコニウム酸化膜の膜厚を制御することにより、ジルコニウム酸化膜の少なくとも一部の結晶構造を立方晶系構造又は正方晶系構造とし、これにより、チタン酸化膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とする。 （もっと読む）

【課題】酸化力が強い酸素含有ガスを用いて金属酸化膜を形成する際に、下地の電極の酸化を抑制する。
【解決手段】処理室内に少なくとも１種類の金属含有ガスを供給した後に排気して電極６１０上に前記金属含有ガスの吸着層を形成するステップの後に、前記処理室内に第１の酸素含有ガスを供給するステップを実施することで電極６１０の直上に第１の金属酸化層５１０を形成する工程と、続いて、前期処理室内に前記金属含有ガスを供給した後に排気して第１の金属酸化層５１０上に前記金属含有ガスの吸着層を形成するステップの後に、前記処理室内に前記第１の酸素含有ガスよりも酸化力が強い第２の酸素含有ガスを供給を供給するステップを実施することで第１の金属酸化層５１０上に第２の金属酸化層５６０を形成する工程と、をこの順に実施する。 （もっと読む）

【課題】静電容量が大きく、リーク特性に優れたキャパシタを容易に形成する。これにより、データ保持特性にすぐれ、集積度の高いＤＲＡＭ等の半導体装置を容易に形成する。
【解決手段】キャパシタの容量絶縁膜は、第１領域と第２領域を有する。第１領域は、Ｓｒ／Ｔｉの原子組成比が１．２以上１．６以下の範囲であるチタン酸ストロンチウムからなる。第２領域は、Ｓｒ／Ｔｉの原子組成比が０．８以上１．２未満の範囲であるチタン酸ストロンチウムからなる。 （もっと読む）

【課題】繰り返しの熱処理でも安定して膜の積層が可能で、製造工程を短縮できる電気−機械変換膜の作製方法と、電気-機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】第1の電極と、電気-機械変換膜８３と、第2の電極とを順次設けて成る電気-機械変換素子を基板又は下地膜上に備えた液体吐出ヘッド構成体の、電気-機械変換膜８３を、少なくとも酸化チタン等の光触媒機能を有する化合物から成る表面改質膜８０を形成する工程と、表面改質膜８０に選択的に光を照射して光照射部位の親水性を高め、光照射部位と光未照射部位との水に対する接触角の差を60°を超えるように制御する工程により親水性とされた部位８１に直接、もしくは親水性部位８１に第1の電極を設けこれを介してインクジェット法によりパターン化して設ける電気−機械変換素子。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して金属膜上に低温で成膜した場合に、金属膜と成膜した膜の密着性を改善する。
【解決手段】処理室２０１と、ガス供給口４２５、４３５を有するバッファ室４２３、４３３と、第１の処理ガスを前記処理室に供給する処理ガス供給系３１０と、第２の処理ガスをバッファ室４２３、４３３に供給可能な処理ガス供給系３２０、３３０と、高周波電源２７０と、プラズマ発生用電極４７１、４７２、４８１、４８２と、からなる処理炉２０２を使用して、表面に金属膜が形成された基板を、前記プラズマ発生用電極に高周波電力が印加されない状態で、前記第１の処理ガスおよび前記第２の処理ガスに順次曝して前記金属膜の上に第１の膜を形成した後、該第１の膜が形成された前記基板を、前記第１の処理ガスおよび、前記電極に高周波電力が印加されることにより活性化された前記第２の処理ガスに交互に曝し、前記金属膜の上に第２の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極への悪影響（酸化等）が少ない絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電極と接する絶縁膜を形成する方法であって、（i）反応室内に電極となる基板を配置し、少なくとも不飽和炭化水素基を含む化合物の蒸気を含むガスを供給して、該基板上に該不飽和炭化水素基を含む化合物を付着させる工程と、（ii）該基板上に、プラズマにより励起した不活性ガス又はプラズマにより励起した不飽和炭化水素基を含む化合物の蒸気と不活性ガスとの混合ガスを供給して、該基板上に付着した該化合物の不飽和炭化水素基を活性化する工程と、（iii）工程（i）と工程（ii）を少なくとも２回以上繰り返し、それにより該基板上に絶縁膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）