【課題】半導体デバイス設計等では、金属酸化物ＡＯと金属Ｍ（あるいはＭＡ）との極性界面が酸素終端になるかそれとも金属終端になるかでこの界面の特性が大きく変化するので、どちらの終端界面が現れるかを事前に高い精度で予測する方法を提供する。
【解決手段】（ａ）Ａの金属Ｍ上への吸着エネルギーＡｏｎＭ、Ｍの金属Ｍ上への吸着エネルギーＭｏｎＭを求める。（ｂ）金属Ｍ上への酸素の吸着エネルギーＯｏｎＭを求める。（ｃ）下記の２つの式（ＡｏｎＭ）−（ＯｏｎＭ）、｛（ＡｏｎＭ）−（ＭｏｎＭ）｝−｛（ＯｏｎＭ）−（Ｏ_２解離エネルギー）／２｝の符号が、両方とも正ならば界面終端元素はＡ金属、両方とも負ならば界面終端元素は酸素、両者の符合が異なる場合は界面終端元素は実験条件に依存して変化する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】ｐｎ接合のＩ−Ｖ特性を向上させる半導体材料を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体材料は、酸化亜鉛の結晶を含有する粒子を備え、酸化亜鉛の結晶子の大きさが５〜５０ｎｍであり、酸化亜鉛の結晶における窒素の含有率が５００〜１００００質量ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜から紫外線照射処理によって脱ガスしたガス成分の排気時間を短縮し、異常放電をなくすことができる真空排気系を備えた紫外線照射処理装置及びＬｏｗ−ｋ膜の紫外線キュア方法を提供する。
【解決手段】基板加熱機構２４を備えた基板支持ステージが配置されている紫外線照射処理室２の上部に、紫外線光源２１を組み込んだ紫外線照射装置２２と紫外線透過窓２３が配置され、前記処理室２の内部を排気するための真空排気系であって、大気から低真空領域に排気するための低真空用ポンプ２６ａと、低真空領域から中・高真空領域へ排気するための中・高真空用ポンプ２６ｂと、を組み合わせた真空排気系２６が接続されてなる紫外線照射処理装置を用いて、基板Ｓ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜を熱キュア処理する。 （もっと読む）

【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 （もっと読む）

【課題】塗布液を吐出するノズルの先端で塗布液の固化を防止することができる塗布処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態による塗布処理装置は、ノズル２２と、塗布液供給源２１と、固化防止溶媒供給手段と、を備える。ノズル２２は、液体を吐出する流路２２１と、流路２２１の周囲を囲むように形成される流路２２２と、を有する。塗布液供給源２１と、ノズル２２の流路２２１に配管３１を介して塗布液４５を供給する。また、固化防止溶媒供給手段は、ノズル２２の流路２２２に配管３２，３３を介して塗布液４５の固化を防止する固化防止溶媒を気体状または霧状の状態で供給する。そして、気体状または霧状の固化防止溶媒がノズル２２の流路２２２から吐出される。 （もっと読む）

【課題】薄膜の形成に寄与しなかったガスを排気トラップにおいて十分にトラップすることができる原子層堆積方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給工程と、反応ガスのプラズマを間欠的に発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ発生工程の後に、成膜室から排気された反応ガスに活性ガスを間欠的に供給し、排気トラップにトラップさせる活性ガス供給工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】環境への負担が小さくかつ表面電荷密度が大きい半導体被覆用ガラスを提供する。
【解決手段】質量％で、ＺｎＯ ５０〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３ １９〜２８％、ＳｉＯ_２ ７〜１５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１２％、Ｂｉ_２Ｏ_３ ０．１〜５％の組成を含有し、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体被覆用ガラス。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。
【解決手段】基板Ｂ上に成膜された、Ｉｎと、Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ，ＣｄおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素とを含む酸化物半導体膜１上に、基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いるスパッタ法によりターゲットＴの構成元素を含む薄膜２を形成する成膜方法において、薄膜２の成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、基板Ｂの基板電位Ｖｓｕｂ（Ｖ）との電位差を０Ｖ超２０Ｖ以下とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第１の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第１の可動導電体を有している。 （もっと読む）

【課題】数ｎｍ程度のセルサイズを実現可能な強誘電体及び記憶装置を提供すること。
【解決手段】強誘電体２は、分子内で正に帯電された水素原子群（第一原子群）１５と負に帯電された酸素原子群（第二原子群）１６とが結合された水分子（極性分子）１７同士が、さらに水素原子群１５又は酸素原子群１６が一端２ａ又は他端２ｂに配されるよう一方向に交互に配列された５本の一次元鎖１３Ａ〜１３Ｅを有するアイスナノチューブ１１Ａと、アイスナノチューブ１１Ａを内包するカーボンナノチューブ（ナノチューブ）１１Ｂと、を備えている。 （もっと読む）

ハフニウムおよび／もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を開示する。ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法も開示する。例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができる。腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態も開示する。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態も開示する。電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態も開示する。 （もっと読む）

【課題】塗布液の滴下量を削減しつつ、より広範囲に塗布膜を成膜することが可能な回転塗布方法を提供する。
【解決手段】回転塗布装置１００は、回転駆動源により基板を第１の回転数で基板の中央部を中心に基板を回転させながら、塗布液供給部により塗布液を第１の滴下量だけ基板の中央部に滴下し、塗布液を第１の滴下量だけ滴下した後、回転駆動源により第１の回転数よりも小さい第２の回転数で基板を回転させながら、塗布液供給部により塗布液を第２の滴下量だけ基板の中央部に滴下し、塗布液を第２の滴下量だけ滴下した後、回転駆動源により塗布液の膜厚を決定するための第３の回転数で基板を回転させる。第１の回転数は、空気抵抗により第１の滴下量の塗布液が基板に均一に広がらない回転数である。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジストパターンを形成するためのリソグラフィー工程を行わずに、ポリアセンまたはポリアセン誘導体からなる有機半導体層をパターニングする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に、ポリアセンまたはポリアセン誘導体からなる有機半導体材料を成膜することで、有機半導体層１７を形成する工程と、有機半導体層１７の所定箇所を露光し、露光された部分の有機半導体材料を酸化体に変化させる工程と、基体の表面に、上記酸化体を選択的に溶解する有機溶剤を供給し、酸化体を有機溶剤に溶解させて除去することで、有機半導体層１７をパターニングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜の実質的な誘電率を向上すると共に、絶縁特性の劣化を抑制可能なキャパシタ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に下部電極層１２、誘電体層１３、上部電極層１４を順次積層する。誘電体層１３は、誘電体材料と導電性材料との複合材料からなる微粒子の微粒子材料を使用してエアロゾルデポジション法により形成される。微粒子材料としては、表面の少なくとも一部が導電性材料に覆われたセラミック粒子、表面の少なくとも一部がセラミック材料に覆われた導電性粒子、導電性粒子とセラミック粒子とが互いに付着してなる微粒子が使用される。誘電体層１３は、微粒子が衝撃を受け固化し、誘電体部１６ａ中に導電体部１６ｂがランダムに分散しながら互いに電気的に接続された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面を処理する方法及び処理システム。
【解決手段】 表面は、少なくとも2つのラジカル源からの少なくとも2種類のラジカルに曝露される。ラジカル源からの各対応するラジカルは基板表面の異なる領域と相互作用する。本発明は酸化、窒化又はその両方の均一性を適切に改善する。 （もっと読む）

ウェハは、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに不十分である、第１の化学的に反応する前駆体ドーズ量に露光され、次に、第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量に露光され、前駆体は、ほぼ均一な膜堆積を実現するように分散されるプロセス。第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに不十分であるか、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに十分であってもよい。プロセスは、前駆体ドーズ量の露光と露光の間で、または、露光の１つのセットと別のセットの間でパージを含んでも含まなくてもよい。
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ナノレイヤ堆積（「ＮＬＤ」）と呼ばれる、ＣＶＤ及びＡＬＤのハイブリッド堆積プロセスが提供される。このナノレイヤ堆積プロセスは、非自己制御型堆積プロセスにおいて、第１の複数の前駆体をチャンバに導入し、第１の層を基板上に堆積させる第１のステップと、次に、該第１の組の前駆体をパージする第２のステップと、第２の複数の前駆体を導入し、堆積された薄膜を修正する第３のステップとを含む周期的シーケンス堆積プロセスである。第１の組の前駆体を用いるＮＬＤプロセスにおける堆積ステップは、非自己制御型であり、基板温度及びプロセス時間の関数である。第２の組の前駆体が、既に堆積された膜の特徴を修正する。第２の組の前駆体は、膜の組成の修正、ドーピング、又は堆積された膜からの不純物の除去のように、堆積された膜の処理を行うことができる。第２の組の前駆体は、堆積された膜上に別の層を堆積させることもできる。追加の層は、既存の層と反応して複合層を形成するか、又は最小の反応を起こしてナノラミネート膜を形成することができる。
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