説明

Fターム[5F058BC04]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機単層構造絶縁膜の材料 (5,394) | 酸化物 (3,578) | 添加物含有 (388)

Fターム[5F058BC04]に分類される特許

1 - 20 / 388


【課題】低温領域において適正な特性を有するSiC系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法,基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、ドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びドープされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセスを提供する。
【解決手段】 ドープされた金属酸化物誘電体材料及びこの材料で作られた電子部品が明らかにされている。金属酸化物はIII族又はV族金属酸化物(たとえば、Al、Y、TaまたはV)で、金属ドーパントはIV族元素(Zr、Si、TiおよびHf)である。金属酸化物は約0.1重量パーセントないし約30重量パーセントのドーパントを含む。本発明のドープされた金属酸化物誘電体は、多くの異なる電子部品及びデバイス中で用いられる。たとえば、ドープされた金属酸化物誘電体は、MOSデバイスのゲート誘電体として用いられる。ドープされた金属酸化物誘電体はまた、フラッシュメモリデバイスのポリ間誘電体材料としても用いられる。 (もっと読む)


【課題】少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させることにある。
【解決手段】少なくともビスマス、バリウム、鉄及びチタンを含むペロブスカイト型酸化物を形成するための圧電体前駆体溶液は、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンの部分アルコキシド(チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物)を含む。圧電セラミックスの製造方法は、前記圧電体前駆体溶液を塗布する工程と、該塗布した前駆体溶液を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する工程と、を備える。圧電素子の製造方法は、前記圧電セラミックスに電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、前記圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】所定の安定した特性を有するN−MISFETとP−MISFETとを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板101の上に高誘電体膜121と、第1の膜122と、犠牲導電膜123と、第2の膜124とを順次形成した後、第2の膜124におけるN−MISFET形成領域101Nに形成された部分を第1の薬液を用いて選択的に除去する。この後、第2の膜124に含まれる第2の金属元素を犠牲導電膜124におけるP−MISFET形成領域101Pに形成された部分に拡散させる。続いて、犠牲導電膜124及び第1の膜122におけるN−MISFET形成領域101Nに形成された部分を、それぞれ第2の薬液及び第3の薬液を用いて選択的に除去する。第3の膜125を形成した後、第3の膜125に含まれる第3の金属元素を高誘電体膜121中に拡散させる。 (もっと読む)


【課題】金属膜あるいは金属酸化膜の成膜量に伴うことなく含有している金属元素の濃度分布に偏りのないゲート絶縁膜を提供する。
【解決手段】図2に示すように、半導体基板1上に、シリコン酸化膜より高い誘電率を有する高誘電体膜10を形成する高誘電体膜形成工程と、高誘電体膜10上に、第1の金属元素を有する第1の金属膜あるいは金属酸化膜20を成膜する第1の成膜工程と、高誘電体膜10に第1の金属元素を拡散させる拡散工程と、高誘電体膜10上に金属元素吸収膜50を成膜する第2の成膜工程と、金属元素吸収膜50に、第1の金属元素を含ませる吸収工程と、金属元素吸収膜60を選択的に除去する除去工程の6工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】特定の構造を有する有機ケイ素化合物を、化学気相成長法(CVD)により成膜し、炭素含有酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜として使用する。
【解決手段】少なくとも一つのケイ素原子に直結した二級炭素水素基を有し、ケイ素原子1に対し、酸素原子が0.5以下の原子比を有する有機ケイ素化合物、例えば下記一般式(1)を原料として用い、CVDにより形成した炭素含有酸化ケイ素からなる膜を封止膜としてガスバリア部材、FPDデバイス、半導体デバイス等に用いる。


(式中、R,Rは炭素数1〜20の炭化水素基を表す。R,Rは互いに結合し環状構造を形成してもよい。R,Rは炭素数1〜20の炭化水素基または水素原子を表す。) (もっと読む)


【課題】電気−機械変換膜がインクジェット工法で安定して形成でき、熱処理においても密着性が低下しない電気−機械変換素子と液滴吐出ヘッド及びインクジェットプリンタを提供する。
【解決手段】電気-機械変換素子は、基板301または下地膜上に形成された、一般式ABO3(但し、Aは、Sr、Ba、Ca、La、から選択される元素を示し、Bは、Ru、Co、Ni、Mn、Al、Crから選択される元素を示す。)で表されるペロブスカイト構造を有する酸化物から成る密着層303と、その上に形成された金属から成る第1の電極304と、電極304上に形成された導電性酸化物から成るパターン化された第2の電極305と、第2の電極305上に第1の電極304表面のみを疎水性領域とする改質処理を介してインクジェット工法により形成された電気-機械変換膜306と、その変換膜306上に形成された導電性酸化物から成る第3の電極307とを備える。 (もっと読む)


【課題】環境への負荷が小さくて化学耐久性に優れ、かつ、表面電荷密度が低く、特に低耐圧用の半導体素子を被覆するために好適なガラスを提供する。
【解決手段】ガラス組成として、質量%で、ZnO 52〜65%、B 5〜20%、SiO 15〜35%およびAl 3〜6%を含有し、かつ、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体素子被覆用ガラス。さらに、組成として、Ta 0〜5%、MnO 0〜5%、Nb 0〜5%、CeO 0〜3%およびSbを含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ダマシン構造のCu配線を有する半導体装置の製造において熱処理工程が行われた場合の、層間絶縁膜であるCF膜からのフッ素の拡散を防止し、リーク電流の増加を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、フッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、を備え、前記層間絶縁膜と前記銅配線との間には、前記銅配線に近接するバリアメタル層と、前記層間絶縁膜に近接するフッ素バリア膜が形成されている、半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】導電性が高くIII族窒化物結晶との接合強度が高いとともに光透過性が高い複合体を提供する。
【解決手段】本複合体100は、III族窒化物結晶110とIII族窒化物結晶110上に配置された酸化物膜120とを含み、酸化物膜120はドーパントの濃度が互いに異なる第1領域121と第2領域122とを含み、第2領域122は第1領域121に比べてドーパントの濃度が高い。 (もっと読む)


【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低K薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の2つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低K誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Kの酸素が豊富な部分を通過し、低K部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低K部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 (もっと読む)


【課題】 良好な規格化保持時間を有するエピタキシャル成長させて得られた強誘電体膜の作製方法を提供すること。
【解決手段】 チタン酸ストロンチウム単結晶基板又はシリコン単結晶基板上に、電極層を介して、強誘電体膜をエピタキシャル成長させて形成し、次いでエピタキシャル成長させて形成された強誘電体膜を冷却する強誘電体膜の作製方法において、この冷却を、少なくとも冷却を開始した後から該強誘電体のキュリー温度より15%高い温度〜15%低い温度の範囲までの冷却速度をその範囲の温度から室温までの冷却速度より遅くして実施する第1冷却工程と、次いで該第1冷却工程の冷却速度より早い冷却速度で室温まで冷却する第2冷却工程とで実施する。 (もっと読む)


【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器2内に、基板であるウエハWの載置領域を備えた載置台3と、この載置台3と対向する天板部材4とを設け、載置台3を昇降機構5により天板部材4側へ上昇させて、載置台3と天板部材4との間で処理空間Sを形成する。載置台3における載置領域の外側領域と天板部材4との少なくとも一方には突起部43が設けられ、前記処理空間Sの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材4との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の1mm未満の隙間40が形成される。隙間40が狭小であることから、処理空間S内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 (もっと読む)


【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層112に含まれる水素や水分(水素原子や、HOなど水素原子を含む化合)などの不純物を、酸化物半導体層112より排除し、上記酸化物半導体層112中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層112と接して設けられるゲート絶縁層132及び/又は絶縁層116に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層112に付着させてもよい。 (もっと読む)


【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してSiC等のSiC系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板200を処理室201内に収容する工程と、加熱された処理室201内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板200上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室201内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室201内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室201内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室201内を排気する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】特定の部分にp型拡散層を形成することが可能であり、有機物の残存による特性劣化の少ないp型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末及び有機物を含む分散媒を含有するp型拡散層形成組成物を用いてp型拡散層の形成を行うに際し、熱拡散処理の前に前記分散媒中に含まれる有機物成分を十分に除去する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくp型拡散層を形成し、工程を簡略化しても充分なオーミックコンタクトが得られるp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のp型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。このp型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、基板表面の粗面化を抑制しつつ、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくp型拡散層を形成可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のp型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、ケイ素粒子と、分散媒とを含有する。このp型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 (もっと読む)


【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極3,5の間に誘電体膜4が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜4は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を0.1〜10mol%の範囲で含む。 (もっと読む)


【課題】配線間の間隙又は配線の下面と基板の上面との間隙に、絶縁膜を埋設することが困難であった。
【解決手段】半導体装置100の製造方法は、次の工程を含む。すなわち、基板上に絶縁層(絶縁層106)を形成する工程。絶縁層106の一部を選択的に除去して凹部(配線溝107及び配線溝110)を形成し、当該凹部内にバリアメタル膜112と金属膜114とをこの順で埋め込むことにより配線(配線115a、115b)を形成する工程。配線(配線115a、115b)を残しつつ、絶縁層106を除去する工程。絶縁層106を除去する前記工程後、下記の溶液を用いて、配線(配線115a、115b)の周囲を埋設する層間絶縁層118を形成する工程。溶液は、シラン化合物と、界面活性剤からなるポロジェンと、シラン化合物の溶質濃度の増加に応じて、アルコールと比較して、シラン化合物を表面に析出させやすく、かつ増粘しにくいシーター溶媒(アルコール及び水を除く)と、を含むことにより特定される。 (もっと読む)


1 - 20 / 388