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Fターム[5F058BD06]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機積層絶縁膜の構造、材料 (4,921) | 少なくとも一層が酸化物 (2,674) | 添加物含有 (311)

Fターム[5F058BD06]に分類される特許

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【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子を提供する。
【解決手段】弾性膜50、密着層56、第1電極60、圧電体層70、及び第2電極80を備えた圧電素子300を具備し、圧電体層70は、少なくともビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなり、チタンとバリウムのモル比(Ti/Ba)が1.17以上1.45以下である。 (もっと読む)


【課題】少なくともBi、Ba、Fe及びTiを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させることにある。
【解決手段】少なくともビスマス、バリウム、鉄及びチタンを含むペロブスカイト型酸化物を形成するための圧電体前駆体溶液は、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンの部分アルコキシド(チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物)を含む。圧電セラミックスの製造方法は、前記圧電体前駆体溶液を塗布する工程と、該塗布した前駆体溶液を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する工程と、を備える。圧電素子の製造方法は、前記圧電セラミックスに電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、前記圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】所定の安定した特性を有するN−MISFETとP−MISFETとを備えた半導体装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板101の上に高誘電体膜121と、第1の膜122と、犠牲導電膜123と、第2の膜124とを順次形成した後、第2の膜124におけるN−MISFET形成領域101Nに形成された部分を第1の薬液を用いて選択的に除去する。この後、第2の膜124に含まれる第2の金属元素を犠牲導電膜124におけるP−MISFET形成領域101Pに形成された部分に拡散させる。続いて、犠牲導電膜124及び第1の膜122におけるN−MISFET形成領域101Nに形成された部分を、それぞれ第2の薬液及び第3の薬液を用いて選択的に除去する。第3の膜125を形成した後、第3の膜125に含まれる第3の金属元素を高誘電体膜121中に拡散させる。 (もっと読む)


【課題】金属膜あるいは金属酸化膜の成膜量に伴うことなく含有している金属元素の濃度分布に偏りのないゲート絶縁膜を提供する。
【解決手段】図2に示すように、半導体基板1上に、シリコン酸化膜より高い誘電率を有する高誘電体膜10を形成する高誘電体膜形成工程と、高誘電体膜10上に、第1の金属元素を有する第1の金属膜あるいは金属酸化膜20を成膜する第1の成膜工程と、高誘電体膜10に第1の金属元素を拡散させる拡散工程と、高誘電体膜10上に金属元素吸収膜50を成膜する第2の成膜工程と、金属元素吸収膜50に、第1の金属元素を含ませる吸収工程と、金属元素吸収膜60を選択的に除去する除去工程の6工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】環境への負荷が小さくて化学耐久性に優れ、かつ、表面電荷密度が低く、特に低耐圧用の半導体素子を被覆するために好適なガラスを提供する。
【解決手段】ガラス組成として、質量%で、ZnO 52〜65%、B 5〜20%、SiO 15〜35%およびAl 3〜6%を含有し、かつ、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体素子被覆用ガラス。さらに、組成として、Ta 0〜5%、MnO 0〜5%、Nb 0〜5%、CeO 0〜3%およびSbを含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】ダマシン構造のCu配線を有する半導体装置の製造において熱処理工程が行われた場合の、層間絶縁膜であるCF膜からのフッ素の拡散を防止し、リーク電流の増加を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、フッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、を備え、前記層間絶縁膜と前記銅配線との間には、前記銅配線に近接するバリアメタル層と、前記層間絶縁膜に近接するフッ素バリア膜が形成されている、半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低K薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の2つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低K誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Kの酸素が豊富な部分を通過し、低K部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低K部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 (もっと読む)


【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層112に含まれる水素や水分(水素原子や、HOなど水素原子を含む化合)などの不純物を、酸化物半導体層112より排除し、上記酸化物半導体層112中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層112と接して設けられるゲート絶縁層132及び/又は絶縁層116に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層112に付着させてもよい。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくp型拡散層を形成し、工程を簡略化しても充分なオーミックコンタクトが得られるp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のp型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、分散媒と、を含有する。このp型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を用いた太陽電池素子の製造工程において、基板表面の粗面化を抑制しつつ、シリコン基板中の内部応力、基板の反りを発生させることなくp型拡散層を形成可能なp型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のp型拡散層形成組成物は、アクセプタ元素を含むガラス粉末と、ケイ素粒子と、分散媒とを含有する。このp型拡散層形成組成物を塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。 (もっと読む)


【課題】特定の部分にp型拡散層を形成することが可能であり、有機物の残存による特性劣化の少ないp型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法を提供する。
【解決手段】アクセプタ元素を含むガラス粉末及び有機物を含む分散媒を含有するp型拡散層形成組成物を用いてp型拡散層の形成を行うに際し、熱拡散処理の前に前記分散媒中に含まれる有機物成分を十分に除去する。 (もっと読む)


【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域(フォトダイオードである受光部102)を有する半導体基板101と、半導体基板101の上に配置された透明絶縁膜111を有し、透明絶縁膜111は、光学領域直上の第1の領域(遮光膜110によって挟まれる領域)と、第1の領域の上の第2の領域を有し、透明絶縁膜111は、第2の領域と同じ高さにあり、平面視において第2の領域の外側に位置する第3の領域(遮光膜110の上の領域)を有し、第1の領域が有する空孔115の空孔径は第3の領域が有する空孔115の空孔径よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極3,5の間に誘電体膜4が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜4は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を0.1〜10mol%の範囲で含む。 (もっと読む)


【課題】二酸化シリコン層及びシリコン基板を窒素イオンで過剰にダメージを生じさせることのないプラズマ窒化プロセスのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のRF電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の転移を防止しつつ、絶縁膜の埋め込み性を確保するとともに、エッチング耐性を向上させる。
【解決手段】シリコン含有無機ポリマー膜8にアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を含有させ、塗布法などの方法にてトレンチ6内に埋め込まれるようにしてシリコン含有無機ポリマー膜8をライナー膜7上に形成し、水蒸気を含む雰囲気中でシリコン含有無機ポリマー膜8の酸化処理を行うことにより、シリコン含有無機ポリマー膜8をシリコン酸化膜9に変化させる。 (もっと読む)


【課題】電気的特性が向上した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】13族元素および酸素を含む第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜とゲート電極の間の、酸化物半導体膜と一部が接する第2の絶縁膜と、を有する半導体装置である。また、13族元素および酸素を含む第1の絶縁膜には、化学量論的組成比より酸素が多い領域が含まれる構成とする。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の金属酸化物膜と、第1の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第1の絶縁膜と、第2の金属酸化物膜と、第2の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】有機アルミニウムと有機シラン化合物との混合物または反応物をCVDにより成膜し、封止膜等に用いる。
【解決手段】一般式(1)の有機アルミニウム化合物
AlX(OR3−(m+n) (1)
(式中、R、Rは、炭素数1〜20の炭化水素基、Xは水素又は弗素等、mは1乃至3の数、nは0乃至2の数を表す。)
と、一般式(2)の有機シラン化合物
Si(OR4−p (2)
(式中、R、Rは、水素原子または炭素数1〜20の炭化水素基、pは0乃至3の整数を表す。)
との混合物または反応物を用い、化学気相成長法により、炭素含有酸化アルミニウム酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜、ガスバリア部材、FPDデバイス、半導体デバイス等に用いる。 (もっと読む)


【課題】単一配向の結晶配向性が高いセラミックス薄膜を得ることができるセラミックス前駆体薄膜の製造方法および前駆体溶液を提供する。
【解決手段】本発明に係るセラミックス前駆体薄膜の製造方法は、金属アルコキシド溶液を希釈した希釈溶液に、アモルファス粉末を混合し、金属アルコキシド系化合物を含む前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、前記前駆体溶液を用いてゲル膜を成膜するゲル膜成膜工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


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