【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。
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【課題】 低い比誘電率を有するシリカ系被膜を形成することが可能なシリカ系被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、（ａ）成分：下記一般式（１）；
Ｒ_ｎＳｉＸ_４−ｎ ・・・（１）
（式中、Ｒは、Ｂ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子及びＴｉ原子のうちの少なくとも１種を含む基、炭素数１〜２０の有機基、Ｈ原子、又は、Ｆ原子を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示す。ただし、ｎが２のとき、各Ｒは同一でも異なっていてもよく、ｎが０〜２のとき、各Ｘは同一でも異なっていてもよい。）、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：上記（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、（ｃ）成分：空孔を有する固体粒子と、（ｄ）成分：第四級オニウム塩と、を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、高誘電率被膜、および該高誘電率被膜を備える電子部品、特に、クラック耐性に優れた高誘電率被膜、該高誘電率被膜の製造に用いる高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、および該高誘電率被膜備えた電子部品を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の高誘電率被膜形成用組成物を、（Ａ）少なくとも、
（ａ−１）下記一般式（１）および（２）
【化１】


（式中、ｎは１〜５の整数を表し、Ｒ¹は炭素数１〜５のアルキル基を表す。）
Ｒ²Ｓｉ（ＯＲ³）₃ ・・・（２）
（式中、Ｒ²は炭素数３以上のアルキル基を表し、Ｒ³は炭素数１〜５のアルキル基を表す。）で示されるトリアルコキシシラン化合物から選択される少なくとも１種と、
（ａ−２）チタンテトラアルコキシドとを含む混合物の加水分解反応による生成物と、
（Ｂ）溶剤とから構成する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率でしかも機械的強度の高く、平坦性の高い絶縁膜を形成できる有機無機複合体、その製造方法およびその複合体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】 金属−酸素結合による架橋構造を有する有機無機複合体において、下記一般式（１）で示される化合物を有することを特徴とする有機無機複合体。


式中、Ｍは金属又はシリコン、Ｘは架橋に関与する−Ｏ−結合又はＯＨ基であり、Ｒ¹は炭素数８〜２０の炭素原子含有分子鎖基であり、Ｒ²はメチル、エチル、プロピル、又はフェニル基のいずれかの基を表し、ｎ１、ｎ２は０、１、または２のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の層間絶縁膜として、均一な厚さの塗膜が形成可能で、耐熱性に優れ、クラックが生じ難く、誘電率特性に優れた絶縁膜形成用材料を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表わされる繰り返し単位を有する重合体（Ａ）を含有することを特徴とする絶縁膜形成用材料。
【化３０】


Ｒ₁〜Ｒ₇は水酸基、炭化水素基、ディールス−アルダー反応により炭化水素基になる基、炭化水素基の炭素原子の一部を珪素原子に置き換えた基、又はディールス−アルダー反応により炭化水素基になる基の炭素原子の一部を珪素原子に置き換えた基を表し、Ｘ、Ｙ、Ｚの１つは水酸基を表し、残る２つは異なり、−Ｏ−、酸素原子側で連結される式（ＩＢ）から選択され、ｎは１〜１０を表す。
【化３１】


Ｒ₁₁〜Ｒ₁₄はＲ₁〜Ｒ₇と同義、Ｒ₁₅〜Ｒ₁₇は単結合、炭化水素基、又はディールス-アルダー反応により炭化水素基になる基、Ｒ₁₈は単結合又は-Ｏ-、ｍは０〜１０を表す。 （もっと読む）

【課題】 分極特性の向上したPZT膜を得、結晶異方性の向上および絶縁性の改善を図ることを目的とする。
【解決手段】 本発明のチタン酸ジルコン酸鉛膜は、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃）のＢサイト（Ｚｒ，Ｔｉ）の一部がイオン半径０．７４５〜０．９０１Åである希土類イオンで置換されてなる；チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃）のＡサイト（Ｐｂ）およびＢサイト（Ｚｒ，Ｔｉ）のそれぞれの一部が、Ｂｉイオンもしくはイオン半径０．７４５〜０．９７０Åである希土類イオンで置換されてなる；または、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ₃）のＢサイト（Ｚｒ，Ｔｉ）の一部が、イオン半径０．７４５〜０．９１２Åである希土類イオン、ならびにＮｂ、Ｖ、Ｍｏ、ＴａもしくはＷから選ばれる高原子価数イオン、の両方で置換されてなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体分野における集積回路の高機能化に利用することができる低誘電率絶縁膜の形成材料及び形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の低誘電率絶縁膜の形成材料は、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン (ＴＭＣＴＳ) の全ての立体異性体分子の中で、Ｓｉ−Ｈ結合を構成する全ての水素原子４個がＳｉ−Ｏ環平面に対して同じ側にある立体異性体が１５％以上１００％以下含まれている。 （もっと読む）

本発明は、ｌｏｗ−ｋ誘電体高分子のクラッキングを最小限に抑制するプロセスに関する。実施の一形態では、プラズマ蒸着された酸化シリコンＳｉＯ_Ｘで不動態化された金属層（２２０）上に配置される複合誘電体（２３０，２４０，２５０，２６０）を半導体基板（２００）上に形成する方法がある。その方法は、プラズマ蒸着された酸化シリコンＳｉＯ_Ｘ（２２０）で保護された金属層（２１０）上にスピンオン誘電体からなる第１の所定の厚さの第１の層を堆積させるステップ（３１０，３２０）を含む。次に、第２の所定の厚さの薄い応力緩和層（２４０）が、スピンオン誘電体からなる第１の層（２３０）上に堆積される（３３０）。薄い応力緩和層（２３０）上には、スピンオン誘電体からなる第３の所定の厚さの第２の層（２５０）が堆積される（３４０，３５０）。ｌｏｗ−ｋスピンオン誘電体は、水素メチルシルセスキオキサン（ＨＳＱ）及びメチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）を含んでいてもよい。
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【課題】半導体デバイスの形成方法および該方法によって形成されたデバイスを提供すること。
【解決手段】第１の誘電材料（１２ａ〜ｆ）と第２の誘電材料（１４ａ〜ｆ）の互層を付着させる。ここで、第１の誘電材料と第２の誘電材料は異なる速度で選択的にエッチング可能である。誘電材料の互層内に第１のフィーチャ（２２、２４）を形成する。誘電材料の互層を選択的にエッチングして、第１の誘電材料を有するそれぞれの層内の第１の誘電材料の少なくとも一部分（２６）を除去し、第２の誘電材料は本質的にエッチングされていないままにしておく。 （もっと読む）

本発明は、チップス上にＳｉＯ₂含有絶縁層を形成させる方法および前記目的のための特殊な前駆体の使用に関する。更に、本発明は、前記方法で得ることができる絶縁層ならびにこのような絶縁層を備えたチップスに関する。 （もっと読む）

（１）少なくともフェニルへプタメチルシクロテトラシロキサン及び／又は２，６−シス−ジフェニルヘキサメチルシクロテトラシロキサンを含むシリコンレジンから成ることを特徴とする絶縁膜。
（２）２３０℃以下の温度で任意の粘度に調整したペースト状の前駆体の後、２００℃〜５００℃の温度で熱硬化することを特徴とする（１）記載の絶縁膜。
（３）前記前駆体と前記絶縁膜は、少なくとも一回、前記絶縁膜が硬化する温度以下で真空加熱処理を行うことを特徴とする（１）記載の絶縁膜。
（４）少なくともフェニルへプタメチルシクロテトラシロキサン及び／又は２，６−シス−ジフェニルヘキサメチルシクロテトラシロキサンを含むシリコンレジンを２３０℃以下の温度で数ｃｐｓから数万ｃｐｓの間で任意の粘度に調整する工程および２００℃〜５００℃の温度で熱硬化させる工程を実施することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
（５）前記絶縁膜を形成する工程において、少なくとも一回は、前記絶縁膜が硬化する温度以下で真空加熱処理を行うことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
（６）真空加熱処理は、２３０℃以下の温度で行うことを特徴とする（４）又は（５）記載の絶縁膜の形成方法。
以上により、層間割れや,ひび割れ,反り、剥離等が無く、絶縁性が良好で所望の膜厚を有する絶縁膜を提供すると共に基板上に、所望の膜厚を有しかつ、高抵抗で絶縁性良好な絶縁膜および絶縁膜を容易に形成できる。 （もっと読む）

半導体ディバイスの製造方法は相互に対向する第１及び第２の主表面を有する半導体基板を設けることを含む。この方法は、上記の半導体基板に少なくとも１つの溝と、第１メサおよび第２メサとを設けることを含む。この方法は、また、各溝の両側壁と底部とを酸化し、ドープされた酸化物を各溝ならびに第１および第２メサの頂部に沈着させて、沈着せられた酸化物が流動して、各第１メサのシリコンが完全に二酸化ケイ素に変換し、各第２メサのシリコンが部分的にのみ二酸化ケイ素に変換し、各溝には酸化物が充填される温度で、半導体基板を熱酸化させることを含む。 （もっと読む）

ゼオライトを形成する方法-炭素ドープ酸化物(CDO)混合物誘電材料についてここで説明する。ゼオライト粒子は溶媒中で分散可能である。ゼオライト溶媒溶液はたとえばウエハ又は他の誘電層のように基礎をなす層の上に堆積可能である。少なくともある程度の溶媒はゼオライト薄膜を形成するのに除去可能である。CDOはゼオライト-CDO混合膜/誘電体を形成するのにゼオライト膜中に堆積可能である。ゼオライト-CDO混合物膜/誘電体は固層ゼオライト-CDO混合物誘電体を形成するのに焼成することが可能である。
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【課題】誘電体膜を処理するための方法とシステムを提供する。
【解決手段】誘電体膜を処理するための方法とシステムは、誘電体膜の少なくとも一つの表面をＣ_ｘＨ_ｙ含有材料に露出することを有する。ｘとｙはそれぞれ１以上の整数である。エッチプロセスすなわちアッシングの結果、誘電体膜に形成された形態の露出表面は、ダメージを受けるか活性化するかして、汚染物質の保留・湿気の吸収・誘電率の上昇などを引き起こし得る。ダメージを受けた表面は、少なくとも、表面を修復して例えば誘電率を復活させる（すなわち誘電率を減少させる）か、表面を洗浄して汚染物質や湿気や残渣を取り去るかして処理する。さらに、膜中の形態のバリア層とメタリゼーションのための準備は、形態の側壁表面を被覆して、露出した空孔を閉じ、またバリア膜堆積用の表面を提供する処理を含んでもよい。 （もっと読む）

ビアの中に有機プラグを形成する方法について記述する。ビアはシリコン含有誘電体を含む集積回路（ＩＣ）構造中に存在する。有機プラグを形成する方法は底部反射防止膜等の有機化合物を塗布することを含む。その有機化合物はビアを占める。そして、その方法は反応装置に一酸化二窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを供給することに進み、そして反応装置中でプラズマを生成する。有機化合物の多くの部分が除去されて、ビアを占める有機プラグを残す。有機プラグは、典型的には、デュアルダマシンプロセスにおいて形成される。 （もっと読む）

【課題】ロール・トゥ・ロールプロセスでの使用に適応した高温安定性の平坦化フレキシブル誘電基板及びそれに用いる誘電被膜を提供すること。
【解決手段】式：［Ｒ_xＳｉＯ_(4-x)/2］_n（ここで、ｘ＝１〜４、Ｒはメチル、フェニル、ヒドリド、ヒドロキシ、アルコキシ又はこれらの組み合わせ（ただし、１＜ｘ＜４）で表されるシリコーン組成物を含む、導電性基板上に用いられる誘電被膜である。Ｒはまた、アルキル又はアリール基、アリールエーテル、アルキルエーテル、アリルアミド、アリールアミド、アルキルアミノ及びアリールアミノラジカルから独立して選ばれた他の１価ラジカルからなる。誘電被膜は網目構造を有する。光起電基板がまた開示され、その表面上に誘電被膜が設けられた導電性材料を含む。 （もっと読む）

本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＧ膜のＳi原子と有機基（例えばＣＨ₃基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】 低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Torrの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃuを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）