【課題】ウェハの反り量を低減することにより生産性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハ上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第１の配線９を形成する工程と、前記第１の配線及び前記絶縁膜の上に第１のＴＥＯＳ膜１０を成膜する工程と、前記第１のＴＥＯＳ膜上にＳＯＧ膜１１を塗布し、４３５〜４６５℃の温度で熱処理することにより、前記第１のＴＥＯＳ膜上に厚さ４５０〜５５０ｎｍのＳＯＧ膜を形成する工程と、前記ＳＯＧ膜の上に第２のＴＥＯＳ膜１２を成膜する工程と、前記第２のＴＥＯＳ膜上に第２の配線１５を形成する工程と、前記第２の配線及び前記第２のＴＥＯＳ膜の上に窒化シリコンからなる保護膜１６を成膜する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属配線の抵抗値の経時変化が小さく、金属配線の断線の原因となる膜収縮が小さい低誘電率シリカ系被膜を基材上に形成する。
【解決手段】 （ａ）基材上に特定のポリシラザンと、アルコールおよびアルコール以外の有機溶媒とを含んでなり、アルコールの重量（Ｗ_AL）とポリシラザンの固形分としての重量（Ｗ_PS）との重量比（Ｗ_AL）／（Ｗ_PS）が０．０００１〜０．００５の範囲にあるシリカ系被膜形成用塗布液を塗布する工程、および、（ｃ）次いで飽和水蒸気を供給しながら、過熱水蒸気の存在下、塗布膜を１８０〜４５０℃の温度条件下で加熱処理する工程、からなる。 （もっと読む）

【課題】 埋め込み性に優れ、かつ凹凸の緩和にも優れ、機械強度の高い電子部品を得るための塗布型シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】 （ａ）ＳｉＸ_４（Ｘは、加水分解性基を示し、同一でも異なっていてもよい）を加水分解重縮合して得られるシロキサン樹脂、
（ｂ）熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物であって、ポリオキシプロピレン単位を有する化合物、
（ｃ）前記（ａ）及び（ｂ）成分を共に溶解できる溶媒
からなる塗布型シリカ系被膜形成用組成物であって、（ｂ）成分の配合割合が（ａ）成分のシロキサン樹脂重量に対して３〜１５重量％である塗布型シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極同士の間隔が狭い場合においても、基板に損傷を与えることなく微細なコンタクトホールを安定して形成することが可能な半導体装置及びその製造方法を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、基板１１の上に互いに間隔をおいて形成されたゲート電極１３と、基板１１の上に、ゲート電極１３同士の間の領域を埋め且つゲート電極１３を覆うように形成された第１の絶縁膜１６と、第１の絶縁膜１６の上に下側から順次形成された第２の絶縁膜１７及び第３の絶縁膜１８と、第１の絶縁膜１６、第２の絶縁膜１７及び第３の絶縁膜１８を貫通し、ソース・ドレイン領域１５と電気的に接続されたコンタクトプラグ２２とを備えている。第１の絶縁膜１６は、水素原子を含み且つフッ素原子を含まないガスによりドライエッチング可能な材料からなる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、ポリマーＡと、ポリマーＢと、溶媒Ａ及び大気圧における沸点が溶媒Ａよりも低い溶媒Ｂと、を含み、かつ、以下の式（ｉ）及び（ｉｉ）を満たす。
前記ポリマーＡの溶媒Ａへの溶解度＞前記ポリマーＡの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉ）
前記ポリマーＢの溶媒Ａへの溶解度＜前記ポリマーＢの前記溶媒Ｂへの溶解度
・・・（ｉｉ） （もっと読む）

【課題】バリア層をさらに薄くしても、配線本体側からの銅の拡散や、絶縁膜側からの珪素の拡散に対する障壁作用を十分に保持して、絶縁膜の絶縁性確保、また配線の低抵抗化を実現することができ、それによって配線の線幅を減少させることができ、ＬＳＩの集積度も向上させることができるようにする。
【解決手段】この発明の銅配線は、シリコン基板の表面上に設けられ、珪素と酸素と炭素とを炭化水素基の形態で含むＳｉＯＣ絶縁層１０と、ＳｉＯＣ絶縁層１０上に形成され、添加元素の酸化物を含む銅合金からなるバリア層１５と、そのバリア層１５に接して形成され、銅を主成分としてなる配線本体１６とを備え、バリア層１５は、添加元素と炭素と水素とを含む酸化物からなり、その添加元素の原子濃度が最大となる当該バリア層内の厚さ方向の位置で、炭素と水素の各原子濃度が極大となる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率であり、かつ、機械強度に優れた膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（Ａ）で表される構造及び式（Ｂ）で表される構造を少なくとも１つ有する化合物、及び／又は、前記化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。式中、Ｒ¹はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル、フェニル、フェノキシ、ナフチル、アダマンチル、ジアマンチル又は式（Ｂ）で表される構造を表し、Ｒ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル、フェニル、フェノキシ、又は、重合性基を表し、少なくとも１つのＲ²は重合性基である。
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【課題】本発明は、絶縁膜、さらに詳しくは、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率などの膜特性に優れた絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】シロキサン構造を有する化合物を含む膜に周波数５．８ＧＨｚのマイクロウエーブを照射して形成される絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】膜厚の厚い絶縁膜を形成することが可能な無機被膜形成用組成物であって、低コストで絶縁膜を形成することが可能な無機被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）無機酸化物微粒子、及び（ｂ）バインダー化合物を含む無機固形分と、（ｃ）溶剤とからなる無機被膜形成用組成物であって、前記（ｂ）バインダー化合物が、ベーマイト型アルミナゾル、又は擬似ベーマイト型アルミナゾルを含む無機被膜形成用組成物。本発明の無機被膜形成用組成物によれば、膜厚の厚い絶縁膜を形成した場合でも、クラックを発生することがない。更に、シリコン基板上に形成された被膜の焼成後において、十分な硬度の絶縁膜を形成することができる。 （もっと読む）

構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する本発明の方法には殊に以下のステップが含まれる。すなわち、− 少なくとも１つの機能層（２２）を有する基板（１）を準備するステップと、− プラズマ支援原子堆積法（ＰＥＡＬＤ）を用いて上記の機能層（２２）に少なくとも１つの第１バリア層（３）を被着するステップと、− プラズマ支援化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を用いて前記の機能層（２２）に少なくとも１つの第２バリア層（４）を被着するステップとを有する。
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【課題】超低誘電率及び高硬度の特性を有するラメラ構造薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のラメラ構造薄膜は、シリカ層及び空気層がコーティングされるウェハ表面に垂直方向に交互に繰り返し積層されて構成される。また、ラメラ構造薄膜の製造方法は、超低誘電率、高硬度のラメラ構造薄膜の製造方法であって、シリカと界面活性剤の自己組立構造の形成を誘導するために、界面活性剤及びシリカ前駆体を含むシリカゾル溶液を攪拌する段階と、前記溶液をシリコンウェハにスピンコーティングする段階と、前記ウェハをエージングする段階と、界面活性剤と有機物を前記ウェハから除去する熱処理段階とから構成される。 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率を有し、かつ密着性に優れた積層体およびその製造方法、ならびに該積層体を含む半導体装置を提供する。
【解決手段】積層体は、シリカ系膜および有機系膜を含み、前記シリカ系膜と前記有機系膜とが、アルキル基、アシル基またはアリール基、と水素原子、フッ素原子、アルキル基、またはアリール基を有し２重結合を含む炭化水素基を有するアルコキシシランシラン化合物を硬化させて得られる層間膜を介して積層する。
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【課題】 異種ＳＯＧ材料を搭載するＳＯＧコート装置において、ノズルからの不所望なＳＯＧの滴下を防止し、かつ、結晶化または固化したパーティクルの塗布を防止する。
【解決手段】 ＳＯＧの供給方法は、ロットに対して第１のノズルから第１のスピンオンガラスを供給する処理を実行するとき、当該ロットへの処理の開始時または終了時に、第２のノズルから第２のスピンオンガラスを一定量だけ吐出するステップを含む。さらにＳＯＧの供給方法は、ロットに含まれる基板の処理開始時に第２のノズルを洗浄するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置内で使用される多孔性の低ｋの誘電体を形成すること。
【解決手段】 ポロゲン材料を包含する低ｋの誘電体フィルムから多孔性の低ｋの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低ｋの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。一実施形態では、該フィルムが、２４０ｎｍ未満の広帯域の紫外線照射へ露光される。他の実施形態では、低ｋの誘電体フィルムが、フィルムのマトリックスの架橋結合密度を高めるのに効果的な第一の照射パターンへ露光される。このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低ｋ誘電体を形成する方法であって、表面上に低ｋ誘電体を成膜し、低ｋ誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低ｋ誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低ｋ誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率シリカ系被膜のエッチング加工時に発生するシリカ系変性物やアッシング加工時に発生するレジスト分解物などの残渣除去、あるいはＣＭＰ加工時に発生する研磨屑などの残渣除去を目的として使用される洗浄液によって化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を修復する方法に関する。
【手段】 化学的なダメージを受けた低誘電率シリカ系被膜を有する基板またはデバイスを容器内に収納し、さらに該容器内に過熱水蒸気を導入して前記シリカ系被膜を加熱処理することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜のダメージ修復方法および該方法により修復された低誘電率シリカ系被膜。 （もっと読む）

【課題】保存期間中に変性し難い膜形成用組成物、および当該組成物から得られるシリカ系膜を提供する。
【解決手段】膜形成用組成物は、ケイ素原子と炭素原子とが交互に連続してなる主鎖を有し、かつ、下記一般式（１）で表される構造単位、および（１）式のＨがＣＨ_３およびＯＨおよびＯＲ（Ｒは１価の炭化水素基を示す）に置換わった構造単位をそれぞれ含むポリカルボシランと、下記一般式（５）で表される化合物群から選ばれた少なくとも１つの有機溶剤と、を含む。


・・・・・（１）Ｒ¹Ｏ（ＣＨＣＨ_３ＣＨ_２Ｏ）_aＲ^２ ・・・・・（５） （もっと読む）

【課題】従来よりも低温で、または加熱により迅速に緻密なシリカ質膜を形成させることができポリシラザン化合物含有組成物の提供。
【解決手段】ポリシラザン化合物と特定のアミン化合物と溶媒とを含んでなるポリシラザン化合物含有組成物と、それを基板上に塗布し、シリカ質物質に転化させるシリカ質物質の形成方法。特定のアミン化合物は、ふたつのアミン基の間隔が、Ｃ−Ｃ結合５つに相当する距離以上であることが好ましく、アミン基は炭化水素基により置換されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、疎水化処理時間が短縮され、かつ、比誘電率の上昇が抑制された疎水化多孔質膜をえることができない。
【解決手段】 基板１上に有機シリカ絶縁膜２を形成する工程と、有機シリカ絶縁膜２が形成された基板１が配置された装置内で基板１の温度をシリル化ガスの露点温度以上気化温度以下として、装置内へシリル化ガスと不活性ガスとからなる混合ガス３を導入する工程と、装置内への混合ガス３の導入を停止する工程と、有機シリカ絶縁膜２が形成された基板１を加熱する工程と、を含むことによって、有機シリカ絶縁膜２の表面および細孔の表面が疎水化され、比誘電率の上昇が抑制された疎水化有機シリカ絶縁膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】３．７以下の誘電率を有するシリカ系の材料及び膜、並びにそれを作製及び使用するための組成物及び方法を提供すること。
【解決手段】シリカ系材料を調製するための組成物であって、少なくとも１つのシリカ源と、溶剤と、少なくとも１つのポロゲンと、任意選択で触媒と、任意選択で流動添加剤とを含み、該溶剤が、９０℃〜１７０℃の温度で沸騰し、化学式、ＨＯ−ＣＨＲ⁸−ＣＨＲ⁹−ＣＨ₂−ＣＨＲ¹⁰Ｒ¹¹（式中、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、独立して１〜４個の炭素原子のアルキル基又は水素原子であることができる）；Ｒ¹²−ＣＯ−Ｒ¹³（式中、Ｒ¹²は３〜６個の炭素原子を有する炭化水素基であり；Ｒ¹³は１〜３個の炭素原子を有する炭化水素基である）；及びそれらの混合物によって表される化合物から成る群より選択された組成物によって上記課題を解決する。 （もっと読む）