【課題】ハイブリッド埋め込みプロセスを用いて、分離性能の高い素子分離構造を得る。
【解決手段】トランジスタ間を分離する素子分離構造１３を有する半導体装置１の製造方法であって、素子分離構造１３を形成する工程は、基板Ｗに形成された溝部１５の底部に第１の絶縁部３２を埋め込む工程と、第１の絶縁部３２の上に第２の絶縁部３４を埋め込む工程を有し、溝部１５の底部に第１の絶縁部３２を埋め込む工程は、第１の絶縁部３２の材料３１を基板Ｗの表面に成膜する工程と、溝部１５の上部から第１の絶縁部３２の材料３１を除去する工程と、溝部１５の上部において、溝部１５の内壁に付着していた第１の絶縁部３２の材料３１の残留層３２ａを除去する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜にコンタクトを形成する際のポイズンドビアの発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板４２上に配置した複数の下層配線４６とその間隙４７とを覆って、有機ＳＯＧ膜を塗布し平坦化する。有機ＳＯＧ膜をイオン注入により改質し、コンタクトホール５６より深い位置まで改質ＳＯＧ膜５２に変える。特に、下層配線４６の上からずれて形成されるコンタクトホール５６ｂは、下層配線４６の上面より低い位置まで到達する。改質ＳＯＧ膜５２は、このコンタクトホール５６ｂが到達する深さより深い位置まで形成される。この改質ＳＯＧ膜５２の形成後、コンタクトホール５６が形成される。コンタクトホール５６の内部には、未改質の有機ＳＯＧ膜５０が現れず、プラグ６０を埋め込む際にポイズンドビアとなることが防止される。 （もっと読む）

【課題】炭素を含むシリコン系酸化物を用いた絶縁膜の形成方法において、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】基板２の上に導電層３を形成した後、インクジェット法により、炭素を含むシリコン系酸化物を含むインクを塗布する。次いで、真空中でインクに対して第１の熱処理を行い、インクに含まれる炭素成分を除去する。その後、第２の熱処理を行って隔壁５を形成する。第１の熱処理は、８０℃〜１００℃の温度で行うことができる。また、第２の熱処理は、３００℃〜４００℃の温度で行うことができる。炭素を含むシリコン系酸化物は、アルキルシルセスキオキサン、アルキルシロキサンまたはオルガノポリシロキサンとすることができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で信頼性の高い積層絶縁膜構造体および多層配線を得ることができる。また、この多層配線により、特に半導体装置等の応答速度の高速化に寄与することができる。
【解決手段】基板上に多孔質絶縁膜前駆体の層を形成し、特定のシリコン化合物の層を形成し、必要に応じてそのシリコン化合物の層をプリキュアし、シリコン化合物の層またはプリキュア層を介して多孔質絶縁膜前駆体に紫外線を照射する。 （もっと読む）

【課題】基板上にシリコンを含む低誘電率膜を塗布法により形成するにあたり、簡便な方法により低誘電率膜中に気孔を形成すること。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体であるシリコンを含む化合物の塗布液中に、負電荷を持ち、かつ浮力がほぼゼロの極めて小さな気泡であるナノバブルを導入し、この塗布液を基板上に塗布した後に、基板を加熱して低誘電率膜を形成する。このナノバブルが負電荷を持っているので、凝集しにくく、溶液中に均一に分散し、また基板の加熱後にも気泡として低誘電率膜中に取り込まれるため、均一で小さな気孔を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】十分に低い比誘電率及び良好な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるとともに、凹凸面を覆うシリカ系被膜を形成したときの凹凸緩和性に優れるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（ａ）成分：テトラアルコキシシラン及びオルガノトリアルコキシシランを含むアルコキシシランを、マレイン酸及び／又はマロン酸の存在下に加水分解重縮合して得られる、５００〜１５００の重量平均分子量を有するシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：アンモニウム塩とを含有する塗布型のシリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】ポリ（ジオルガノ）シロキサンと金属アルコキシドから形成される有機修飾シリケートの１μｍ以上の厚膜で、相分離による凹凸が生じず、低いヤング率で基板の変形にも追従できる柔軟性を有し、電子デバイス等の微細部品を実装できる膜表面の平坦性の高い有機修飾シリケート絶縁膜を形成できる表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液を提供。
【解決手段】質量平均分子量が900以上10000以下であるポリ（ジオルガノ）シロキサンＡと金属アルコキシドＢを有機溶媒Ｃに溶解し、さらに水を添加してなる塗布溶液であって、金属アルコキシドＢ１モルに対するポリ（ジオルガノ）シロキサンＡのモル比Ａ／Ｂが0.05以上1.5以下であり、前記有機溶媒Ｃが水酸基を有し、有機溶媒Ｃ100ｇに対する水の溶解度が３〜20ｇで、ポリ（ジオルガノ）シロキサンＡ１モルに対する有機溶媒Ｃのモル比Ｃ／Ａが0.05〜100である表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液。 （もっと読む）

【課題】 低比誘電率と高機械的強度とを併せ持ち、光機能材料、電子機能材料などに好適に使用できる多孔質シリカおよび多孔質シリカフィルムの製造方法、および該多孔質シリカフィルムを用いる層間絶縁膜、半導体用材料および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｏ結合を主骨格とするアルキル基を含有する多孔質シリカフィルム中の原子の結合状態を赤外吸収スペクトルでシリカフィルム表面に起因する特定の吸収ピークの波数を規定することによって、低い比誘電率および高い機械的強度を併せ持ち、光機能材料、電子機能材料などとして有用な多孔質シリカフィルムを再現性良く製造できる。 （もっと読む）

【課題】素子特性の信頼性を向上できるようにする。
【解決手段】シリコン炭窒化膜１０がシリコン酸化膜９（９ａ、９ｂ）の上に形成されている。シリコン炭窒化膜１０は、その比誘電率が低いため、シリコン炭窒化膜１０が隣り合うゲート電極ＭＧ−ＭＧ間のシリコン酸化膜９ｂの内側に形成されたとしても隣り合うゲート電極ＭＧ−ＭＧ間の寄生容量を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】
多孔質シリカ前駆体膜を用い、研磨を行なってもマイクロスクラッチや剥離の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体ウエハの下地上に、ノンテンプレートタイプの多孔質シリカ前駆体膜をスピン塗布する工程と、（ｂ）多孔質シリカ前駆体膜の外周から内側に向けて走査しつつリンス液を噴射する工程を含み、多孔質シリカ前駆体膜の外周部で外側に向かって厚さが減少する傾斜部を形成する工程と、（ｃ）多孔質シリカ前駆体膜をキュア処理して多孔質シリカ膜に変換する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、低比誘電率であり、かつ機械的強度に優れた絶縁膜形成用組成物ならびにシリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物１００〜１０モル％及び（Ｂ）成分；下記一般式（２）で表される化合物０〜９０モル％を加水分解縮合して得られたポリマーと、有機溶媒と、を含有する。Ｒ^１_ａＸ_３−ａＳｉ−（Ｒ^３）_ｃ−ＳｉＸ’_３−ｂＲ^２_ｂ ・・・・・（１） （式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、Ｘ、Ｘ’はハロゲン原子を表し、Ｒ^３は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ｍは１〜６の整数）を表し、ａ、ｂは０〜３の整数を示し、ｃは０または１を示す。）Ｒ^４_ｄＳｉＸ”_４−ｄ ・・・・・（２） （式中、Ｒ^４は前記Ｒ^１、Ｒ^２と同じ基を表し、Ｘ”はハロゲン原子またはアルコキシル基を表し、ｄは０〜３の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】半導体素デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率等の膜特性に優れた絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、炭素−炭素不飽和結合を有する耐熱性有機高分子化合物および有機溶剤を含む。該組成物を基板上に塗布した後、硬膜することにより絶縁膜を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】純度の高い水蒸気を大流量をもって供給する。
【解決手段】ウエハ１を処理する処理炉１０に水蒸気を供給する水蒸気発生装置４９は、酸素と水素とを燃焼させて水蒸気を生成する燃焼装置５０と、燃焼装置５０により生成した水蒸気を液化させる液化部７０と、液化部７０にて液化した超純水７６を貯留する貯留部７１と、貯留部７１にて貯留した超純水７６を気化して高純度の水蒸気７７を大流量をもって発生させる気化部としてのヒータ７４とを備えており、大流量かつ高純度の水蒸気７７を水蒸気供給管７５によって処理炉１０内に供給する。大流量かつ高純度の水蒸気を供給することにより、ウエハ１に所望のアニールを施すことができる。
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【解決課題】 通常の半導体プロセスに用いられる方法によって、従来の材料では得ることが難しかった誘電特性と機械強度特性が共に優れる多孔質膜を与えるシリカゾル、膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 従来の多孔質膜形成用塗布液に、一般式Ｓｉ（ＯＲ¹）₄、 Ｒ²_nＳｉ（ＯＲ³）_4-n（式中、Ｒ¹，Ｒ²，Ｒ³は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、分子中に複数個含まれている場合は各々独立して互いに同じでも異なってもよい。）で表されるシラン化合物を親水性塩基触媒及び疎水性塩基触媒の存在下加水分解／縮合してシリカゾルを製造する。
このシリカゾルを含む多孔質膜形成用組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 通常の半導体製造プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、機械強度及び誘電特性に優れた新たな多孔質膜形成用塗布液、及びこの多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１） Ｓｉ（ＯＲ¹）₄ （１）で表される４官能性アルコキシシラン化合物、及び、下記一般式（２） Ｒ²_nＳｉ（ＯＲ³）_4-n （２）で表されるアルコキシシラン化合物をそれぞれ少なくとも１種以上含む加水分解性シラン化合物を、酸性触媒の存在下、大過剰の水を含む反応液中で加水分解及び縮合を行って得たポリシロキサン化合物と酸化ケイ素系微粒子とを含有する多孔質膜形成用組成物である。 （もっと読む）

【解決課題】 工業的に好ましい材料であるシロキサン重合体を用いて、従来のシロキサン重合体によるものよりも機械強度に優れる多孔質膜を形成し得る、新たな方法により合成されたシロキサン重合体、それを含有する膜形成用組成物、多孔質膜の形成方法及び形成された多孔質膜、並びに、この多孔質膜を内蔵する高性能かつ高信頼性を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 加水分解性シラン化合物の加水分解縮合によるシロキサン重合体の製造方法において、一般式（１）
（ＳｉＯ_1.5−Ｏ）_n^n-Ｘ⁺_n （１）
（但し、ＸはＮＲ₄を表し、Ｒは炭素数１〜４の直鎖状または分岐状のアルキル基を表し、各々独立して互いに同じでも異なってもよい。また、ｎは６から２４の整数を表す。）
で表されるシルセスキオキサンのケージ化合物塩を準備し、該シルセスキオキサンのケージ化合物塩に、加水分解性シランを加水分解して縮合したシロキサン重合体を用いる。 （もっと読む）

ＩＣの適用において薄膜として、および他の類似した適用のために適切である薄膜を開示する。特に、本発明は２またはそれよりも多くのシリコン化合物の加水分解によって得ることができる組成物を備える薄膜に関連し、それは少なくとも部分的に架橋されたシロキサン構造を産生する。本発明はまた、適切な反応物の加水分解によってシロキサン組成物を調製することによって、薄層の形態において基材上に加水分解された組成物を適用することによって、そして高いシリコン含量のフィルムを形成するために層をキュアすることによって、そのようなフィルムを生産するための方法に関連する。 （もっと読む）

【課題】低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、（ａ）成分：式（１）；Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎ（Ｒ^１は、Ｈ原子若しくはＦ原子、又はＢ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子若しくはＴｉ原子を含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、ｎが２のとき各Ｒ^１は同一でも異なってもよく、ｎが０〜２のとき各Ｘは同一でも異なってもよい）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、（ｃ）成分：オニウム塩と、（ｄ）成分：２５０〜５００℃で熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物とを含有し、オニウム塩の含有量はシリカ系被膜形成用組成物全量に対して０．００１ｐｐｍ〜５％である。 （もっと読む）

【課題】高集積化および多層化が望まれている半導体素子などにおいて好適に用いることができ、貯蔵安定性に優れ、かつ、低比誘電率であり、機械的強度に優れた絶縁膜の形成に用いることができる絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）成分；下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物５０〜１００モル％と、（Ｂ）成分；他の加水分解性シラン化合物０〜５０モル％とを加水分解縮合して得られた加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含み、ｐＨが３．０〜５．０の範囲にあり、かつ、含有水分量が２質量％以下である。
Ｓｉ（ＯＲ^１）_４ ・・・・・（１）
（式中、Ｒ^１は１価の有機基を示す。）
Ｒ^２_ａ（Ｒ^３Ｏ）_３−ａＳｉ−（Ｒ^６）_ｃ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｂＲ^５_ｂ ・・・（２）
（式中、Ｒ^２〜Ｒ^５は同一または異なり、それぞれ１価の有機基を示し、ａおよびｂは同一または異なり、０〜１の数を示し、Ｒ^６は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｍ−で表される基（ここで、ｍは１〜６の整数である。）を表し、ｃは０または１を示す。） （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、低比誘電率であり、機械的強度に優れた絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物および下記一般式（２）で表される化合物の群から選ばれた少なくとも１種のシラン化合物５０〜１００モル％と他のシラン化合物０〜５０モル％とを加水分解縮合して得られた第１の加水分解縮合物と、下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシラン化合物３０〜１００モル％と他のシラン化合物０〜３０モル％とを加水分解縮合して得られた第２の加水分解縮合物と、有機溶媒と、を含み、前記第２の加水分解縮合物の分子量は、前記第１の加水分解縮合物の分子量より大きい。Ｓｉ（ＯＲ^１）_４ ・・・・・（１）Ｒ^２_ａ（Ｒ^３Ｏ）_３−ａＳｉ−（Ｒ^６）_ｃ−Ｓｉ（ＯＲ^４）_３−ｂＲ^５_ｂ ・・・（２） （もっと読む）