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Fターム[5F058BD07]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機積層絶縁膜の構造、材料 (4,921) | 少なくとも一層が酸化物 (2,674) | ガラス (218)

Fターム[5F058BD07]に分類される特許

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【課題】 酸素の含有量の少ないシリコンカーバイドからなる絶縁膜の上に、低誘電率絶縁材料からなる膜を形成する場合にも、十分な密着性を得ることができる絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、シリコンカーバイド、酸素含有シリコンカーバイド、シリコンオキシカーバイドからなる群より選択された絶縁材料からなる第1の膜を形成する。第1の膜の上に、比誘電率が2.7以下の低誘電率絶縁材料で形成されている絶縁膜であるか、または塗布法により形成される絶縁膜である第2の膜を形成する。第2の膜が形成された基板を、水素プラズマに晒す。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された所定のパターン上に塗布膜を形成するにあたって、当該塗布膜の表面を平坦化する。
【解決手段】塗布処理装置24の処理容器150の内部には、ウェハWを水平に真空吸着保持するスピンチャック120が設けられている。スピンチャック120の上方には、ウェハW表面の中心部に液体状の塗布膜形成成分を含む塗布液を塗布するための塗布ノズル130が配置されている。処理容器150内の上方には、スピンチャック120上のウェハWに対して紫外線を照射する照射部110が設けられている。塗布ノズル130からウェハWのパターン上に塗布液が塗布された後、塗布された塗布液に対して照射部110から紫外線が照射され、塗布膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】 シール効果の高い保護膜を有するエピタキシャルウエーハを、特別な工程が必要なく、低コストで、ウエーハ品質を高く保って製造する方法及びこれにより得られるエピタキシャルウエーハを提供する。
【解決手段】 半導体基板の裏面にオートドーピング防止のための保護膜を有し、表面にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウエーハにおいて、前記保護膜が、液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材が硬化して形成された酸化膜であるエピタキシャルウエーハ、及び、少なくとも、半導体基板の裏面に保護膜を形成する工程と、前記半導体基板の表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有するエピタキシャルウエーハの製造方法において、前記保護膜形成工程を、前記半導体基板の裏面に液体状の無機ポリマーからなるシリカガラス材を塗布し、該液体状のシリカガラス材を硬化して酸化膜を形成することによって行うエピタキシャルウエーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】SOG膜からの脱ガスによる配線不良が生じている確率が高い半導体ウェハ又は半導体チップを検出することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1絶縁膜8上に配線パターン9a及びTEGパターン9bを形成する工程と、第2絶縁膜10をCVD法により形成する工程と、第2絶縁膜10の凹部内にSOGからなる第3絶縁膜11を形成する工程と、第2絶縁膜10上及び第3絶縁膜11上に、第4絶縁膜12をCVD法により形成する工程と、配線パターン9a上に位置する第1接続孔14a、及びTEGパターン9b上に位置するTEG用第1接続孔14bを形成する工程と、層間絶縁膜14を加熱しつつ導電膜15を形成する工程とを具備する。TEGパターン9bは、配線パターン9aにおける最小の配線間隔以下の間隔で、複数の第1線状パターンを互いに平行に配置した構成を有する。 (もっと読む)


接触平坦化装置は、下シートアセンブリ、上シートアセンブリ、差圧アセンブリおよび硬化またはリフローアセンブリを含む。下シートアセンブリは、平坦化される回路基板を支持し、差圧アセンブリの作用により、それを上シートアセンブリの方へ偏らせる。上シートアセンブリは、差圧アセンブリの作用により、回路基板上のコーティングを平坦化するものであり、差圧アセンブリによって適用された真空力を通して、回路基板ステージの上、かつ、硬化またはリフローアセンブリの下に支持された可撓シートを含む。差圧アセンブリは、真空および圧力の応用を通して、回路基板上のコーティングを完全に平坦化するため相対的に下および上シートアセンブリを移動させる。差圧アセンブリは、上シートの上面の上に配置された上部圧力チャンバ、下シートの下面の下に配置された下部圧力チャンバ、および上シートの下面と下シートの上面との間に概して配置された中央圧力チャンバを含む。
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【課題】 より高品質なゲート絶縁膜の製造方法、これを有する有機トランジスタの製造方法、有機EL表示装置の製造方法、ディスプレイを提供することを提供する。
【解決手段】 ゲート電極52と、ゲート絶縁膜54、有機半導体層56、ソース電極58、ドレイン電極60とから形成されている有機TFT50は、ゲート絶縁膜54について、金属酸化物粒子30とバインダー樹脂とを含み、前記ゲート絶縁膜54の構成材料となる塗布膜32を塗布し、モールド表面42により塗布された塗布膜32の表面を押圧して製造する。 (もっと読む)


【課題】シリコン酸化膜を用いた層間絶縁膜の膜厚がウェハ面内でばらついたとしても、また、ウエットエッチング時間がウェハ面内で差が生じたとしても、多層配線のための層間絶縁膜に対する開口を安定した形状で形成することが可能な構造を提供する。
【解決手段】表面に素子領域を有する半導体基板と、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられた第1の配線層と、第1の配線層上に設けられたプラズマシリコン窒化膜と、プラズマシリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜と、プラズマシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜を貫通するエッチングによって形成された開口と、少なくとも開口を埋めて形成された第2の配線層とを有する。 (もっと読む)


【課題】誘電率を低くするとともに、機械強度および電気特性を向上することができるシリカ系被膜等の被膜の形成方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る被膜の形成方法は、被膜形成用組成物を基材に塗布する塗布工程と、上記基材に塗布した被膜形成用組成物を300℃以下で乾燥する乾燥工程と、乾燥した被膜形成用組成物に対して、350℃以上で加熱しながら、紫外線を照射する照射工程とを包含している。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスタ用に低温処理可能なまたは溶液処理または印刷可能なゲート絶縁体として使用でき、また、薄膜トランジスタまたは他のエレクトロニクスデバイス用のステンレス鋼箔の平坦化にも使用できる配合物を提供すること。
【解決手段】135℃から250℃で硬化し、そのうえ、処理温度の低下にもかかわらず良好なリーク電流密度値(9×10-9A/cm2から1×10-10A/cm2)を与えるゾルゲルシリケート前駆体の特定の組み合わせを含んでなるように構成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第1の絶縁膜とCuの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第2の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】ケイ素を含む第1の絶縁膜を形成する工程(A)と、該第1の絶縁膜の上に第2の絶縁膜に積層する工程(A)と、非酸化雰囲気下で紫外線を照射する工程(B)と、を順次含むことを特徴とする積層構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】UVキュアを実施するチャンバー内の雰囲気ガスに着目し、Low−k膜の機械的強度を向上させるための具体的な製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜3を形成した状態の半導体基板SBをチャンバー内に収容し、大量の窒素ガスをチャンバー内に導入してチャンバー内の空気等をパージし、チャンバー内の雰囲気ガスを窒素ガスに置換する。その後、窒素パージにより大気圧あるいは大気圧より若干陽圧に調整されたチャンバー内に微量な酸素ガスを導入してUVキュアを実施する。酸素ガスの導入に際しては、流量計を用いて流量を制御しながら酸素ガスを導入し、チャンバー内の酸素濃度が5ppm〜400ppmの範囲で一定値となるように流量計を用いて調整を行う。 (もっと読む)


【課題】 良好な特性を有するシリカ系絶縁膜やLow−k膜などの形成に適するポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法を提供する。
【解決手段】 ポリシラザンまたはポリシラザン溶液の取り扱い方法は、外気から遮蔽され、且つアミン、塩基性物質、揮発性有機化合物、酸性物質を除去された空気を主たる空気の供給源とする第1空間内で、少なくともポリシラザンの合成およびポリシラザン溶液の調合を含むポリシラザンまたはポリシラザン溶液を取り扱う工程を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、膜特性に優れた絶縁膜が形成可能な組成物等を提供する。
【解決手段】式(I)〜(IV)表される化合物のうちの少なくともいずれかの重合物を含む組成物、該組成物を用いた膜製造方法、該方法で製造された膜、該を含む半導体デバイス。RSi (I)RSi-(X-SiR-X-Si-R (II)* -(X-SiR- * (III)m・RSi(O0.5)3 (IV)(式(I)〜(IV)中、Rは非加水分解性基、Xは−O−等、mは0以上の整数、nは2〜16の整数を表し、式(III)の*同士は結合して環を形成し、式(IV)は、m個のRSi(O0.5)3ユニットを有し、各ユニットが、各ユニットにおける酸素原子を共有して他のユニットに連結しカゴ構造を形成している化合物を表し、mは8〜16の整数を表す。 (もっと読む)


【課題】低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、(a)成分:式(1);RSiX4−n、(Rは、H若しくはF、又はB、N、Al、P、Si、Ge若しくはTiを含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示し、nが2のとき、各Rは同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい)で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)成分:(a)成分を溶解可能な溶媒と、(e)成分:ヒドロキシル基を含む側鎖を有する重合体と、を備え、重合体が、式(2);0<MOH<0.4×10−2、MOH:重合体における前記ヒドロキシル基の濃度(mol/g)、で表される関係を満たす。 (もっと読む)


【課題】 HSQ膜上の微細パターンが高温度でも維持されるようにするパターン形成方法、および高温度でも維持されるように微細パターンが形成されたパターン形成体を提供する。
【解決手段】 まず基板1上のHSQ膜2に、モールド8を押し当てるナノインプリント法によって微細パターン2aの付与を行う。モールド8を剥離したのち、HSQ膜2の加熱過程をはさむことなく、微細パターン2a(HSQ膜2)の表面に酸素照射を行う。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率が3.0以下と小さく、しかもヤング弾性率が3.0 GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 (a)テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、(b)必要に応じて、前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を25〜340℃の温度条件下で乾燥する工程、(c)前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を105〜450℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および(d)必要に応じて、前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を350〜450℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】 比誘電率が3.0以下と小さく、しかもヤング弾性率が3.0 GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。
【解決手段】 (a)テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、(b)前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を25〜340℃の温度条件下で乾燥する工程、(c)前記装置内に水蒸気を導入し、前記被膜を105〜450℃の温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および(d)前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を350〜450℃の温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】安定性の高い、不純物を添加したシリコン酸化物のスピンコーティング用の前駆溶液を提供すること。
【解決手段】不純物が添加されたシリコン酸化物前駆体溶液を用いて、不純物が添加されたシリコン酸化薄膜を製造する方法は、有機酸にシリコン原料を混合する工程12と2−メトキシエチルエーテルを加えて、準備的な前駆溶液を調製する工程14とを含む。準備的な前駆溶液は、加熱および攪拌16され、ろ過18される。2−メトキシエタノールにドーピング不純物を溶解20させて、不純物が添加された原料溶液を調製する。不純物が添加された原料溶液を準備的な前駆溶液と混合22して、不純物が添加されたシリコン酸化物の溶液を調製する。不純物が添加されたシリコン酸化物の薄膜は、スピンコーティングによってウェーハ上に形成24される。薄膜およびウェーハは、漸次的に温度を上昇させながら焼成26された後、アニール28される。 (もっと読む)


【課題】溝幅に拘わらず、素子分離溝内に埋め込まれる絶縁膜の窪み、高さの変動などによる素子分離構造の形状劣化を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板30に、溝パターンを有するマスク部材32を用いて素子分離用溝33を形成する工程、過水素化シラザン重合体と溶媒とを含む塗膜から溶媒を揮発させて変換され、素子分離用溝33の底部からの距離が600nm未満の平坦な表面を有するポリシラザン膜35を、半導体基板30上に形成する工程、前記ポリシラザン膜35を、水蒸気を含む雰囲気中で第1の温度に保持する低温熱処理工程、および、前記低温熱処理後の前記ポリシラン膜35を、水蒸気を含む雰囲気中で前記第1の温度より高い第2の温度に保持して高温熱処理し、酸化シリコン膜36に変化させる工程を具備する。 (もっと読む)


【課題】 低誘電率、高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式:Si(OR)及びR(Si)(OR)4−a(式中、Rは1価の有機基を表し、Rは水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表し、Rは1価の有機基を表し、aは1〜3の整数であり、R、R及びRは同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、尿素等とを含む。この前駆体組成物から得られた多孔質膜に対して紫外線照射した後、疎水性化合物を気相反応させる。得られた多孔質膜を用いて半導体装置を得る。 (もっと読む)


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