【課題】 低誘電率、高機械的強度を有し、疎水性の改良された多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式：Ｓｉ(ＯＲ^１)_４及びＲ_ａ(Ｓｉ)(ＯＲ^２)_４−ａ(式中、Ｒ^１は１価の有機基を表し、Ｒは水素原子、フッ素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ^２は１価の有機基を表し、ａは１〜３の整数であり、Ｒ、Ｒ^１及びＲ^２は同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた化合物と、熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、尿素等とを含む。この前駆体組成物から得られた多孔質膜に対して紫外線照射した後、疎水性化合物を気相反応させる。得られた多孔質膜を用いて半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に記憶された情報のセキュリティ性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板２０上に多層配線層を形成する。そして、多層配線層のうち最上層配線層に配線４２を形成する。配線４２上に酸化シリコン膜４３、有色薄膜４４および酸化シリコン膜４５を順次形成し、酸化シリコン膜４５上に表面保護膜となる窒化シリコン膜４６を形成する。すなわち、本発明の特徴は、最上層配線層を構成する配線４２と表面保護膜となる窒化シリコン膜４６の間に有色薄膜４４を形成する。この有色薄膜４４は、可視光および特定波長域のレーザ光を減衰させる機能を有し、例えば、酸化コバルトを含有する酸化シリコン膜より形成する。 （もっと読む）

【課題】配線用溝の深さ制御が容易で、誘電率が低く、かつリーク電流が増加しにくい多孔質の絶縁層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層５は、半導体基板１上に形成され、かつビア用貫通孔５ａを有している。多孔質シリカ層６は、ビア用貫通孔５ａに連通する配線用溝６ａを有し、かつ絶縁層５上に接して形成されている。導電層８は、ビア用貫通孔５ａ内および配線用溝６ａ内に形成されている。絶縁層５は、炭素と水素と酸素とシリコンとを含み、かつＦＴ−ＩＲにより測定したときに１２７４ｎｍ付近にＳｉ−ＣＨ₃結合に起因する吸収ピークを有する材質よりなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子などに層間絶縁膜として用いられる低比誘電率のシリカ系被膜に損傷を与えずに研磨するための化学的機械的平坦化方法を提供する。
【解決手段】加水分解性基を置換基として有するシラン化合物（Ａ）を塩基性化合物の存在下で縮合させたシロキサン樹脂と、第２級アルコール又は第３級アルコールと、を含有してなる被膜形成用組成物を塗設して得られたシリカ系皮膜を層間絶縁膜として用いた半導体集積回路を、ジカルボン酸を含む研磨液で研磨することを特徴とする化学的機械的平坦化方法。 （もっと読む）

【課題】吸湿性および比誘電率が低く、エッチング耐性および薬液耐性に優れ、かつ、機械的強度に優れた絶縁膜を形成することができる絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成用組成物は、（Ａ）下記一般式（１）で表される少なくとも１種のシランモノマーと、（Ｂ）加水分解性基含有カルボシランとを共縮合することによって得られたポリマーと、有機溶剤と、を含有する。
【化１】


・・・・・（１） （もっと読む）

【課題】ストライエーションの生じ難い金属酸化物前駆体溶液を提供する。また、金属酸化膜の成膜性や特性を向上させる。
【解決手段】基板１上に金属酸化物前駆体溶液３をスピンコート法で塗布し、乾燥および焼成を施し、金属酸化膜３ａを形成する際、金属酸化物前駆体溶液３を２０℃における蒸気圧が０．５ｈＰａ以下であり、より好ましくは、２０℃おける粘性が２０ｃＰ以下である溶液とする。また、当該溶液に用いる溶媒の主溶媒を２０℃における蒸気圧が０．５ｈＰａ以下であり、より好ましくは、２０℃おける粘性が２０ｃＰ以下とすることによりストライエーションの低減および成膜性の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で均一な塗膜性に優れる絶縁膜を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物及び／またはその加水分解物及び／またはそれらの縮合物と有機溶剤を含む膜形成用組成物であって、該化合物及び／またはその加水分解物及び／またはそれらの縮合物が粒径２ｎｍから１５ｎｍの粒子状物である。


（Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は水素原子または任意の置換基を表す。Ｘ₁は炭素原子またはケイ素原子を表す。Ｌ₁は２価の連結基を表す。Ｒ₁、Ｒ₂のうち少なくとも１つは加水分解性基を表す。ｍは０または１を表し、ｍが０の場合ｎは３〜５の整数を表し、ｍが１の場合ｎは２〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】低減された誘電率を有する誘電体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の態様では、低減された誘電率を有する誘電体を製造する第１の方法を提供する。第１の方法は、（１）基板上のトレンチを含む誘電体層を形成するステップと、（２）誘電体の実効誘電率を減少させるために、トレンチの側壁および底部のうちの少なくとも一方に沿って、誘電体層内に複数の空隙を形成することにより、誘電体層内にクラッディング領域を形成するステップとを含む。他の多数の態様を提供する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率で、かつ、優れた耐ストレス性と優れた耐クラック性とを有する半導体装置用絶縁膜を得ることができる絶縁膜形成用組成物、その絶縁膜形成用組成物から得られる半導体装置用絶縁膜および、その半導体装置用絶縁膜を利用して得られる高品質で信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】 本絶縁膜形成用組成物は、実質的に炭素とケイ素と水素とのみからなる鎖部分を主鎖とし、かつ、主鎖以外の部分に窒素を含有するポリマーを含んでなる。ポリマー中に、窒素が、式１で表される構造要素として存在することが好ましい。
【化１７】
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【課題】
層間絶縁膜に用いる低誘電率膜の機械的強度を増加する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、（ａ）複数の半導体素子を形成した半導体基板上方に下層絶縁膜を塗布する工程と、（ｂ）前記下層絶縁膜を処理して機械的強度を増加させる工程と、（ｃ）前記下層絶縁膜上方に、上層絶縁膜を塗布する工程と、（ｄ）前記上層絶縁膜中に配線パターン、前記下層絶縁膜中にビア導電体を有する埋め込み配線を形成する工程と、を含む。機械的強度を増加させる処理は、紫外線照射、水素プラズマ処理を含む。 （もっと読む）

【課題】多層配線、半導体装置等に好適に用いられ、露光光、例えば紫外線の吸収性が高い露光光遮蔽膜形成用材料等の提供。
【解決手段】露光光遮蔽膜形成用材料は、構造式（１）で表されるシリコン化合物及び構造式（２）で表されるシリコン化合物のいずれかを含んでなり、Ｒ^１及びＲ^２のいずれかが露光光を吸収可能な置換基で置換されている。




（Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は水素原子並びにアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基及びアリール基のいずれかを表す。ｎは２以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】半導体装置の微細化に伴う性能向上を図る半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板（１０１）にアイソレーション溝（１０５）を形成する工程と、前記アイソレーション溝中に単一または複数の絶縁膜からなる埋め込み絶縁膜（１０６）を埋め込む工程と、３００℃以上７００℃未満の真空または不活性ガス雰囲気中で前記埋め込み絶縁膜に対してアニールを行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】制御された二軸応力を有する超低誘電率層と、該低誘電率層を形成するための方法を提供する。
【解決手段】ＰＥＣＶＤとスピン・コーティングとの一方によってＳｉ、Ｃ、ＯおよびＨを含む層を形成する工程と、それぞれ１０ｐｐｍ未満の非常に低い濃度の酸素および水を含む環境中で膜を硬化する工程とを組み込んだ、制御された二軸応力を有する超低誘電率層を形成するための方法を含む。この方法を用いて形成された２．８以下の誘電率を有する材料も含む。本発明は、４６ＭＰａ未満の低い二軸応力を有する膜を形成するための問題を克服する。 （もっと読む）

【課題】不純物拡散後の保護膜の剥離が容易であり、より高い保護効果を有するＳｉＯ_２系の膜形成組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成組成物は、シリコンウエハへの不純物拡散を行う際に、この不純物拡散を部分的に防止するための保護膜を構成する膜形成組成物であって、高分子ケイ素化合物と、前記不純物拡散の拡散源となる元素と共有結合して価電子が８個となる保護元素を含む化合物とを含有する膜形成組成物である。保護元素は、拡散源としてリンを用いた場合、ガリウム又はアルミニウムが好ましく、ホウ素を用いた場合は、タンタル、ニオブ、ヒ素又はアンチモンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 高強度で低誘電率な膜を形成可能な低誘電率膜形成用組成物等の提供。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるアルコキシシランの加水分解生成物であるポリシロキサンと、放射線分解性化合物とを、少なくとも含有する低誘電率膜形成用組成物を塗布し塗布膜を形成する工程と、
該塗布膜に放射線を照射する工程と、
該塗布膜に熱処理を行う工程と、
を含むことを特徴とする低誘電率膜の製造方法。
【化１３】


一般式（１）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基、及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。ｎは、０から３までの整数を表す。 （もっと読む）

【課題】誘電率が高く、リーク電流が大きく劣化しない誘電体層を有するコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】チタン、バリウム、ストロンチウム、及びＩＡ族元素を含む誘電体前駆体溶液を基材上に塗布して塗膜を形成する塗布工程と、前記塗膜を７００〜９００℃で熱処理し、高誘電体膜を得る熱処理工程とを有し、前記高誘電体膜は誘電体１００重量部に対し１．５〜５重量部のＩＡ族元素を含むコンデンサの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のような高負荷プロセスを経ることなく、均一かつ高精度な塗布膜の平坦化を図れるようにした基板処理方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸を有する被処理基板である半導体ウエハＷに対して塗布液を供給し、ウエハの表面に塗布膜を成膜する基板処理方法において、スピンチャック１０によって回転するウエハに対して塗布液供給ノズル３０から塗布液を供給して、ウエハの表面に塗布膜を形成し、塗布膜が形成されたウエハを加熱して、塗布膜のエッチング条件を調整する。次に、回転するウエハに対して溶剤供給ノズル４０からエッチング液例えば塗布液の溶剤を供給して、塗布膜をエッチングした後、ウエハに対して塗布液供給ノズルから塗布液を供給し、ウエハの表面に平坦状の塗布膜を形成する。そして、ウエハを加熱して塗布膜を硬化させる。 （もっと読む）

【課題】 高強度で低誘電率な膜を形成可能な低誘電率膜形成用組成物等の提供。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるアルコキシシランの加水分解生成物であるポリシロキサンと、吸収極大波長が互いに異なる２種以上の放射線分解性化合物とを、少なくとも含有することを特徴とする低誘電率膜形成用組成物。
【化１３】


一般式（１）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、ビニル基、及び脂環族基の少なくともいずれかを表す。ｎは、０から３までの整数を表す。
放射線分解性化合物の含有量が、ポリシロキサン１００質量部に対し、０．１〜２００質量部である態様、吸収極大波長が互いに異なる２種以上の放射線分解性化合物を含有する態様、分子サイズが互いに異なる２種以上の放射線分解性化合物を含有する態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】塗布法により成膜されるＳｉ系絶縁膜の電気的特性を向上することができる絶縁膜、トランジスタ及び電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜等の製造方法において、ポリシラザンを溶解した第１の液体材料を基板１上に塗布する工程と、第１の液体材料中のＳｉの未結合手を減少する工程と、未結合手を減少した後に、第１の液体材料４Ｂ上にそれと同様の第２の液体材料を塗布する工程と、第１の液体材料４Ｂ及び第２の液体材料をＳｉ系絶縁膜に転換する工程とを備える。 （もっと読む）