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Fターム[5F058BD07]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機積層絶縁膜の構造、材料 (4,921) | 少なくとも一層が酸化物 (2,674) | ガラス (218)

Fターム[5F058BD07]に分類される特許

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【課題】温度範囲が350〜500℃、かつ加熱時間が10分以内と短時間で完全硬化可能で熱処理工程の短縮可能な低比誘電率の被膜を提供する。
【解決手段】温度範囲が350〜500℃、加熱時間が10分以内の条件下で被膜を加熱処理した場合に、その被膜の比誘電率が3.0以下になる(a)シロキサン骨格を有する縮重合反応物、(b)250〜500℃の温度範囲で全て分解もしくは揮発する有機ポリマー及び(c)有機ポリマー分解促進剤を含有する被膜。 (もっと読む)


【課題】 銅イオンの拡散を防止する絶縁膜及びこの絶縁膜を用いた多層配線構造の提供。
【解決手段】 疎水性多孔質シリカからなる絶縁膜上に銅電極を設けて、絶縁膜の電界強度が1MV/cmとなるように電圧を印加した場合に、前記絶縁膜が、10年を超える絶縁破壊寿命を有するものとする。 (もっと読む)


【課題】選択的に塗布膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板10上の一部に撥水性樹脂からなる第1の塗布膜60を選択的に形成し、半導体基板10の上に塗布剤を塗布して、第1の塗布膜60が選択的に形成された領域を除いた半導体基板10上に第2の塗布膜62を選択的に形成することを含む。 (もっと読む)


【課題】 非常に簡便な構成・手段で表面自由エネルギーによるマッピングを基板表面に施し、かつ有機半導体分子の配向において基板面からの大きな角度と十分な方位角アンカリングを実現し、さらにチャネルを形成する電極材料がラビング工程においても剥離しない高い密着性を持つ優れた有機電子デバイス構造を実現する。
【解決手段】 絶縁性微粒子を含む絶縁層と配向膜となる絶縁性微粒子を含まない絶縁層の積層体を用いて、微細チャネル形成と電極の高密着性と有機半導体分子の高角度配向を実現し、高移動度の有機トランジスタなどの高特性な有機電子デバイスを実現する。 (もっと読む)


【課題】十分に酸化処理を行うことができ、安定な酸化膜を形成することができる酸化処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所定の温度に加熱された被処理膜11の周囲に酸化剤を供給して、酸化処理を行う酸化処理方法であって、酸化剤13の供給後に、少なくとも1回真空排気し、再度酸化剤13を供給することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高温で硬化した後も十分な絶縁性を保持する被膜を形成可能なシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】 (A)シリカ粒子と、(B)加水分解性基を有するシラン化合物と、を加水分解縮合してなるシラン変性シリカ粒子を含む、シリカ系被膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】電気絶縁性と可撓性と優れた耐熱性を有し平坦化され高温に曝されても変質、劣化、変形することのないシリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、そのためのコーテイング剤および半導体装置を提供する。
【解決手段】無機質基板に環状ジハイドロジェンポリシロキサン(A)または特定の単位式を有するハイドロジェンポリシロキサン(B)を被覆し硬化させる、鉛筆硬度が2H〜9Hであるシリカ系ガラス薄層を有する無機質基板の製造方法。前記シリカ系ガラス薄層付き無機質基板。前記 (A)または(B)からなる無機質基板のコーテイング剤。前記シリカ系ガラス薄層付き無機質基板を有する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ型シルセスキオキサンをコア部にもち、重合性基を分岐末端にもつデンドリマー及び/またはその重合体と塗布溶剤を含む絶縁膜形成用組成物、および該膜形成組成物を用いて得られる絶縁膜、および該絶縁膜を有する電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】段差の上段と下段とを接続する、従来よりも傾斜の緩やかな傾斜面の形成方法を提供する。
【解決手段】上面14と、主面11aと、側面16とを有する段差構造を備えていて、側面から内部へと両平面にわたる深さの凹溝22が形成されている下地13を用意する第1工程と、下地上に凹溝を通り、かつ、上面及び主面の間にわたって、粘性流体を塗布することによって、粘性流体塗布層24であって、凹溝中における粘性流体塗布層の表面が、上面側から主面側に向かうにつれて高さが低くなる傾斜面26を有する粘性流体塗布層を形成する第2工程と、粘性流体塗布層を凹溝中の傾斜面を残すようにパターニングする第3工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】安価で特性に優れる半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法、かかる半導体装置の製造方法により製造された半導体装置、およびかかる半導体装置を備える信頼性の高いアクティブマトリクス装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】第1のTFT20は、下地膜70と、下地膜70上に設けられ、半導体層23と、半導体層23を覆うように設けられたゲート絶縁膜37と、ゲート絶縁膜37を介して設けられたゲート電極21とを有し、さらに、第1層間絶縁膜51および第2層間絶縁膜52が積層されている。下地膜70は、Si、NおよびOを主たる構成元素とする材料で構成され、下面近傍におけるN/O比Aが、上面近傍におけるN/O比Bより大きい膜である。この下地膜70は、シラザン構造を有するポリマーを主材料として構成される被膜を形成し、その後、この被膜に対して、オゾンを含む雰囲気中で熱処理を施すことにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】 半導体素子などに層間絶縁膜として用いられる低比誘電率のシリカ系被膜に損傷を与えずに研磨するための化学的機械的平坦化方法を提供する。
【解決手段】 加水分解性基を置換基として有するシラン化合物(A)を塩基性化合物の存在下で縮合させたシロキサン樹脂と、第2又は第3級アルコールと、を含有してなる被膜形成用組成物を塗設して得られたシリカ系皮膜を層間絶縁膜として用いた半導体集積回路を、重合体粒子にシリコン化合物(B)が結着した複合粒子を含む研磨液で研磨することを特徴とする化学的機械的平坦化方法。 (もっと読む)


【課題】容易にかつ安価に多層配線構造を構築することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハWの薄膜担持面に、予めシートフィルムに塗布形成した金属薄膜を押し付け、該金属薄膜を転写する。その金属薄膜に凹凸パターンを型押しすることによって該パターンを転写し、エッチングによって配線1および隣接する配線1間の溝部を形成する。続いて、その上にシートフィルムに塗布形成した絶縁薄膜を押し付け、該絶縁薄膜8を転写する。そして、その絶縁薄膜8に凹凸パターン有するスタンパ31を押し付けることによって該パターンを転写する。このような転写形成による成膜、凹凸面を有するスタンパを使用したパターンニングおよびエッチングを金属層および絶縁層の双方について繰り返すことによって多層配線構造を構築する。 (もっと読む)


【課題】 低い比誘電率を有し、かつ、有機系膜と無機系膜との密着性に優れた積層体およびその形成方法、絶縁膜、ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】 積層体の形成方法は、基材の上に、無機系膜のための第1の塗膜を形成し、前記第1の塗膜の上に、反応性シラン化合物および有機溶媒を含む密着促進用組成物を塗布した後、有機系膜のための第2の塗膜を形成することにより、積層膜を形成し、前記積層膜を硬化すること、を含む。 前記反応性シラン化合物は、(Ri)Si(Xj)4−n,i=1〜n,n=1〜3,j=1〜4−n,で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物。 (もっと読む)


【課題】 低い比誘電率を有し、かつ、有機系膜と無機系膜との密着性に優れた積層体およびその形成方法、絶縁膜、ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】 積層体の形成方法は、基材の上に、無機系膜のための第1の塗膜を形成し、前記第1の塗膜の表面に対して、紫外線照射処理、電子線照射処理、およびプラズマ処理から選ばれる少なくとも1種の処理を行ない、前記処理後の前記第1の塗膜の上に、反応性シラン化合物および有機溶媒を含む密着促進用組成物を塗布した後、有機系膜のための第2の塗膜を連続的に形成することにより、積層膜を形成し、前記積層膜を硬化すること、を含む。前記反応性シラン化合物は、(Ri)Si(Xj)4−n,i=1〜n,n=1〜3,j=1〜4−n,で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物。 (もっと読む)


【課題】低温で、高い耐エッチング性を有し、かつ有機膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な膜形成用材料、および該膜形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物(W)が溶剤(S)に溶解しており、前記溶剤(S)が、前記金属化合物(W)と反応する官能基を有さない沸点155℃以上の溶剤(S1)を含有することを特徴とする膜形成用材料。基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターンを、前記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】 電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 脂環式炭化水素構造とSi原子を有する化合物を含む膜形成用組成物であって,該脂環式炭化水素構造とSi原子を有する化合物が,粒径2nm〜15nmの粒子形状であることを特徴とする膜形成用組成物。 (もっと読む)


【課題】半導体配線形成に用いられる低誘電性被膜を形成するに好適なシリカ系被膜形成用組成物と、該組成物を用いて得た低誘電性に優れたシリカ系被膜を提供する。
【解決手段】シロキサンポリマー(A)と、溶剤(B)と、環状塩基性化合物(C)とを少なくとも含有してなる組成物を、低誘電性被膜を形成するためのシリカ系被膜形成用組成物として、用いる。前記環状塩基性化合物(C)としては、環状アミンを好適に使用する。 (もっと読む)


【課題】 ウェハ上に平坦度の高い膜を短い時間で形成する。
【解決手段】 押圧処理装置33の処理容器70内に,ヒータ72が内蔵された保持台71が設けられる。保持台71の上方には,押圧板80が配置される。押圧板80の下面80aには,ウェハWの下地膜の溝に対応する位置に凹部80bが形成されている。押圧板80は,昇降駆動部82により昇降可能であり,保持台71上に下降して,ウェハWの塗布膜を押圧できる。保持台121上に載置されたウェハWを加熱しながら,押圧板80によりウェハW上の塗布膜の上面をプレスし,下地膜の溝に対応する位置の塗布膜の上面に凸部を形成する。その後の塗布膜の硬化処理により塗布膜が収縮し,結果的に平坦な膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】ストレスを変えることのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の側壁に保護絶縁膜を介して設けられた側壁絶縁膜と、前記ゲート電極及び前記側壁絶縁膜を覆うように設けられたバリア−SiN膜とを具備し、層間膜の一部にSOG系の高ストレス材料を用いることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】半導体素子などにおける層間絶縁膜に適した、誘電率特性、膜強度に優れた組成物、絶縁膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(I)で表される化合物。


式中、R1は水素原子または非加水分解性基を表し、Xは加水分解性基を表す。R2は水素原子または置換基を表す。mは3または4であり、nは0〜3の整数であるが、式(I)で表される分子内には、Xとして少なくとも1つの加水分解性基が存在する。R1、R2、Xの各々について、複数存在するときは同じでも異なっていてもよい。 (もっと読む)


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