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Fターム[5F058BD07]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機積層絶縁膜の構造、材料 (4,921) | 少なくとも一層が酸化物 (2,674) | ガラス (218)

Fターム[5F058BD07]に分類される特許

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【課題】 優れたアルカリ処理耐性を有するとともに、隣接する層に対する密着性が十分に維持されたシリカ系被膜を形成し得る樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明のシリカ系被膜形成用の樹脂組成物は、(a)一般式(1)のケイ素化合物を含む原料成分を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)この(a)成分を溶解し得る溶媒とを含有する。そして、シロキサン樹脂におけるシロキサン結合を構成しているケイ素原子1モルあたりの、ケイ素原子に結合している下記R基由来の原子の総含有割合Mが、0.50〜1.00モルである。


[式中、Rは、H及びFのうちのいずれか一方の原子、B、N、Al、P、Si、Ge若しくはTiを含む基、又は、炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数である。] (もっと読む)


【課題】 低誘電性に優れると共に、従来と比較し短い加熱時間で脱離すべき置換基を脱離させることができるシリカ系被膜形成用組成物、かかる組成物からなるシリカ系被膜及びその形成方法、並びにかかるシリカ系被膜を備える半導体装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、所定の温度で脱離する置換基、及び所定の温度で脱離しない置換基の両方が結合しているSi原子を有するシロキサン樹脂とこのシロキサン樹脂を溶解可能な溶媒とを含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表面ラフネスを小さく抑えたゲート絶縁膜上に有機半導体材料からなる膜質の良好なチャネル層を形成することが可能で、半導体装置の高性能化を図ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上にゲート電極3を形成する。一定方向に配向させた絶縁性配向膜5を、ゲート電極3を覆う状態で基板1上に形成する。絶縁性配向膜5上に絶縁膜7を形成し、絶縁性配向膜5上に絶縁膜7を積層してなるゲート絶縁膜9を形成する。ゲート絶縁膜9上にソース/ドレイン電極11を形成する。ソース/ドレイン電極11を覆う状態でゲート絶縁膜9上に有機半導体材料からなるチャネル層15を形成する。 (もっと読む)


【課題】接着特性が優秀な低誘電膜を形成するためのスピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】構造式1を有する3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物。そして、前記多孔性シリコン酸化膜を形成するために、前記スピンオンガラス組成物を基板上に塗布してスピンオンガラス薄膜を形成した後、前記薄膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する。したがって、前記多孔性シリコン酸化膜は、接着特性が優秀であるのみならず、後続工程で過剰エッチングを招かない。
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【課題】800℃未満の低温焼成によってもBi系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるBi系誘電体薄膜形成用組成物とBi系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともSr、Bi、Taおよびランタノイド系元素Aの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてBi系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を800℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式(1)
Sr1-XAβBi2+Y(Ta2-ZNbZ)O9+α・・・・・(1)
(式中、Aは、ランタノイド系元素を表す。X、Y、αは、それぞれ独立に0以上1未満の数を表し、Zは、0以上2未満の数を表し、βは、0.09以上0.9以下の数を表す。)で表されるBi系誘電体の結晶化薄膜を得る。 (もっと読む)


【課題】 機械的強度に優れ且つ低誘電率の層間絶縁膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 プラズマCVD法を用いた層間絶縁膜の形成方法は、一般式:-O-Si(R12)-OR3 (但し、R1 及びR2 は、同種又は異種であって、メチル基、エチル基、又はプロピル基であり、R3 は、R1 及びR2 と同種又は異種であって、メチル基、エチル基、プロピル基、又はフェニル基である。)で表されるユニットを少なくとも3つ以上有するシリコン原子を一つ以上含む有機シロキサン化合物を原料として用る。 (もっと読む)


【課題】 流動性に優れ、平坦化効果が良好であり、かつ、クラックが入りにくく、酸化珪素膜やアルミニウム等の基板又は配線材料に対して優れた接着性及び耐熱性を有する膜を形成するためのシリコーン系材料組成物を提供する。
【解決手段】 熱硬化前にアモルファス状態にあり、熱硬化後に結晶状態となるシリコーン系材料と、1気圧下の沸点が150〜300℃であり熱硬化前で5質量%以下の高沸点溶剤と、を含有してなるシリコーン系材料組成物であり、該シリコーン系材料組成物を基体表面上に塗布した後に形成された塗膜をリフローさせる用途に用いられるシリコーン系材料組成物。 (もっと読む)


【課題】半導体素子等の絶縁膜材料として、PCT後の誘電特性、PCT後のCMP耐性、PCT後の基板との密着性に優れた膜が形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】組成物は、(A)下記式(1)、(2)中の少なくとも1種の化合物を水酸化テトラアルキルアンモニウムと水で加水分解、縮合した慣性半径が5〜50nmの物 RSi(OR4−a ・・・・・(1) (式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、Rは1価の有機基、aは0〜2の整数を示す。) R(RO)3−bSi−(R−Si(O3−c ・・(2) 〔式中、R〜Rは同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、Rは酸素原子、フェニレン基または−(CH−で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕ならびに(B)有機溶媒を含有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 特性や信頼性に優れた絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 下地領域10等上にシリコン酸化物を主成分として含む第1の絶縁膜18を形成する工程と、第1の絶縁膜に水を付着させる工程と、水が付着した第1の絶縁膜上にシリコンを含有した重合体を含む重合体溶液層19を形成する工程と、重合体溶液層からシリコン酸化物を主成分として含む第2の絶縁膜を生成する工程と、を備え、第2の絶縁膜を生成する工程は、重合体と第1の絶縁膜に付着した水との反応によってシリコン酸化物を生成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】 例えばスタック型強誘電体キャパシタの強誘電体層の製造方法において、良好な配向性を有する強誘電体層が得られる強誘電体層の製造方法を提供する。
【解決手段】 強誘電体層の製造方法は、基体の上方に、気相法によって第1の強誘電体層22を形成する工程と、第1の強誘電体層22の上方に、液相法によって第2の強誘電体層24を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 low−k誘電体膜を処理するためのイオン注入を使用するための方法とシステム。
【解決手段】 基板上の機械的に強化されたlow−k誘電体膜を形成するシステムおよび方法は、基板上にlow−k誘電体膜を形成するスピオン誘電体(SOD)技術か、化学的気相成長のいずれか使用することを含む。low−k誘電体膜の上部表面は、そこで、膜の機械的強度を増やすか、またはその誘電率を低下させるために処理される。
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【課題】ポーラス膜よりなる低誘電率絶縁膜の、機械強度を向上させる。
【解決手段】低誘電率絶縁膜を形成するための溶液は、シリコンレジン2と、主としてシリコン原子及び酸素原子よりなり多数の空孔を有する微粒子3と、溶媒4とを含んでいる。 (もっと読む)


【課題】 膜質及び生産性において、酸化珪素系薄膜製造に適する薄膜製造プロセスを提供すること。
【解決手段】 トリス(エチルメチルアミノ)シランを含有してなる薄膜形成用原料を気化させて得たトリス(エチルメチルアミノ)シランを含有する蒸気を系内の基体上に導入し、該基体上に珪素含有薄膜層を形成した後、系内のガスを排気してから該系内に酸化性ガスを導入し、該珪素含有薄膜層に該酸化性ガス及び熱を作用させて、先に形成した珪素含有薄膜から酸化珪素系薄膜を製造する薄膜製造方法。 (もっと読む)


【課題】 アルコキシシラン化合物含有塗布液により基板上にSOG膜を形成する際に、温度制御を正確に行って、塗膜の急激なシュリンクを抑制し、また塗布液中のガラス質形成材の消失を防ぐことでSOG膜のクラックの発生を防ぎ、さらに、回路を形成している金属材を熔融、変形させることのない理想的な塗膜の形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも3段階の被処理物表面温度範囲を設定して、低温から段階的に温度を上昇させてSOG膜形成用塗布液を塗布した被処理物を乾燥し、次に、被処理物表面温度を250〜500℃の範囲に昇温させ、±3℃の範囲に保持して前記被処理物の焼成処理を行い、SOG膜を形成させる塗膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】 低い誘電率の絶縁材料を形成できる化合物、該化合物を含有する絶縁材料形成用組成物、該組成物より得られる絶縁材料を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物、その加水分解物および/または縮合物を含有することを特徴とする絶縁材料形成用組成物。
【化1】


一般式(1)中、R1〜R8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はシリルオキシ基を表わす。ただし、R1〜R8で表される基のうち少なくとも1つは、置換基として下記一般式(2)で表わされる基を有するアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はシリルオキシ基を表わす。
【化2】


一般式(S2)中、Xは加水分解性基を表し、R9はアルキル基、アリール基又はヘテ
ロ環基を表す。mは1〜3の整数を表わす。 (もっと読む)


シリル化剤を含む超臨界二酸化炭素不動態化溶液を用いたシリコンオキサイドベースの低k材料の不動態化の方法が開示されている。シリル化剤は、好ましくはヘキサメチルジシラザン(HMDS)、クロロトリメチルシラン(TMCS)、トリクロロメチルシラン(TCMS)およびそれらの組み合わせなど、5炭素原子を含む有機基を含む有機シリコン化合物である。本発明の更なる実施態様によれば、誘電体を含むポストアッシュ基材は超臨界二酸化炭素洗浄溶液を用いて同時に洗浄および不動態化される。
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【課題】 過水素化シラザン重合体を含む絶縁膜の特性劣化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、基板110上に過水素化シラザン重合体を含む溶液を塗布する工程と、前記溶液を加熱して、過水素化シラザン重合体を含む膜108を形成する工程と、減圧下の水蒸気雰囲気110中で膜108を酸化処理して、膜108をシリコンおよび酸素を含む絶縁膜に変える工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 低誘電率、低屈折率、高機械的強度を有する疎水性多孔質膜及びその作製方法、この多孔質膜を作製するための多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、並びにこの多孔質膜を利用した半導体装置の提供。
【解決手段】 式:Si(OR)及びR(Si)(OR)4−a(式中、Rは1価の有機基を表し、Rは水素原子、フッ素原子又は1価の有機基を表し、Rは1価の有機基を表し、aは1〜3の整数であり、R、R及びRは同一であっても異なっていてもよい)で示される化合物から選ばれた少なくとも1種の化合物と、250℃以上で熱分解を示す熱分解性有機化合物と、触媒作用をなす元素と、有機溶媒とからなる多孔質膜の前駆体組成物。この前駆体組成物の溶液を用いて疎水性化合物と気相重合反応せしめ、多孔質膜を作製する。この多孔質膜を用いた半導体装置。 (もっと読む)


【課題】抗高電性、自発分極性、特に疲労特性などの点で優れた強誘電体薄膜、該薄膜を備えた強誘電体キャパシタ及びその製造方法の提供。
【解決手段】強誘電体酸化物結晶の微粒子を酸化ケイ素マトリックスが結合した構成の強誘電体薄膜であって、前記微粒子が、ガラスマトリックス中で強誘電体酸化物を結晶化させた後にガラスマトリックス成分を除去することによって得られる、平均一次粒子径が20〜100nmの結晶性微粒子であり、かつ、膜厚が80〜400nmであることを特徴とする強誘電体薄膜。下部電極と、該強誘電体薄膜と、上部電極とが基体上にこの順で設けられている強誘電体キャパシタ及びその製造方法。 (もっと読む)


【課題】 プラグと配線との接続抵抗および絶縁膜の誘電率を効果的に低下させる。
【解決手段】 半導体装置100は、半導体基板(不図示)と、半導体基板の上部に設けられ、銅含有金属により構成される第一配線108と、第一配線108の上部に設けられ、第一配線108に接続する導電性の第一プラグ114と、第一配線108の上部において、第一プラグ114が設けられた領域以外の領域に設けられたCuシリサイド層111と、第一プラグ114の上部に設けられたCuシリサイド層117と、第一配線108の側面から第一プラグ114の側面にわたって形成されるとともに、第一配線108の側面と、第一配線108の上部と、第一プラグ114の側面とを被覆する第一ポーラスMSQ膜105と、を含む配線構造を有する。 (もっと読む)


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