【課題】 低い誘電率かつ高い機械的強度を有する絶縁膜を形成可能な絶縁材料形成用組成物を提供する。
【解決手段】 一般式（１）で表される化合物、その加水分解およびその縮合物から選ばれる少なくとも１種以上のシラン化合物を、置換または無置換のアンモニウム塩存在下で加水分解、縮合して得られる化合物を含有する絶縁材料形成用組成物の製造方法。
【化１】


一般式（１）中、Ｘ¹は、加水分解性基を表し、Ｒ¹は、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、ｎ₁は１〜３の整数を表し、ｍ₁は２以上の整数を表す。Ｌ¹は単結合または２価の連結基を表し、Ａは、かご型構造を含有する基を表す。 （もっと読む）

【課題】 素子分離特性の良好な半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】素子分離溝が設けられた前記半導体基板１０上に、ブタノール濃度が３０ｐｐｍ以下のジブチルエーテルと、ジブチルエーテルに溶解された過水素化ポリシラザンとを含有する過水素化ポリシラザン溶液を塗布して、過水素化ポリシラザン膜１５を形成し、水蒸気を含む雰囲気中で酸化して二酸化シリコン膜１１とする。二酸化シリコン膜を選択的に除去して、素子分離溝の内部に二酸化シリコン膜を残置し、素子分離絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低い誘電率を有する絶縁膜を形成可能な絶縁材料形成用組成物および当該組成物より得られる絶縁膜。
【解決手段】 一般式（１）で表される化合物、その加水分解およびその縮合物から選ばれる少なくとも１種以上のシラン化合物に、一般式（２）で表される化合物を添加して、加水分解、縮合して得られる化合物を含有することを特徴とする絶縁材料形成用組成物。
【化１】


一般式（１）中、Ｘ¹は、加水分解性基を表し、Ｒ¹は、アルキル基、アリール基又はヘテロ環基を表し、ｎ₁は１〜３の整数を表し、ｍ₁は２以上の整数を表す。Ｌ¹は、単結合または２価の連結基を表し、Ａは、かご型構造を含有する基を表す。
【化２】


一般式（２）中、Ｘ₂は、加水分解性基を表わし、Ｒ₂〜Ｒ₄は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基又はビニレン基を表わす。 （もっと読む）

【課題】半導体基材に特徴を形成するための改善された方法を提供する。
【解決手段】本方法は、基材上に多孔質の誘電体層を形成する工程；当該多孔質の誘電体層の第１の部分を除去して第１のエッチング領域を形成する工程；当該第１のエッチング領域を、前記多孔質の誘電体層と類似のドライエッチ特性を有する多孔質の犠牲光吸収材料で満たす工程；当該多孔質の犠牲光吸収材料の一部と前記多孔質の誘電体層の第２の部分を除去して第２のエッチング領域を形成する工程；及び前記多孔質の犠牲光吸収材料のエッチ速度が前記多孔質の誘電体層のエッチ速度よりも高いプロセスを用いることにより、当該多孔質の犠牲光吸収材料の残りの部分を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】微細な溝も完全に埋め込み、かつ下地段差を平坦化するのに十分な厚塗りができ、下地パターン全体の均一な平坦性を達成でき、さらに水を含まず誘電率の低い、膜特性に優れた絶縁膜を形成することのできる、シロキサン類を用いる、絶縁膜形成用塗布液および半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造に用いられる絶縁膜形成用塗布液であって、少なくとも一種類の有機置換基と結合したＳｉ原子を含むシロキサン類を含み、かつ、前記シロキサン類の²⁹Ｓｉ−ＮＭＲスペクトルのシグナルの積分値から求められる所定の式で示される含有比率Ｘが、所定の式を満足する、１５０℃以上３００℃以下の自己流動化温度を有することを特徴とする絶縁膜形成用塗布液、及びこれを用いる半導体装置用絶縁膜の形成方法を提供することにより前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】集積回路において階間誘電体として用いる場合の低誘電率材料及びそれを含む膜の性能の改良、並びにその製造方法について明らかにする。
【解決手段】これらの材料は、約３．７又はそれ未満の誘電率（ｋ）、前記材料の誘電率から部分的に導出される約１５ＧＰａ又はそれよりも大きい標準化壁体弾性率（Ｅ_ｏ′）、及び金属不純物レベルが５００ｐｐｍ又はそれ未満のものとして特徴づけられる。また、約１．９５未満の誘電率及び約２６ＧＰａを超える前記材料の誘電率から部分的に導出される標準化壁体弾性率（Ｅ_ｏ′）を有する低誘電率材料について開示する。 （もっと読む）

【課題】 Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜を効率的に形成する。
【解決手段】 Ｌｏｗ−ｋ材料を溶媒中に分散させて形成した前駆体溶液を下地層等の上にスピンコートし、その塗膜に対して溶媒沸点付近の温度でおよそ数分間加熱しベーク処理を行う（ステップＳ１〜Ｓ３）。そして、そのベーク処理後の塗膜上に、ＣＶＤ法を用いてＳｉＣ等でバリア膜を形成した後、その際のＣＶＤ装置から取り出すことなくそのＣＶＤ装置を用いてバリア膜越しに水素プラズマ処理を行う（ステップＳ４，Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】 従来と比較して平坦性に優れるシリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 本発明は、（ａ）シロキサン樹脂、（ｂ）その（ａ）成分を溶解可能な溶媒、及び、（ｃ）オニウム塩を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物であって、上記（ｃ）成分の配合割合が上記（ａ）成分の総量１００重量部に対して０．００１〜０．５重量部であるシリカ系被膜形成用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上の配線を規定の幅に近づけて形成することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０の製造方法は、まず半導体基板１１上にスリット溝１７を有する第１アルミ配線１２を形成する。次に、第１アルミ配線１２の上面と半導体基板１１の上面との段差を抑制するためのＳＯＧ膜１４の原料であるＳＯＧ液を、半導体基板１１全体に亘って塗布する。これにより、第１アルミ配線１２のうち、第１アルミ配線１２と第２アルミ配線１６とが交差する領域近傍にＳＯＧ液が載るが、スリット溝１７の中に移動することによって、前記領域近傍上に載るＳＯＧ液を少なくすることができる。次に、ＳＯＧ液を乾燥によって硬化させＳＯＧ膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ法によって、第１アルミ配線１２の延在方向に対し交差するように第２アルミ配線１６を形成する。 （もっと読む）

本発明は、半導体デバイスの製造方法に関するものである。この方法では、半導体デバイスは、基板（１０）を具え、この基板（１０）は、表面（２５）を有する低−ｋの前駆物質層（２０）で覆われている。この工程の後、部分硬化工程が行われ、前記低−ｋの前駆物質層（２０）の表面（２５）またはその近くに緻密層（３０）が形成される。この緻密層（３０）は、保護層（３０）として作用することができる。前記低−ｋの前駆物質層（２０）は、未硬化、または部分的に硬化された状態で適用できる特性を有する材料の群から選択される。この方法の主な利点は、前記緻密層（３０）が、前記低−ｋの前駆物質層（２０）自体から形成されるため、別個の保護層（３０）を低−ｋの前駆物質層（２０）に設ける必要がない点である。したがって、前記緻密層（３０）は、前記低−ｋの前駆物質層（２０）に対して良好な接着性を有する。
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【課題】機械的強度が十分に強く、しかも、比誘電率が極めて低い絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に多孔質の第１の絶縁膜３８を形成する工程と、第１の絶縁膜上に、第１の絶縁膜より密度の高い第２の絶縁膜４０を形成する工程と、第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜が存在している状態で、電子線、紫外線又はプラズマを照射し、第１の絶縁膜を硬化させる工程とを有している。緻密性の高い第２の絶縁膜を介して第１の絶縁膜に電子線等を照射するため、第１の絶縁膜に大きなダメージが加わるのを防止しつつ、第１の絶縁膜を硬化させることができる。第１の絶縁膜にダメージが加わるのを防止することができるため、吸湿性の増大や密度の増大を防止することができ、ひいては、比誘電率の増大を防止することができる。従って、比誘電率が低く、しかも機械的強度の高い絶縁膜を有する半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

本明細書には材料中のボイド修復法が記載されている。該方法は、ａ）複数の反応性シラノール基を有する材料を用意し；ｂ）少なくとも一つの反応性表面改質剤を用意し；そしてｃ）前記複数の反応性シラノール基の少なくとも一部を前記少なくとも一つの反応性表面改質剤で化学的にキャッピングすることを含む。材料中の炭素回復法も記載されている。該方法は、ａ）複数の反応性シラノール基を有する炭素欠乏材料を用意し；ｂ）少なくとも一つの反応性表面改質剤を用意し；そしてｃ）前記複数の反応性シラノール基の少なくとも一部を前記少なくとも一つの反応性表面改質剤で化学的にキャッピングすることを含む。さらに、本明細書には膜及び／又は炭素欠乏膜の縮合削減法も記載されている。該方法は、ａ）複数の反応性シラノール基を有する膜を用意し；ｂ）前記膜をプラズマチャンバに置き；ｃ）複数の反応性有機部分含有シランを前記チャンバに導入し；そしてｄ）前記シランを前記反応性シラノール基の少なくとも一部と反応させることを含む。本明細書には誘電体材料及びｌｏｗ−ｋ誘電体材料も記載されている。該誘電体材料は、ａ）複数のケイ素原子を有する無機材料；及びｂ）複数の有機部分含有シラン化合物を含み、前記シラン化合物は、少なくとも一部のケイ素原子を通じて前記無機材料に結合されている。 （もっと読む）

多層配線構造を有する半導体装置において、Ｃｕビアプラグ部への応力集中を抑制する多層配線構造を提供する。そのため、Ｃｕ配線部を含む第１の絶縁層と、前記基板上に形成された、前記Ｃｕ配線に電気的に接続されるＣｕビアプラグ部を含む第２の絶縁層とを有し、前記第１の絶縁層は弾性率が５ＧＰａ以上、硬度が０．６ＧＰａ以上である多孔質絶縁膜からなり、前記第２の絶縁層の弾性率が１０ＧＰａ以上、硬度が１ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体装置を用いる。
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【課題】配線間の寄生容量を十分に低減し得る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１０上に多孔質絶縁膜５４を形成する工程と、多孔質絶縁膜の表層部を緻密化する緻密化処理を行うことにより、多孔質絶縁膜５４の表層部に、多孔質絶縁膜より密度の高い緻密層５６を形成する工程とを有している。多孔質絶縁膜の表層部を緻密化する緻密化処理を行うことにより緻密層を形成するため、エッチングストッパ膜や保護膜として機能しうる良質な緻密層を極めて薄く形成することができる。従って、配線間の寄生容量を十分に低減することができる。 （もっと読む）

低温度での焼成でも優れた特性の強誘電体薄膜を作製可能な薄膜形成用液状組成物、及びそれを用いた強誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。液状媒体中に、一般式ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ^２＋、Ｓｒ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｐｂ^２＋、Ｌａ^２＋、Ｋ^＋およびＮａ^＋からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ^４＋、Ｚｒ^４＋、Ｎｂ^５＋、Ｔａ^５＋およびＦｅ^３＋からなる群から選ばれる少なくとも１種）で表される、ペロブスカイト構造を有し、平均一次粒子径が１００ｎｍ以下であり、かつアスペクト比が２以上の板状もしくは針状の結晶である強誘電体酸化物粒子が分散し、加熱により強誘電体酸化物を形成する可溶性金属化合物が溶解したことを特徴とする強誘電体薄膜形成用液状組成物を用いることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 作製プロセスに対する高適応性や低コスト化を実現しつつ、フレキシビリティに優れ、かつトランジスタ等の電気素子における高性能化を支え得る誘電率や耐電圧を有する電子素子用有機−無機複合絶縁材料、およびその製造方法、並びにそれを用いた電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】 有機高分子またはその溶液と金属アルコキシドまたはその溶液との混合溶液を出発原料とし、前記有機高分子の存在下で前記金属アルコキシドをゾル−ゲル反応させることを特徴とする電子素子用有機−無機複合絶縁材料の製造方法、および当該製造方法により製造された電子素子用有機−無機複合絶縁材料、並びにそれを用いた電界効果トランジスタである。 （もっと読む）

島状の層間絶縁膜をソース線とゲート線が交差する領域に選択的に形成する。例えば、インクジェット法を用いて絶縁材料を含む液体をゲート線とソース線が交差する領域若しくは保持容量が形成される領域に滴下することにより、フォトリソグラフィー工程を削減し、ＴＦＴ作製プロセス中において使用するマスク枚数を減らすことが可能となる。
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【課題】構造誘導体物質として環状シロキサン系モノマーを使用する、誘電率が低く且つ諸般物性に優れた低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサン系モノマー、有機溶媒、酸または塩基、および水を混合してコーティング液を準備する第１段階と、前段階で得たコーティング液を基板上に塗布した後、熱硬化させてメソポーラス薄膜を得る第２段階とを含む、低誘電性メソポーラス薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 液相法において、組成制御性がよく、しかも鉛などの金属成分の再利用が可能な強誘電体形成用の前駆体組成物、該前駆体組成物の製造方法、および前駆体組成物を用いた強誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 前駆体組成物は、強誘電体を形成するための前駆体を含む前駆体組成物であって、前記強誘電体は、一般式ＡＢ_１−ｘＣ_ｘＯ_３で示され、Ａ元素は少なくともＰｂからなり、Ｂ元素はＺｒ、Ｔｉ、Ｖ、ＷおよびＨｆの少なくとも一つからなり、Ｃ元素は、ＮｂおよびＴａの少なくとも一つからなり、前記前駆体は、少なくとも前記Ｂ元素およびＣ元素を含み、かつ一部にエステル結合を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子上に、金属酸化物を含む薄膜が形成されてなる半導体デバイスを形成する際に、半導体素子に熱損傷を与えない程度の低温にて形成可能な半導体デバイスを提供する。
【解決手段】
半導体デバイスは、半導体素子上に、金属酸化物を含む薄膜(106)が形成されてなる半導体デバイスであって、薄膜(106)は、金属酸化物よりなる複数の結晶粒子(106a)の集合体であり、複数の結晶粒子(106a)の各々は、表面の一部において、隣接する結晶粒子と結合している。 （もっと読む）