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Fターム[5F058BD09]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機積層絶縁膜の構造、材料 (4,921) | 少なくとも一層が窒化物 (857)

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【課題】半導体装置を構成する配線の信頼性向上を図る。
【解決手段】テトラメチルシランガスの流量を通常条件よりも下げて形成したSiCN膜SCN1(4MS↓)と、このSiCN膜SCN1(4MS↓)上に形成され、通常のテトラメチルシランガスの流量で形成したSiCN膜SCN2と、このSiCN膜SCN2上に形成されたSiCO膜SCOからバリア絶縁膜を構成する。これにより、耐透水性の向上と低誘電率化をバランス良く実現することができる。 (もっと読む)


【課題】nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。pチャネル型電界効果トランジスタ30のゲート電極35を覆う応力制御膜39には、膜応力が、nチャネル型トランジスタ10の応力制御膜19より、圧縮応力側の膜を用いることにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置に形成される絶縁膜の付着力を高め歩留りを向上させる。
【解決手段】基板10の上方に形成された半導体層20〜23と、前記半導体層20〜23上に形成された絶縁膜31,32と、前記絶縁膜上31,32に形成された電極41と、を有し、前記絶縁膜31,32は、前記電極41の側における膜応力よりも、前記半導体層20〜23の側における膜応力が低いことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造方法において、異なる膜特性を有する絶縁膜に形成されるコンタクト形状の制御性を向上させる。
【解決手段】半導体基板に素子領域を形成し、半導体基板の第1の領域上に、第1の絶縁膜を形成し、半導体基板の第2の領域上に、膜応力及びコンタクトの形成の際のエッチング加工時のエッチングレートが、第1の絶縁膜と異なる第2の絶縁膜を形成し、少なくとも第2の絶縁膜において、コンタクトが形成されるコンタクト領域に選択的にUV光を照射し、UV光を照射した後、第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜をエッチングして前記コンタクトを形成する。 (もっと読む)


【課題】液体原料中の溶存ガスに起因して出現し得る気泡が気化器における気化量制御に悪影響を及ぼすのを回避する。
【解決手段】液体原料を不活性ガスにより圧送する液体原料供給源と、液体原料供給源が圧送する液体原料の流路となる液体原料供給管と、液体原料供給源から液体原料供給管を通じて供給された液体原料を気化して気化ガスを生成する気化器と、気化器が生成した気化ガスが供給される処理室とを有する基板処理装置において、液体原料供給管の経路途中に液体原料供給管内を流れる液体原料を貯留する液体原料溜め部を設け、液体原料供給管内での圧力低下によって液体原料中に現れる気泡を液体原料溜め部内にて除去する。 (もっと読む)


【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層4、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層6、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層5で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク11を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜14を形成する。 (もっと読む)


【課題】横方向延伸を減少し、素子サイズを小さくすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に延伸し、STI領域を間に有する第1および第2のフィンを形成する。STI領域の上面と第1および第2のフィンの上面の間の寸法を第1の高さとし、STI領域の第1と第2のフィンとの間の間隙内に誘電材料を堆積し、STI領域の上面上に上面を有して、誘電材料の上面と第1および第2のフィンの上面との寸法を第2の高さとし、第2の高さは、第1の高さより低くなるように誘電材料を堆積した後、第1および第2のフィン上でそれぞれ誘電体の上方に、第1および第2のフィン延伸をエピタキシャル成長で形成する。 (もっと読む)


【課題】薄膜の形成に寄与しなかったガスを排気トラップにおいて十分にトラップすることができる原子層堆積方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積方法であって、薄膜の原料である原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを供給する反応ガス供給工程と、反応ガスのプラズマを間欠的に発生させるプラズマ発生工程と、プラズマ発生工程の後に、成膜室から排気された反応ガスに活性ガスを間欠的に供給し、排気トラップにトラップさせる活性ガス供給工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミニウム元素を含ませる。ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用いるスパッタ法により形成する。また、ボロン元素に代えてアンチモン元素(Sb)やリン元素(P)を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。 (もっと読む)


【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第1の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第2の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第3の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第4の工程と、を1サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第5の工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】高い比誘電率が確保されており且つ熱的に安定なゲート絶縁膜を用いた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】基板20上に、水素を含むHfO膜22Aを形成した後、HfO膜22Aに対して熱処理を行なうことにより、基板20側からシリコンをHfO膜22A中に拡散させてシリコン含有HfO膜22を形成する。その後、シリコン含有HfO膜22の上にゲート電極となるポリシリコン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】膜ストレスを制御することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ200を処理する空間を成す処理室201に対し、塩素を含むガスと、アンモニアガスとを交互に供給、排出して、ウエハ200に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、アンモニアガスの供給時間を、塩素を含むガスを供給する時間の2倍より長く供給するように制御する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ密度の分布特性を制御することで、プラズマ処理の均一性と歩留まりの向上を実現可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持可能な処理室を含む処理容器と、該処理室で基板を載置するとともに下部電極を兼ねた載置台と、前記基板の周縁を囲むように配され、前記載置台により一端が支持され、他端が前記処理容器の構成部材で支持された円環状部材と、前記下部電極に対向してその上方に配置される上部電極と、前記載置台に高周波電力を供給する給電体とを備え、前記処理室で発生するプラズマにより前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記円環状部材の中間を支持する前記処理容器の構成部材であって、前記処理室外に延在する第1の中間導電体と、前記給電体とを電気的に接続又は非接続可能とする第1の可動導電体を有している。 (もっと読む)


【課題】単結晶半導体層とベース基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面にラジカル処理を行うことにより、半導体基板に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板に脆化領域を形成し、第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域において分離することにより、ベース基板上に第1及び第2の絶縁膜を介して半導体層を形成し、半導体層にエッチング処理を行い、エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射する。 (もっと読む)


【課題】ドライクリーニングにおいてガス供給管の破損を防ぎ、メンテナンス効率を高めるようにする。
【解決手段】ウエハ200を処理室201内に搬入する工程と、ガス供給管165,166,167に原料ガスを供給して処理室201内に原料ガスを導入し、基板200にシリコン又はシリコン化合物の膜を形成する工程と、処理室201内から基板を搬出する工程と、処理室201内を加熱する加熱工程と、加熱工程後に処理室201内の温度を低下させる降温工程と、降温工程後にガス供給管165,166,167にクリーニングガスを供給して処理室201内にクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入工程と、を含む半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】CMP研磨により上面を平坦化する際にスクラッチが生じにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板SUBの主表面に形成された下地パターン層を覆うように第1の層間絶縁膜IL1が形成されている。第2の層間絶縁膜IL2は第1の層間絶縁膜IL1上に選択的に形成されている。第3の層間絶縁膜IL3は第1および第2の層間絶縁膜IL1、IL2上を覆うように形成され、かつ上面が平坦化されている。第2の層間絶縁膜IL2の半導体基板SUBの主表面からの最上部の位置が、第1の層間絶縁膜IL1の上記主表面からの最上部の位置よりも高い。 (もっと読む)


【課題】良好な品質を有する微結晶半導体膜を有する半導体装置及び該半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜を用いて形成される薄膜トランジスタにおいて、成膜初期に形成される微結晶半導体膜の品質を向上するため、ゲート絶縁膜最上層に、蛍石型構造を持つイットリア安定化ジルコニア膜を形成する。その上に微結晶半導体膜を堆積させることにより、特に下地との界面付近は下地の結晶性に影響を受け良好な結晶性が得られる。また、微結晶半導体膜を形成する前に、表面プラズマ処理を行い、下地の結晶性に影響されやすい状態で微結晶半導体膜を堆積する。さらに、下地のイットリア安定化ジルコニアと微結晶半導体膜の結晶が一致しやすいように、微結晶半導体膜にゲルマニウムを添加する。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜に用いる高誘電体金属酸化膜又は高誘電体金属シリケート膜におけるリーク電流を低減できるようにする。
【解決手段】高誘電体金属シリケートからなるゲート絶縁膜の形成において、金属等を含む前駆体の暴露時間には、表面吸着反応により成膜レートが飽和する時間を用い、酸化剤の暴露時間には、金属酸化膜の組成が化学量論値の97%以上となる時間を用いてALD堆積を行う。 (もっと読む)


【課題】APM洗浄による側壁絶縁膜のエッチングレートを低減させることができる。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、エッチング抑制層107を形成した後に、シリコン基板(半導体基板)104内にn型エクステンション領域(拡散層)112およびp型エクステンション領域(拡散層)115を形成した後、エッチング抑制層107を形成した状態でシリコン基板104の上面を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】α-アルミナを含むアルミナ膜の成膜温度の低温化を図ることができる成膜方法等を提供する。
【解決手段】
処理容器2内に被処理体(ウエハW)を載置し、有機アルミニウム化合物を含む原料ガスと、水蒸気等の水素原子、酸素原子を含む酸化ガスとを当該処理容器2内に導入する。次いで当該処理容器2内の処理雰囲気を200℃以上500℃以下の温度範囲に加熱して、被処理体の上にダイアスポアを含む含酸素アルミニウム化合物の膜を形成し、当該被処理体を800℃以上、1,000℃以下の温度範囲で加熱して、当該含酸素アルミニウム化合物の膜を、α-アルミナを含むアルミナ膜に変化させる。 (もっと読む)


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