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Fターム[5F058BD10]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機積層絶縁膜の構造、材料 (4,921) | 少なくとも一層が窒化物 (857) | 半導体窒化物 (623)

Fターム[5F058BD10]に分類される特許

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【課題】透明導電膜の透過率を低下させることなく、絶縁保護膜を形成することができる絶縁保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】透明基板に形成された透明導電膜上にプラズマ処理により絶縁保護膜を形成する絶縁保護膜形成方法において、基板の単位面積当たりのプラズマのRFパワーを1.84W/cm2以下とし、加熱時間を60秒以下として、プラズマにより透明基板を加熱し(S1)、RFパワーを1.84W/cm2以下として、透明導電膜上に第1の絶縁保護膜を形成し(S2)、RFパワーを1.84W/cm2より大きくして、第1の絶縁保護膜上に第2の絶縁保護膜を形成する(S3)。 (もっと読む)


【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が10nm以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第1の保護膜と、第1の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第2の保護膜とを有する。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】GaN系HFETは、ゲート絶縁膜17をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が6.25×10−4(A/cm)であるとき、3.9×10Ωcmであった。抵抗率ρ=3.9×10Ωcmの半絶縁膜によるゲート絶縁膜15を備えたことで、1000Vの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×1011Ωcmを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×10Ωcmを下回るとゲートリーク電流が増大する。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。
【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】石英製の処理容器8内で保持手段22に保持された複数の被処理体Wの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うようにした成膜装置の運用方法において、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させる密着膜70を形成する密着膜形成工程を行うようにする。これにより、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Vthの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】In(インジウム)およびO(酸素)を含む酸化物半導体層と、Si(珪素)、F(フッ素)およびN(窒素)を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】 酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性等を向上させる。
【解決手段】 大気圧未満の圧力下にある処理容器内の第1の温度に加熱された基板に対して、第1の原料ガスを供給する工程と、酸化ガスおよび還元ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に酸化膜を形成する工程と、処理容器内の第1の温度以上第2の温度以下の温度に加熱された基板に対して窒化ガスを供給することにより、酸化膜の表面にシード層を形成する工程と、処理容器内の第2の温度に加熱された基板に対して、第2の原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜の表面に形成されたシード層上に窒化膜を形成する工程と、を行う。 (もっと読む)


【課題】金属膜あるいは金属酸化膜の成膜量に伴うことなく含有している金属元素の濃度分布に偏りのないゲート絶縁膜を提供する。
【解決手段】図2に示すように、半導体基板1上に、シリコン酸化膜より高い誘電率を有する高誘電体膜10を形成する高誘電体膜形成工程と、高誘電体膜10上に、第1の金属元素を有する第1の金属膜あるいは金属酸化膜20を成膜する第1の成膜工程と、高誘電体膜10に第1の金属元素を拡散させる拡散工程と、高誘電体膜10上に金属元素吸収膜50を成膜する第2の成膜工程と、金属元素吸収膜50に、第1の金属元素を含ませる吸収工程と、金属元素吸収膜60を選択的に除去する除去工程の6工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 (もっと読む)


【課題】動作電圧の高電圧化を図るも、電極端における電界集中を緩和してデバイス特性の劣化を確実に抑止し、高耐圧及び高出力を実現する信頼性の高い化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】HEMTは、SiC基板1上に、化合物半導体層2と、開口6bを有し、化合物半導体層2上を覆う、窒化珪素(SiN)の保護膜6と、開口6bを埋め込むように化合物半導体層2上に形成されたゲート電極7とを有しており、保護膜6は、その下層部分6aが開口6bの側面から張り出した張出部6cが形成されている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた低温プロセスで形成する信頼性の高い薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ1は、基板100と、前記基板上の一部に設けられたゲート電極110と、前記ゲート電極を覆う第1の絶縁膜120と、前記第1の絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた酸化物半導体膜130と、前記酸化物半導体膜上の一部に設けられた第2の絶縁膜150と、前記酸化物半導体膜から露出する酸化物半導体膜の一部と接続されたソース電極140Sおよびドレイン電極140Dと、を備え、前記酸化物半導体膜はInと、Gaと、Znのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、前記第1の絶縁膜中に含有される水素濃度が5×1020atm/cm−3以上であり、かつ、前記第2の絶縁膜中に含有される水素濃度が1019atm/cm−3以下である。 (もっと読む)


【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905上にシラン(SiH)及びアンモニア(NH)などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906には、バリア層として機能する酸化シリコン層909を介して、窒化シリコン層910が設けられる。そのため、酸化物半導体層905には、酸化物半導体層906よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905の抵抗値が、薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906の抵抗値よりも低くなる。 (もっと読む)


【課題】ダマシン構造のCu配線を有する半導体装置の製造において熱処理工程が行われた場合の、層間絶縁膜であるCF膜からのフッ素の拡散を防止し、リーク電流の増加を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、フッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、を備え、前記層間絶縁膜と前記銅配線との間には、前記銅配線に近接するバリアメタル層と、前記層間絶縁膜に近接するフッ素バリア膜が形成されている、半導体装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第1の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第2の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第1の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 (もっと読む)


【課題】柱状形状を有し密に配列される電極の倒壊を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、柱状形状を有するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記電界トランジスタの不純物拡散領域と電気的に接続し、柱状形状を有する第1の電極と、前記第1の電極の少なくとも側面に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成される第2の電極と、前記柱状形状を有する前記第1の電極の長手方向と交差する方向に延び、前記第2の電極の少なくとも一部を貫通して前記第1の電極を連結するホウ素添加窒化シリコン膜により形成される支持膜とを備える半導体装置により、上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】窒化膜の屈折率及び/又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の1つの窒化膜の製造装置100は、チャンバー30内に配置された基板20上にプラズマCVD法によって窒化膜70(70a)を形成する窒化膜の製造装置100である。具体的には、この窒化膜の製造装置100は、窒化膜70(70a)の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第1高周波電力及び/又は相対的に低い周波数の第2高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び/又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望(応力が0の場合を含む)の窒化膜70(70a)の圧縮応力又は引張応力を得るための第1高周波電力が印加される第1期間と第2高周波電力が印加される第2期間とを算出する制御部39を備えている。 (もっと読む)


【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層112に含まれる水素や水分(水素原子や、HOなど水素原子を含む化合)などの不純物を、酸化物半導体層112より排除し、上記酸化物半導体層112中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層112と接して設けられるゲート絶縁層132及び/又は絶縁層116に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層112に付着させてもよい。 (もっと読む)


【課題】熱CVD法により薄膜付基板を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】基板10の薄膜を形成しようとする部分である成膜部10cの他主面10c2に、基板10に吸収される波長域の光を照射することにより成膜部10cを加熱した状態で、成膜部10cの一主面10c1に対向して配置したノズル30から成膜部10cの一主面10c1に向けて反応ガスを供給することにより薄膜を形成する。 (もっと読む)


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