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Fターム[5F058BD15]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機積層絶縁膜の構造、材料 (4,921) | 少なくとも一層がシリコン酸化窒化物 (338)

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【課題】エッチングに対して耐性を持つ保護膜が設けられた記憶素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる半導体記憶装置は、半導体基板の上面に形成された複数の記憶素子と、隣り合う各記憶素子の間に埋め込まれた層間絶縁膜と、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、各記憶素子の側面において膜厚が10nm以下である保護膜と、層間絶縁膜中に形成されたコンタクトとを有し、保護膜は、各記憶素子の側面と、隣り合う各記憶素子の間の半導体基板の上面との上に連続的に形成され、且つ、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は、酸窒化シリコン膜からなる第1の保護膜と、第1の保護膜上に連続的に形成され、且つ、ボロン膜又は窒化ボロン膜からなる第2の保護膜とを有する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置を、シリコンを含む絶縁膜と、絶縁膜上の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のシリコンを含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の少なくとも酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極を有する構造とし、少なくともゲート電極と重畳する酸化物半導体膜は、絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が1.1原子%より低い領域を有し、当該領域以外の酸化物半導体膜のシリコン濃度は、当該領域より小さくなる構造とする。 (もっと読む)


【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Vthの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】In(インジウム)およびO(酸素)を含む酸化物半導体層と、Si(珪素)、F(フッ素)およびN(窒素)を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】 酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性等を向上させる。
【解決手段】 大気圧未満の圧力下にある処理容器内の第1の温度に加熱された基板に対して、第1の原料ガスを供給する工程と、酸化ガスおよび還元ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に酸化膜を形成する工程と、処理容器内の第1の温度以上第2の温度以下の温度に加熱された基板に対して窒化ガスを供給することにより、酸化膜の表面にシード層を形成する工程と、処理容器内の第2の温度に加熱された基板に対して、第2の原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜の表面に形成されたシード層上に窒化膜を形成する工程と、を行う。 (もっと読む)


【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた低温プロセスで形成する信頼性の高い薄膜トランジスタ、その製造方法、および表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ1は、基板100と、前記基板上の一部に設けられたゲート電極110と、前記ゲート電極を覆う第1の絶縁膜120と、前記第1の絶縁膜を介して前記ゲート電極上に設けられた酸化物半導体膜130と、前記酸化物半導体膜上の一部に設けられた第2の絶縁膜150と、前記酸化物半導体膜から露出する酸化物半導体膜の一部と接続されたソース電極140Sおよびドレイン電極140Dと、を備え、前記酸化物半導体膜はInと、Gaと、Znのうち少なくとも一つの元素を含む酸化物半導体を有し、前記第1の絶縁膜中に含有される水素濃度が5×1020atm/cm−3以上であり、かつ、前記第2の絶縁膜中に含有される水素濃度が1019atm/cm−3以下である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 (もっと読む)


【課題】窒化膜の屈折率及び/又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の1つの窒化膜の製造装置100は、チャンバー30内に配置された基板20上にプラズマCVD法によって窒化膜70(70a)を形成する窒化膜の製造装置100である。具体的には、この窒化膜の製造装置100は、窒化膜70(70a)の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第1高周波電力及び/又は相対的に低い周波数の第2高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び/又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望(応力が0の場合を含む)の窒化膜70(70a)の圧縮応力又は引張応力を得るための第1高周波電力が印加される第1期間と第2高周波電力が印加される第2期間とを算出する制御部39を備えている。 (もっと読む)


【課題】信頼性が高く、ソースとドレインの間にリーク電流が生じにくく、コンタクト抵抗が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜により形成されるトランジスタの電極膜上に酸化物半導体膜に接して設けられた第1の絶縁膜、及び第2の絶縁膜を積層して形成し、第2の絶縁膜上にエッチングマスクを形成し、エッチングマスクの開口部と重畳する部分の第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜をエッチングして電極膜を露出する開口部を形成し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部をアルゴンプラズマに曝し、エッチングマスクを除去し、第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の開口部に導電膜を形成し、第1の絶縁膜は加熱により酸素の一部が脱離する絶縁膜であり、第2の絶縁膜は第1の絶縁膜よりもエッチングされにくく、第1の絶縁膜よりもガス透過性が低い。または逆スパッタリングを行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】400℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板100上にZr[C(CH)](CH、Zr[C(CH)](OCH)CH及びZr[C(CHCH)][N(CH)(CHCH)]の何れか一つの前駆体を用いて400℃〜500℃の温度で形成されたジルコニウム酸化膜(ZrO)140を含む高誘電絶縁膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】二酸化シリコン層及びシリコン基板を窒素イオンで過剰にダメージを生じさせることのないプラズマ窒化プロセスのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のRF電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第1の金属酸化物膜と、第1の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第1の絶縁膜と、第2の金属酸化物膜と、第2の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】プラグ形成時に位置ずれが発生しても水分や不純物が溜まる窪みが発生することがなく、微細化しても長期間にわたる信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1の絶縁膜121の上に形成された強誘電体キャパシタ131と、強誘電体キャパシタ131を覆う第2の絶縁膜311及びエッチングストッパ膜312と、エッチングストッパ膜312の上面からトランジスタTの不純物領域に到達する第1のコンタクトホール内に導電体材料を充填して形成された第1のプラグ313と、エッチングストッパ膜の上に形成された第3の絶縁膜314と、第3の絶縁膜314の上面から第1のプラグに到達する第2のコンタクトホール内に導電体材料を充填して形成された第2のプラグ315とを有する。 (もっと読む)


【課題】 STIプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数nm程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置100では、平面アンテナ31からマイクロ波透過板28を経て処理容器1内に放射されたマイクロ波により、処理容器1内で電磁界が形成され、ArガスおよびNガスがそれぞれプラズマ化する。プラズマ中の活性種の作用によりウエハWのトレンチの内壁面が極薄く窒化されることにより、緻密なライナーSiN膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Alを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、10nm以上100nm以下である。 (もっと読む)


【課題】プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロファイルを改善する為の方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する方法において:基板が、あるシステム10の窒化用チャンバ20B内に置かれている間に、前記基板上に形成されたゲート誘電層に窒素(N)を導入するステップと;前記システム10から前記基板を外に搬送することなく、前記基板を前記システム10のアニール用チャンバ20Cに搬送するステップと;前記窒化用チャンバ20B内の前記基板の温度を超える温度まで、前記アニール用チャンバ20C内で前記基板を加熱することにより、前記ゲート誘電層をアニールするステップと;を備え、前記アニールの間、前記アニール用チャンバ20C内の圧力は、少なくとも50トルであり、前記基板を、前記窒素が導入された後、5分以内にアニールする、前記方法。 (もっと読む)


【課題】特性の良好な半導体装置を形成する。
【解決手段】本発明は、pチャネル型MISFETをpMIS形成領域1Aに有し、nチャネル型MISFETをnMIS形成領域1Bに有する半導体装置の製造方法であって、HfON膜5上にAl膜8aを形成する工程と、Al膜上にTiリッチなTiN膜7aを形成する工程と、を有する。さらに、nMIS形成領域1BのTiN膜およびAl膜を除去する工程と、nMIS形成領域1BのHfON膜5上およびpMIS形成領域1AのTiN膜7a上にLa膜8bを形成する工程と、La膜8b上にNリッチなTiN膜7bを形成する工程と、熱処理を施す工程とを有する。かかる工程によれば、pMIS形成領域1Aにおいては、HfAlON膜のN含有量を少なくでき、nMIS形成領域1Bにおいては、HfLaON膜のN含有量を多くできる。よって、eWFを改善できる。 (もっと読む)


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