【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）

【課題】導電性が高くＩＩＩ族窒化物結晶との接合強度が高いとともに光透過性が高い複合体を提供する。
【解決手段】本複合体１００は、ＩＩＩ族窒化物結晶１１０とＩＩＩ族窒化物結晶１１０上に配置された酸化物膜１２０とを含み、酸化物膜１２０はドーパントの濃度が互いに異なる第１領域１２１と第２領域１２２とを含み、第２領域１２２は第１領域１２１に比べてドーパントの濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体薄膜の製造方法においては、金属酸化物半導体薄膜を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる。また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜１６を備えている。層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 Ｆｅ及びＲ，Ｏ（Ｒは、Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｙのうち少なくとも１つ以上である）を含む薄膜原料供給源と基板との間に、プラズマを発生させ、基板上にＲＦｅ₂Ｏ₄薄膜を形成する気相成膜方法であって、前記プラズマが、５４３５ｃｐｓより少ないＯ活性種の発光強度を有し、Ｆｅ活性種の発光強度に対するＯ活性種の発光強度が、Ｏ活性種の発光強度／Ｆｅ活性種の発光強度＜２
である気相成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば，ＲＦｅ₂Ｏ₄薄膜製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】圧電層に作用する圧縮応力を緩和し、圧電層の見かけ上の圧電特性の低下を抑制する。
【解決手段】まず、振動板４０の一表面に、エアロゾルデポジション法により圧電層４１を形成する（圧電層形成工程）。そして、圧電層４１が形成された振動板４０を所定の温度（例えば、９００℃）で加熱する（加熱工程）。その後、加熱された圧電層４１が形成された振動板４０を環境温度まで冷却し（冷却工程）、圧電層４１の表面に複数の個別電極４２をそれぞれ形成する（電極形成工程）。続いて、個別電極４２を覆うように圧電層４１の上面に、ＡＤ法により圧電層形成工程で用いた粒子とキャリアガスとを含んだエアロゾルと同様のエアロゾルを噴きつけて絶縁層６０を形成する（噴きつけ工程）。 （もっと読む）

一態様における方法は、デバイスの製造を含む。このデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、このＧａＮ層上に配置されたダイアモンド層と、ＧａＮ層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。他の態様におけるデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、ＧａＮ層上に配置されたダイアモンド層と、ＧａＮ層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。その後、シリコン膜１ｓをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流が抑止され、高い絶縁膜容量が得られ、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】
基板１１上に、ゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７、有機半導体膜１６、ドレイン電極１４、及びソース電極１５を備える有機薄膜トランジスタである。ゲート絶縁膜１７は、低誘電体膜１７ａと高誘電体膜１７ｂの二層構造を有し、低誘電体膜１７ａは高誘電体膜１７ｂと有機半導体膜１６との間に介装されているとともに、低誘電体膜１７ａは非共有電子対を有する官能基を持たず且つ分子構造内にπ電子結合を持たない有機高分子化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 熱処理を行う際に、半導体基板の裏面側からの半導体構成原子の昇華を防止し得る半導体装置の製造方法及び半導体製造工程の管理方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０にゲート絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜を形成する工程の前に、半導体基板の表面側及び裏面側を覆うように絶縁膜１２を形成する工程と、半導体基板の表面側の絶縁膜をエッチング除去する工程と、半導体基板の裏面側に絶縁膜が存在している状態で、半導体基板を熱処理する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム結晶を成長させる際に下地基板が昇華されることを防止して、結晶性の良好な窒化アルミニウム結晶を成長速度を向上して成長させる、窒化アルミニウム結晶の成長方法、窒化アルミニウム結晶の製造方法および窒化アルミニウム結晶を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム結晶２０の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面１１ａと裏面１１ｂとを有する下地基板１１と、裏面１１ｂに形成された第１の層１２と、第１の層１２に形成された第２の層１３とを備えた積層基板１０が準備される。そして、下地基板１１の主表面１１ａ上に窒化アルミニウム結晶２０が気相成長法により成長される。第１の層１１ａは、窒化アルミニウム結晶２０の成長温度において下地基板１１よりも昇華しにくい材質よりなる。第２の層１２は、第１の層１１の熱伝導率よりも高い材質よりなる。 （もっと読む）

【課題】実用化が可能である程度の期間データを保持することのできる半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法を提供できるようにすること。
【解決手段】ソース領域とドレイン領域を有する半導体基板または半導体領域上に、ハフニウム・アルミニウム酸化物を主成分とする絶縁体バッファ層、強誘電体膜およびゲート電極がこの順に積層されているトランジスタを有する半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法であって、半導体表面処理、絶縁体バッファ層形成、強誘電体膜形成、ゲート電極形成および熱処理工程を含み、前記絶縁体バッファ層形成を、窒素と酸素のモル比が1:1〜1:10^-7の混合ガスの雰囲気中にて行うことを特徴とする半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】実用化が可能である程度の期間データを保持することのできる半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法を提供できるようにすること。
【解決手段】ソース領域とドレイン領域を有する半導体基板または半導体領域上に、ハフニウム酸化物を主成分とする絶縁体バッファ層、強誘電体膜およびゲート電極がこの順に積層されているトランジスタを有する半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法であって、半導体表面処理、絶縁体バッファ層形成、強誘電体膜形成、ゲート電極形成および熱処理工程を含み、前記絶縁体バッファ層形成を、窒素と酸素のモル比が1:1〜1:10^-7の混合ガスの雰囲気中にて行うことを特徴とする半導体強誘電体記憶デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】トレンチ内に不純物ドーピング酸化膜ライナが形成されているＳＴＩ構造を有する半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域１０２に接するようにトレンチの内壁を覆う側壁ライナ１３０と、側壁ライナ１３０上に形成された不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａと、トレンチを埋め込むギャップフィル絶縁膜１５０とを備える半導体素子である。不純物ドーピング酸化膜ライナ１４０ａを形成するために、側壁ライナ１３０上に酸化膜ライナを形成した後、プラズマ雰囲気下で酸化膜ライナに不純物をドーピングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＮＯＲフラッシュデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）構造を有するＮＯＲフラッシュデバイスにおいて、ＢＥＯＬ構造は導電領域を有する基板と、基板上に形成された第１層間絶縁膜と、導電領域に形成される第１金属ラインと、該第１金属ラインと第１層間絶縁膜を覆う第２層間絶縁膜と、第２層間絶縁膜を貫通する第１コンタクト及び第１コンタクトを通じて第１金属ラインと連結される第２金属ラインを具備して、第１コンタクト、第１及び第２金属ラインのうちで少なくとも一つは銅であり、第１及び第２層間絶縁膜のうちで少なくとも一つは、低誘電物質を含む。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を媒体としてウエハ上に形成された微細構造表面に均一な膜を形成する成膜処理装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜処理容器と、前記成膜処理容器内の上面にウエハを保持する保持具と、前記成膜処理容器内の上面に保持されたウエハを加熱する、前記成膜処理容器の上部に埋設されたヒーターと、前記成膜処理容器内を攪拌する攪拌器と、膜原料の少なくとも１つを超臨界流体に溶解した原料溶液を調製する調合器と、前記成膜処理容器内に前記原料溶液を導入する原料溶液導入ポートとを有する成膜処理装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】低温下で、良質な酸化膜を形成することができる酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にアンモニアラジカルを供給し、半導体ウエハＷの表面を窒化する。次に、反応管２内にＤＣＳを供給し、窒化された半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く銅に対するバリア性に優れた絶縁層構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本半導体装置は、銅配線層を有する半導体装置であって、銅配線、密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜、酸化ケイ素系ポーラス絶縁材料層、密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜および銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有する。 （もっと読む）

【課題】誘電体膜の実質的な誘電率を向上すると共に、絶縁特性の劣化を抑制可能なキャパシタ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に下部電極層１２、誘電体層１３、上部電極層１４を順次積層する。誘電体層１３は、誘電体材料と導電性材料との複合材料からなる微粒子の微粒子材料を使用してエアロゾルデポジション法により形成される。微粒子材料としては、表面の少なくとも一部が導電性材料に覆われたセラミック粒子、表面の少なくとも一部がセラミック材料に覆われた導電性粒子、導電性粒子とセラミック粒子とが互いに付着してなる微粒子が使用される。誘電体層１３は、微粒子が衝撃を受け固化し、誘電体部１６ａ中に導電体部１６ｂがランダムに分散しながら互いに電気的に接続された構造を有する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスを小さく抑えたゲート絶縁膜上に有機半導体材料からなる膜質の良好なチャネル層を形成することが可能で、半導体装置の高性能化を図ることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にゲート電極３を形成する。一定方向に配向させた絶縁性配向膜５を、ゲート電極３を覆う状態で基板１上に形成する。絶縁性配向膜５上に絶縁膜７を形成し、絶縁性配向膜５上に絶縁膜７を積層してなるゲート絶縁膜９を形成する。ゲート絶縁膜９上にソース／ドレイン電極１１を形成する。ソース／ドレイン電極１１を覆う状態でゲート絶縁膜９上に有機半導体材料からなるチャネル層１５を形成する。 （もっと読む）