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Fターム[5F058BF21]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜の形成法 (10,542) | 気相堆積 (7,977) | 堆積物形成反応ガス (3,745)

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主構成元素の化合物 (2,014)
酸化剤 (1,015)
窒化剤 (571)
添加物 (133)

Fターム[5F058BF21]に分類される特許

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【課題】簡易かつ低廉な手法で電気特性が調節された酸化膜ならびにこれを成膜する方法および補修する方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム無機塩を溶質とし、アルコールを溶媒とし、ケトン類化合物を第1助剤として原料溶液が調製される。基板に向けて原料溶液のミストが段階的に供給され、かつ、雰囲気が加熱されることにより、基板の上にジルコニア薄膜が酸化膜として成膜される。原料溶液の調製に際して第1助剤の濃度を調節した上で、当該プロセスの繰り返し回数の調節により膜厚を調節することにより、電気特性が調節された酸化膜が成膜される。 (もっと読む)


【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第1のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 (もっと読む)


【課題】本発明の課題は、低い誘電率を有する機械強度に優れた電気絶縁膜を作製するためのプレカーサーとして有用なスピロ型シクロトリシロキサン誘導体を提供することにある。
【解決手段】一般式(1)
【化1】


(式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数が1乃至3のアルキル基を表す。但し、R、R、R及びRは同時に水素原子ではない。また破線を伴う実線は単結合又は二重結合を表す。)で表されるシクロトリシロキサン化合物を用いて形成させた膜は、所望の低い誘電率を有し、機械強度に優れた電気絶縁膜となる。 (もっと読む)


【課題】爆発の危険性が高いSiHを用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでSi系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Si系膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜形成材料がt−CSiXを有する。 (もっと読む)


【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板10上のSiOC膜11表面に配線12を形成する工程と、配線12が表面に形成されたSiOC膜11を希ガス、又は希ガスとNガスの混合ガスを含むプラズマに曝してSiOC膜11表面に緻密層14を形成する工程と、緻密層14が形成された後に、配線12の表面に形成された酸化膜13を除去する工程と、酸化膜13が除去された配線12、及び緻密層14上に絶縁膜としての拡散防止膜15を形成する工程と、を含み、酸化膜13を除去する工程から拡散防止膜15を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。 (もっと読む)


【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する2種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数pKaが3.5以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 (もっと読む)


プラズマ処理装置1のチャンバ2内に、シリコン化合物ガス、酸化性ガス、および希ガスを供給する。マイクロ波をチャンバ2内に供給し、マイクロ波により生成されたプラズマで、被処理基板上にシリコン酸化膜を形成する。希ガスの分圧比は、シリコン化合物ガスと酸化性ガスと希ガスを併せたトータルガス圧の10%以上の割合であって、シリコン化合物ガスと酸化性ガスの有効流量比(酸化性ガス/シリコン化合物ガス)は、3以上11以下とする。
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【課題】安定した低誘電率と高い硬度(ヤング率)を有するBCN膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】従来のBClガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてBCN膜を成膜する。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、プラズマCVDにより成膜を行うことで、 比誘電率が2.5以下で弾性率(ヤング率)が8GPa以上であるBCN系の低い誘電率を持つ絶縁体材料膜を得る。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体を媒体としてウエハ上に形成された微細構造表面に均一な膜を形成する成膜処理装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜処理容器と、前記成膜処理容器内の上面にウエハを保持する保持具と、前記成膜処理容器内の上面に保持されたウエハを加熱する、前記成膜処理容器の上部に埋設されたヒーターと、前記成膜処理容器内を攪拌する攪拌器と、膜原料の少なくとも1つを超臨界流体に溶解した原料溶液を調製する調合器と、前記成膜処理容器内に前記原料溶液を導入する原料溶液導入ポートとを有する成膜処理装置を用いて成膜する。 (もっと読む)


【課題】電気的に高性能、安価並びに低温形成可能なアモルファス絶縁体膜及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にArを含有し、その膜中のAr量がSiに対して原子数比で3%以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。また望ましくは前記絶縁体膜中のAr量が、Siに対して原子数比で17%以下(Ar/Si ≦ 17 at.%)の膜を作製する。また、そのアモルファス絶縁体膜を薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に用いる。 (もっと読む)


【課題】 窒化酸化物層を有する半導体デバイスおよびこのための方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、基板(12)と、この基板(12)の表面上の第1の絶縁層(14)と、この第1の絶縁層(14)の表面上のナノ結晶(13)の層と、このナノ結晶(13)の層上の第2の絶縁層(15)を含む。この第2の絶縁層(15)を窒化雰囲気にさらすことで、この基板(12)の上に第3の絶縁層(22)が形成されるときに起こり得るさらなる酸化に対する障壁が形成される。この第2の絶縁層(15)の窒化によって、これらナノ結晶の酸化あるいは収縮および第1の絶縁層(14)の厚さの増加とが、この半導体デバイス(10)の製造に対するプロセスの工程の複雑化を招くことなく防止される。 (もっと読む)


【課題】スループットを向上できると共に、比誘電率をより低減することが可能な絶縁層の形成方法を提供する。
【解決手段】被処理体Wの表面に、微少な空孔86が分散されている絶縁層88を形成する方法において、被処理体の表面に、空孔形成材料84が分散されている単量体、又は/及び有機低分子化合物を含む塗布膜82を形成する塗布膜形成工程と、複数枚の被処理体を、縦長の加熱可能になされた処理容器内で第1の温度帯域内の温度で加熱して所定の時間維持することにより前記単量体、又は/及び有機低分子化合物を一部重合させて骨格を形成する部分骨格形成工程と、引き続き前記処理容器内で前記複数枚の被処理体を、第1の温度帯域より高い第2の温度帯域内の温度に加熱して所定の時間維持することにより空孔形成材料を気化させて空孔を生ぜしめて絶縁層を形成する空孔形成工程とを有する。 (もっと読む)


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