Fターム[5F058BF25]の内容
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Fターム[5F058BF25]に分類される特許
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半導体ウェハ、半導体装置及びその製造方法
半導体装置の製造方法
【課題】電界効果トランジスタを有する半導体装置のトランジスタ性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁膜5およびゲート電極6n,6pの側面にサイドウォール9を形成した後、サイドウォール9の両側の半導体基板1に不純物をイオン注入して不純物領域を形成する。続いて、半導体基板1の主面上に第1絶縁膜14、第2絶縁膜15、および第3絶縁膜16を順次形成した後、イオン注入された上記不純物を活性化する熱処理を行う。ここで、第1絶縁膜14は、第2絶縁膜15よりも被覆性のよい膜であり、かつ、第2絶縁膜15とエッチング選択比が異なる膜である。第2絶縁膜15は、第1絶縁膜14よりも水素の拡散を阻止する機能が高い膜である。第3絶縁膜16は、第1絶縁膜14および第2絶縁膜15よりも内部応力の変化が大きい膜である。
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基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
【課題】 低温領域での成膜により基板上に形成された薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 所定の成膜温度で形成された薄膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、処理室内の基板を加熱する加熱部と、加熱部により基板を加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板の表面に供給して基板を処理する際、基板の温度が成膜温度以下の温度となるように、少なくともガス供給部、励起部及び加熱部を制御する。
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半導体装置の製造方法
【課題】配線幅が異なる第1及び第2の配線を有する配線パターンの上に形成された絶縁層を、十分に平坦化すること。
【解決手段】基板上に、第1の配線及び第1の配線よりも配線幅が小さい第2の配線を有する配線パターンを形成する配線形成工程S10と、配線パターンの上から、第1の絶縁層及び第2の絶縁層をこの順に形成する絶縁層形成工程S20と、第2の絶縁層の上に、配線パターンの反転パターンを有するレジストパターンを形成するレジスト形成工程S30と、第2の絶縁層の方が第1の絶縁層よりもエッチングされやすい条件で等方性エッチングするエッチング工程S40と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程S50と、を有する半導体装置の製造方法。
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トレンチ内に誘電層を形成する方法
【課題】半導体構造の形成方法、より具体的にはトレンチ内における誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約150℃以下の処理温度において反応させることを含む。シリコン酸化被膜は酸素含有環境内で紫外線(UV)硬化される。
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基板処理装置及び半導体装置の製造方法
【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。
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プラズマ誘発損傷を減少させる方法
【課題】基板におけるプラズマ誘発損傷を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板216をチャンバ210内に配置し、一つ以上のプロセスガスをチャンバ210内に流入させ、プラズマ源電力を第1電力レベルで加えることにより、一つ以上の該プロセスガスからプラズマを生成させ、基板216上に膜を堆積させ、該プラズマ源電力を堆積後に該第1電力レベル以下に逓減させる。
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オゾン濃度制御方法及びプロセス装置
【課題】オゾン利用系に供されるオゾン含有ガスのオゾン濃度を安全且つ高精度に制御する方法、と装置を提供する。
【解決手段】プロセス装置1はオゾン供給装置21からオゾン濃度80vol%以上のオゾン含有ガスが一定の流量で高温処理チャンバ24に供されるオゾン供給ライン11に前記オゾン含有ガスに対するオゾン分解因子の供給を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御するオゾン分解装置22を備える。プロセス装置1においては前記オゾン含有ガスの流量が一定のもとで高温処理チャンバ24のガス供給ライン11と排気ライン12の差圧に基づき当該チャンバ24における発火が検出される。オゾン分解装置22は前記オゾン含有ガスに対してオゾン分解因子として供される紫外光領域の波長を含む光の照射強度を制御することにより当該ガスのオゾン濃度を制御する。又、前記紫外光領域を含む光の代わりに熱が挙げられる。
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半導体装置および半導体装置の製造方法
【課題】半導体基板の転移を防止しつつ、絶縁膜の埋め込み性を確保するとともに、エッチング耐性を向上させる。
【解決手段】シリコン含有無機ポリマー膜8にアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を含有させ、塗布法などの方法にてトレンチ6内に埋め込まれるようにしてシリコン含有無機ポリマー膜8をライナー膜7上に形成し、水蒸気を含む雰囲気中でシリコン含有無機ポリマー膜8の酸化処理を行うことにより、シリコン含有無機ポリマー膜8をシリコン酸化膜9に変化させる。
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プラズマCVD装置およびプラズマCVD方法
【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマCVD装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール6と、プラズマ発生電極7とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも1枚ずつの側壁8を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列9を1列以上備えるプラズマCVD装置。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】プラグ形成時に位置ずれが発生しても水分や不純物が溜まる窪みが発生することがなく、微細化しても長期間にわたる信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1の絶縁膜121の上に形成された強誘電体キャパシタ131と、強誘電体キャパシタ131を覆う第2の絶縁膜311及びエッチングストッパ膜312と、エッチングストッパ膜312の上面からトランジスタTの不純物領域に到達する第1のコンタクトホール内に導電体材料を充填して形成された第1のプラグ313と、エッチングストッパ膜の上に形成された第3の絶縁膜314と、第3の絶縁膜314の上面から第1のプラグに到達する第2のコンタクトホール内に導電体材料を充填して形成された第2のプラグ315とを有する。
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電気光学装置の製造方法
【課題】テトラエトキシシラン等のシラン系有機材料を用いたプラズマCVD法によりシリケートガラスを形成した場合でも、シリケートガラスから半導体層へのフッ素の侵入を防止することのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造方法において、ゲート電極3cの形成工程、低濃度不純物導入工程、および高濃度不純物導入工程を行った後、シランガス等のシラン系無機原料を用いたCVD法により第1絶縁膜411を形成する。次に、第1アニール工程において第1絶縁膜411をアニールした後、テトラエトキシシラン等のシラン系有機原料を用いたプラズマCVD法によりシリケートガラスからなる第2絶縁膜412を形成する。
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半導体装置の製造方法
【課題】膜中の有機成分の脱離による大きな体積収縮を抑制し、クラックなどの構造破壊を抑制することのできる光薄膜形成技術を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、前記処理室に有機シリコン系ガスを供給し、前記有機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、前記処理室に無機シリコン系ガスを供給し、前記無機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、を備えるように半導体装置の製造方法を構成する。
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高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法
【課題】開口部が数μm、アスペクト比が5以上のトレンチ壁面に高濃度の不純物がドーピングされた縦型pn接合を形成する技術を確立する。
【解決手段】開口部の最小寸法が10μm以下、アスペクト比5以上、かつ壁面の凹凸が0.2μm以下のSiトレンチ壁面に対し不純物をドープし、さらに、不純物がドープされたトレンチ壁面を、900℃以上の熱処理でリフローが生じるSiO2膜により被覆し、このSiO2膜を固体拡散源としたトレンチ壁面にpn接合膜を形成する高アスペクト比のトレンチ構造を有する半導体デバイスの製造方法。前記ドープに先立ち、トレンチ壁面の熱酸化処理を行い、この熱酸化処理によって形成された熱酸化膜を除去する処理によりトレンチ壁面の凹凸を0.1μm以下に抑える。
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成膜方法
【課題】窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層構造体を単一のプラズマCVD装置にて一貫して成膜する際に、両膜間に異質な薄膜が形成されないという機能を有しつつ、短時間で効率のよい成膜が可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、反応室2aに処理すべき基板Wを設置し、真空雰囲気中にてシリコンを含む原料ガスと窒素を含む一の反応ガスとを反応室内に導入し、放電用の高周波電力を投入してプラズマCVD法にて窒化シリコン膜を成膜する第1工程と、前記原料ガスを供給しながらプラズマ放電を維持した状態で、反応室内の窒素分圧を高める第2工程と、一の反応ガスの供給のみを停止し、酸素を含む他の反応ガスを反応室内に供給してプラズマCVD法にて酸化シリコン膜を成膜する第3工程とを含む。
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配線層の形成方法及び半導体装置の製造方法
【課題】配線層の表面の平坦度を高めることができ且つ配線間隔が広い領域において磁界を変動させる構成を無くした配線層の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線層の形成方法は、下側部材上に配線パターン102を形成する工程と、その上に絶縁材料層103,106を形成する工程と、配線パターンの間に形成された絶縁材料層の一部を、絶縁膜ブロック111として残すと共に、絶縁膜ブロック111の高さを、絶縁膜ブロック以外の絶縁材料層の高さより高くなるように、絶縁材料層をエッチング処理する工程と、絶縁膜ブロックを含む絶縁材料層を研磨して、表面が平坦化された層間膜を形成する工程とを有する。半導体装置の製造方法は、半導体基板と配線層とを有し、上記配線層の形成方法を用いて配線層の少なくとも1つを製造する。
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基板処理装置、及び成膜システム
【課題】1つの実施形態は、例えば、CVD装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、CVD装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
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置換フェノール安定剤を用いるNBDEの安定化改良法
【課題】誘電体膜を形成するための組成物を蒸着する際の、残渣の形成を低減又は無くする方法を提供する。
【解決手段】炭素源の1種以上の環状アルケンと、シリコン源のシリコン含有化合物と、キャリアガスを用い、エネルギー源(放射線、熱、又はプラズマ)を適用して炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成するに当たり、フェノール安定剤を用いる。フェノール安定剤は、本来のOH基の他にR1〜R5を有し、R1〜R5はそれぞれ独立にH、OH、C1−C18の直鎖、分岐、又は環状アルキル基、C1−C18の直鎖、分岐、又は環状アルコキシ基又は置換又は非置換のアリール基であり得る。その量は、置換フェノールが200ppm〜20000ppmの範囲の濃度で存在している量を加える。その様にして組成物を蒸着する事により、残渣の形成を低減又は無しにした、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法が提供される。
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薄膜トランジスタの製造方法
【課題】良好な生産性を確保しつつ、優れた特性と信頼性の高いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板9上にソース領域17、チャンネル領域18、ドレイン領域19を有する活性層11と、ゲート電極層16と、活性層11とゲート電極層16との間に形成されるゲート絶縁層15とを有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層15を、活性層11側に形成される第1の酸化珪素膜12と、ゲート電極層16側に形成される第2の酸化珪素膜14と、第1の酸化珪素膜12と第2酸化珪素膜14の間に形成される窒化珪素膜13とで形成した。
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エッチングで形成された溝を用いて厚い誘電体領域を形成する方法
【課題】エピタキシアル沈着工程だけを用いて製造される縁部端子領域を有する高電圧半導体ディバイスを提供すること。
【解決手段】半導体ディバイスの製造方法は相互に対向する第1及び第2の主表面を有する半導体基板を設けることを含む。この方法は、上記の半導体基板に少なくとも1つの溝と、第1メサおよび第2メサとを設けることを含む。この方法は、また、各溝の両側壁と底部とを酸化し、ドープされた酸化物を各溝ならびに第1および第2メサの頂部に沈着させて、沈着せられた酸化物が流動して、各第1メサのシリコンが完全に二酸化ケイ素に変換し、各第2メサのシリコンが部分的にのみ二酸化ケイ素に変換し、各溝には酸化物が充填される温度で、半導体基板を熱酸化させることを含む。
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