【課題】処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】石英製の処理容器８内で保持手段２２に保持された複数の被処理体Ｗの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うようにした成膜装置の運用方法において、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させる密着膜７０を形成する密着膜形成工程を行うようにする。これにより、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】簡易にしかも安価に作製することができるアモルファスカーボン薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体セル６の流体層５内に二酸化炭素及び炭化水素を封入し超臨界状態を形成する工程と、流体層５内に紫外波長のレーザー光を照射する工程と、を含むアモルファスカーボン薄膜作製方法。 （もっと読む）

【課題】放置時間が長くても、化合物半導体積層構造の表面のダングリングボンドがフッ素で終端された状態が維持されるようにし、閾値電圧の変動を抑制して、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、化合物半導体積層構造６と、化合物半導体積層構造６の表面を覆うフッ素含有バリア膜９と、化合物半導体積層構造６の上方にフッ素含有バリア膜９を挟んで設けられたゲート電極８とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造のＣｕ配線を有する半導体装置の製造において熱処理工程が行われた場合の、層間絶縁膜であるＣＦ膜からのフッ素の拡散を防止し、リーク電流の増加を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置であって、フッ素添加カーボン膜からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、を備え、前記層間絶縁膜と前記銅配線との間には、前記銅配線に近接するバリアメタル層と、前記層間絶縁膜に近接するフッ素バリア膜が形成されている、半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたＳｉＢＣＮ膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、ボロン含有ガスと窒化ガスとシラン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にボロンと窒素とシリコンと炭素を含む薄膜を形成する成膜方法において、ボロン含有ガスと窒化ガスとを交互に間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＢＮ膜を形成する第１の工程と、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスとを間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＳｉＣＮ膜を形成する第２の工程とを有する。これにより、低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたボロンと窒素とシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を８００℃〜９５０℃に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にアンモニアガスを供給する。続いて、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給する。これにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、エッチング選択性が高く、アッシング可能なハードマスク（ＡＨＭ）を提供する。
【解決手段】プラズマ化学気相成長チャンバ内に基板を配置する段階を備える成膜方法を開示する。炭素系の第１のアッシング可能ハードマスク（ＡＨＭ）層１０を基板上に成膜する。第１のＡＨＭ層の成膜時に、シリコン、シラン、ホウ素、窒素、ゲルマニウム、炭素、アンモニア、および、二酸化炭素から成る群から選択される少なくとも１つのドーパントでドープを行う。少なくとも１つのドーパントの原子濃度は、第１のＡＨＭ層の５％以上である。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.（0℃、大気圧）、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.（0℃、大気圧）とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン膜のパターン寸法ばらつきが低減した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。アモルファスカーボン膜は、アモルファスカーボン膜の表面から下地膜に接する面に向かってその厚み方向を進むにつれて、アモルファスカーボン膜の膜密度を小さくする。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣ基板の使用量を減らすことが可能であり、信頼性を向上させることができるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板１として、単結晶ＳｉＣと異なる材料を用いて構成され、かつ活性層３を形成する工程および半導体素子の構成要素４〜１０、１４〜１７を形成する工程における温度以上の耐熱性を有するものを用い、接合工程では、半導体素子の動作温度以下の温度で直接接合する。このような製造方法では、支持基板１と単結晶ＳｉＣ基板１１とを半導体素子の動作温度以下の温度で接合しているため、支持基板１と単結晶ＳｉＣ基板１１との接合界面で発生する応力を小さくすることができ、ＳｉＣ半導体装置が使用される際に半導体素子に印加される応力を小さくすることができる。すなわち、ＳｉＣ半導体装置の信頼性が低下することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の多層配線において配線間隔を低減させても所定の低比誘電率を維持できるとともに、電気的特性の劣化などを抑制できる多孔性の層間絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成される配線構造を構成し、空孔を有する多孔性絶縁膜１３を得るための母体となる母体絶縁膜を気相成長法を用いて堆積する。この際、多孔性絶縁膜１３の比誘電率、配線２０間の間隔や絶縁耐圧のような、配線構造を決める因子に要求される設計値に応じて、多孔性絶縁膜１３の分子骨格形成材料の流量に対する多孔性絶縁膜１３の空孔形成材料の流量の比の、少なくとも範囲をまず決定する。この後、決定した流量比の範囲で母体絶縁膜を堆積し、この母体絶縁膜に熱や紫外線などのエネルギーを与えて空孔を有する多孔性絶縁膜１３にする。 （もっと読む）

【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、複数枚の半導体ウエハＷが収容された反応管２内を所定の温度に加熱する。次に、制御部１００は、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内にアミノ系シランガスを供給する。そして、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して、反応管２内を所定の温度に加熱し、ＭＦＣ制御部を制御して、加熱された反応管２内に処理ガス導入管１７からエチレンを供給することにより、半導体ウエハＷにアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む膜を選択成長させること。
【解決手段】主面上にトレンチとポストが形成された基板１３上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマＣＶＤ法により堆積する選択成膜方法である。基板を設置する反応室１１において、第１電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間２１において、第２電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給する。反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御する。第１電力、第２電力、バイアス電圧を制御することにより、基板の前記ポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された１つの面、又は、２つの面に対して、膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗素子の製造方法は、磁化の方向が不変の固定層４、コバルトまたは鉄を含み、磁化の方向が可変の自由層６、および前記固定層と前記自由層との間に挟まれる非磁性層５で構成される積層体を形成し、前記積層体上に、ハードマスク１１を形成し、前記ハードマスクをマスクとして塩素を含むガスで前記積層体をエッチングし、エッチングされた前記固定層および前記自由層の側面に、ボロンと窒素とを含む絶縁膜１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜または金属シリケート膜を含む薄膜ゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、Ｖ_ＦＢを十分に制御し、Ｖ_ｔｈを十分に制御すること。
【解決手段】基板１上に、第１の金属の酸化膜、または、第１の金属のシリケート膜からなる第１高誘電率ゲート絶縁膜５を形成する第１工程と、第１高誘電率ゲート絶縁膜５上に、第２の金属の酸化膜からなる第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する第２工程と、第２高誘電率ゲート絶縁膜６上に、ゲート電極膜７を形成する第３工程と、を有し、前記第２工程では、第２の金属元素および炭化水素基からなる主原料と、溶媒材料と、を混合した混合材料を用いて、原子層蒸着法により第２高誘電率ゲート絶縁膜６を形成する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させることができる成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスと炭化水素ガスとを供給して前記被処理体の表面にＳｉＣＮ膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、前記シラン系ガスと前記窒化ガスと前記炭化水素ガスとをそれぞれ一定の供給期間でパルス状に供給する供給工程と供給を停止する停止工程とよりなる１サイクルを複数回繰り返し実行してプラズマを用いることなく前記薄膜を形成する。これにより、比較的低温で成膜しても含有する炭素濃度を多くさせてクリーニング時のエッチングレートを比較的小さくでき、もってクリーニング時の膜厚の制御性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体に対して極めて平滑な膜を、薄膜から厚膜まで広い膜厚範囲で、マイクロ／ナノ領域に位置選択的に形成可能とした基体への膜形成法を用いた、マイクロ／ナノデバイスの作製のための基盤技術となるデバイス作製法を提供する。
【解決手段】予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。これによって、基体２及び膜６からなるマイクロトンネル構造を得る。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）