【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Ｚｒ系ガスやＯ_３ガスなどの処理ガスを反応管１２内に供給するためのガス吐出口５２の各々形成された第１のガスインジェクター５１ａ、５１ｂとは別に、反応管１２の長さ方向に沿うようにスリット５０の形成された第３のガスインジェクター５１ｃを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット５０から反応管１２内にパージガスを供給して当該反応管１２内の雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 金属薄膜上に金属酸化膜を形成する際に、金属薄膜の酸化を抑制させる。
【解決手段】 原料と酸化剤とを用い、金属薄膜が形成された基板上に、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、酸化による結晶粒の異常成長が起こらない温度であって、かつ、アモルファス状態となる第１温度で形成するステップと、原料と酸化剤とを用い、アモルファス状態の金属酸化膜上に、アモルファス状態を維持しつつ、ハフニウム、イットリウム、ランタン、アルミニウム、ジルコニウム、ストロンチウム、チタン、バリウム、タンタル、ニオブからなる群から選択される少なくとも１種類以上の元素を含む金属酸化膜を、第１温度を超える第２温度で形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低エッチングレート、高絶縁性の特性を備える絶縁膜を形成する。
【解決手段】処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、炭素含有ガスと、窒素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの炭窒化層を形成する工程と、処理容器内の加熱された基板に対して、所定元素含有ガスと、酸素含有ガスとを供給することで、基板上に所定元素を含む所定厚さの酸化層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、炭窒化層と酸化層とが交互に積層されてなる所定膜厚の酸炭窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に、均一な高品質シリコン酸化膜を、基板温度２００−５００度の低温で形成すること、および、シリコン酸化膜を用いた半導体装置を提供し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さ３０％以内に抑え、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにも係わらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。 （もっと読む）

【課題】金属含有膜のための気相成長前駆体としての使用に適した有機金属化合物を提供する。特定の有機金属前駆体を用いて金属含有膜を被着させる方法も提供する。そのような金属含有膜は、電子装置の製造において特に有用である。
【解決手段】周期表のランタニド又は第３族〜第１６族から選択される金属の酸化物を成膜する方法であって、エノラート配位子を含む金属含有前駆体を用い、金属前駆体を蒸気状態で反応チャンバーに導入し、基体上に化学吸着させる工程と、パージする工程と、酸素源を導入する工程と、パージする工程とを含む気相成長により成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを有する窒化物の上にマイクロ波プラズマを用いてゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層１３，ＡｌＧａＮ層１４ａが積層されたＦＥＴ構造と、フィールド酸化膜１５とゲート電極２０との間にかけて、形成されたゲート絶縁膜１９ｂを備える。ゲート絶縁膜１９ｂは、アルミナ２４ａとシリコン酸化膜２４ｂから構成される二層構造とする。 （もっと読む）

【課題】窒化シリコン膜と酸化シリコン膜との積層構造体を単一のプラズマＣＶＤ装置にて一貫して成膜する際に、両膜間に異質な薄膜が形成されないという機能を有しつつ、短時間で効率のよい成膜が可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、反応室２ａに処理すべき基板Ｗを設置し、真空雰囲気中にてシリコンを含む原料ガスと窒素を含む一の反応ガスとを反応室内に導入し、放電用の高周波電力を投入してプラズマＣＶＤ法にて窒化シリコン膜を成膜する第１工程と、前記原料ガスを供給しながらプラズマ放電を維持した状態で、反応室内の窒素分圧を高める第２工程と、一の反応ガスの供給のみを停止し、酸素を含む他の反応ガスを反応室内に供給してプラズマＣＶＤ法にて酸化シリコン膜を成膜する第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ノズルを縦型反応管に適正に取り付ける方法を提供する。
【解決手段】マニホールド２０９にノズル２０を取り付けるに際して、保持治具１０をノズル２０の上下両端部に取り付け、ノズル２０の水平部をマニホールド２０９の取付口２１０に処理室２０１側から挿入し、上下の保持治具１０の前端面を処理室２０１の内周面に当接させることでノズル２０と処理室２０１の内周面とのクリアランスおよび平行を自動的に保持する。ノズル２０を保持治具１０で位置決めした状態で、ノズル２０の水平部を取付口２１０に設置された継手２１１に固定し、その後、上下の保持治具１０をノズル２０９から取り外す。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】シンプルな製造工程により界面状態の良好な結晶性薄膜を立体形状を含む所望のパターンに形成可能であり、結晶化に要する熱処理温度を低減させることが可能な結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法、及び当該製造方法により形成された結晶性薄膜を備えた構造体を提供する。
【解決手段】結晶性薄膜又は結晶性構造体の製造方法においては、蒸着・結晶化促進工程において、スパッタリング法による金属酸化物の蒸着、及びレーザー光照射による金属酸化物の結晶化促進が同時に行われる。蒸着・結晶化促進工程を経た基板３４は、所定の温度条件下においてアニールされる。これにより、金属酸化物が完全に結晶化された状態になる。 （もっと読む）

【課題】配線層の表面の平坦度を高めることができ且つ配線間隔が広い領域において磁界を変動させる構成を無くした配線層の形成方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線層の形成方法は、下側部材上に配線パターン１０２を形成する工程と、その上に絶縁材料層１０３，１０６を形成する工程と、配線パターンの間に形成された絶縁材料層の一部を、絶縁膜ブロック１１１として残すと共に、絶縁膜ブロック１１１の高さを、絶縁膜ブロック以外の絶縁材料層の高さより高くなるように、絶縁材料層をエッチング処理する工程と、絶縁膜ブロックを含む絶縁材料層を研磨して、表面が平坦化された層間膜を形成する工程とを有する。半導体装置の製造方法は、半導体基板と配線層とを有し、上記配線層の形成方法を用いて配線層の少なくとも１つを製造する。 （もっと読む）

【課題】処理ガスを基板面内に十分拡散させて、面内均一性、面間均一性を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層して収容する処理室２０１と、該処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給部２４０ｃと、前記処理室内へ改質ガスを供給する改質ガス供給部２４０ｂと、前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給部２４０ａ、２４０ｄと、前記処理室内を排気する排気部２４６と、を備えた基板処理装置において、前記原料ガスと前記改質ガスを互いに混合しないように交互に複数回供給して基板上に膜を形成する際に、前記排気を停止した状態で前記原料ガスを供給する原料ガス供給工程を行い、その後、前記処理室内を調圧しつつ前記排気を再開し、かつ、前記原料ガスの供給を停止した状態で前記不活性ガスを供給する膜厚分布制御工程を行い、さらにその後、前記改質ガスを供給する改質ガス供給工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜の上部に形成するＴｉＯ膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とし、ＴｉＯ膜の誘電率を高める。
【解決手段】ジルコニウム酸化膜の膜厚を制御することにより、ジルコニウム酸化膜の少なくとも一部の結晶構造を立方晶系構造又は正方晶系構造とし、これにより、チタン酸化膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とする。 （もっと読む）

【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】一般的に、二酸化ケイ素を原子層堆積法によって堆積する方法であって、触媒としてピリジンを与えることによって、低温で堆積しつつ、水を酸化源として利用することができる方法を提供する。
【解決手段】基板を水にさらす前に、基板をピリジン浸漬プロセス３２０にさらし、更に、水をピリジンとともに別々のコンジットを通してチャンバに並流させ、チャンバに入る前の相互作用を減じる。変形例では、ピリジンをピリジンと反応しないシリコン前駆体とともに並流させてもよい。 （もっと読む）

【課題】低温下で、面間方向での膜厚均一性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内をロード温度に加熱した後に反応管２内に半導体ウエハＷを収容する。次に、制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して半導体ウエハＷを収容した反応管２内を成膜温度に加熱した後、処理ガス導入管１７から反応管２内に成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに薄膜を形成する。また、制御部１００は、ロード温度を成膜温度よりも高い温度に設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を貫通する基板貫通孔に埋め込まれた基板貫通電極と該半導体基板との間の絶縁膜に対してその絶縁性を高めることの可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１シリコン基板１１と、前記第１シリコン基板１１に形成された第１多層配線層１２と、前記第１シリコン基板１１を貫通して前記第１多層配線層１２の内部に延びる基板貫通孔Ｈと、前記基板貫通孔Ｈ内に埋め込まれた基板貫通電極１８と、前記基板貫通孔Ｈの内周面と前記基板貫通電極１８の外周面とに挟まれた絶縁膜１７とを備え、前記絶縁膜１７が、金属元素の酸化ホウ化物膜であって、前記金属元素が、アルミニウム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、ハフニウム、ベリリウム、及びマグネシウムのいずれか一つである。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜又は酸化タングステン膜上に酸化シリコン膜を形成しても、酸化シリコン膜のインキュベーション時間を短縮することが可能なタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体上にタングステン膜又は酸化タングステン膜を形成する工程（ステップ１）と、タングステン膜又は酸化タングステン膜上にシード層を形成する工程（ステップ２）と、シード層上に酸化シリコン膜を形成する工程（ステップ３）と、を具備し、上記シード層をタングステン膜又は酸化タングステン膜上に、被処理体を加熱し、タングステン膜又は酸化タングステン膜の表面にアミノシラン系ガスを供給して形成する。 （もっと読む）