【課題】 タングステン膜又は酸化タングステン膜上に酸化シリコン膜を形成しても、酸化シリコン膜のインキュベーション時間を短縮することが可能なタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 被処理体上にタングステン膜又は酸化タングステン膜を形成する工程（ステップ１）と、タングステン膜又は酸化タングステン膜上にシード層を形成する工程（ステップ２）と、シード層上に酸化シリコン膜を形成する工程（ステップ３）と、を具備し、上記シード層をタングステン膜又は酸化タングステン膜上に、被処理体を加熱し、タングステン膜又は酸化タングステン膜の表面にアミノシラン系ガスを供給して形成する。 （もっと読む）

【課題】フェルミ準位ピン止めが低減された化合物半導体を用いたＭＯＳ型の化合物半導体装置がより容易に製造できるようにする。
【解決手段】化合物半導体からなる第１半導体層１０１を形成し、次に、第１半導体層１０１より小さいバンドギャップエネルギーの化合物半導体からなる臨界膜厚以下の第２半導体層１０２を、第１半導体層１０１の上に接して形成し、次に、第２半導体層１０２の上にアモルファス状態の金属酸化物からなる絶縁層１０３を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化力が強い酸素含有ガスを用いて金属酸化膜を形成する際に、下地の電極の酸化を抑制する。
【解決手段】処理室内に少なくとも１種類の金属含有ガスを供給した後に排気して電極６１０上に前記金属含有ガスの吸着層を形成するステップの後に、前記処理室内に第１の酸素含有ガスを供給するステップを実施することで電極６１０の直上に第１の金属酸化層５１０を形成する工程と、続いて、前期処理室内に前記金属含有ガスを供給した後に排気して第１の金属酸化層５１０上に前記金属含有ガスの吸着層を形成するステップの後に、前記処理室内に前記第１の酸素含有ガスよりも酸化力が強い第２の酸素含有ガスを供給を供給するステップを実施することで第１の金属酸化層５１０上に第２の金属酸化層５６０を形成する工程と、をこの順に実施する。 （もっと読む）

【課題】 吸着／反応した後の原料ガスの排出時間を短縮し、原料ガスの置換効率、原料ガスの利用効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】 原料ガスを反応室に供給し、反応室内に設けられた昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上で原料ガスの反応により成膜する真空成膜装置１であって、真空成膜装置１の外壁で構成され、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた反応室である内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、処理対象物Ｓ上で成膜されるように構成されている。この装置を用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】１台の表面波プラズマＣＤＶ装置を用いて、組成および厚さの異なる薄膜を基板に連続成膜し、高スループットで超構造膜を形成する。
【解決手段】本発明は、共通の真空室内において基板に複数の薄膜を成膜する表面波プラズマＣＶＤ装置であって、この基板に成膜を行う複数のプラズマ生成ユニットと、各々のプラズマ生成ユニットに設けられた、プラズマ生成ガスを放出するプラズマ生成ガス放出口と成膜ガスを放出する成膜ガス放出口と、これら複数のプラズマ生成ユニットで成膜を行う成膜領域を真空室内で互いに隔てる隔壁と、各々のプラズマ生成ユニットの成膜領域の間で基板を移動可能に戴置可能とする移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】５００℃以下の低温でプラズマ等を用いなくても、ケイ素含有薄膜を効率良く作製できる材料を提供する。
【解決手段】クロロシラン誘導体（３）と化合物Ｍ^２Ｚ（４）を反応させ、一般式（１’）


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は各々独立にアルキル基を表す。Ｚがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、Ｍ^２はナトリウム原子等を表す。Ｚがアミノ基、の場合、Ｍ^２は水素原子等を表す。Ｚがアルケニル基の場合、Ｍ^２はハロゲン化マグネシウム基を表す。）で示されるヒドロシラン誘導体（１’）を製造し、これを材料としてケイ素含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤプロセス、ＡＬＤプロセス又はサイクリックＣＶＤプロセスを用いてＨＦ溶液中で極めて低いウェットエッチ速度を有する二酸化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法では、ケイ素前駆体は、Ｒ¹_nＲ²_mＳｉ（ＮＲ³Ｒ⁴）_4-n-m、及び（Ｒ¹Ｒ²ＳｉＮＲ³）_pの環状シラザンの１つから選択され、式中、Ｒ¹はアルケニル又は芳香族、例えばビニル、アリル及びフェニルであり、Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はＨ、Ｃ₁〜Ｃ₁₀の直鎖、分枝又は環状のアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₀の直鎖、分枝又は環状のアルケニル、及び芳香族から選択され、ｎ＝１〜３、ｍ＝０〜２、ｐ＝３〜４である。 （もっと読む）

【課題】静電容量が大きく、リーク特性に優れたキャパシタを容易に形成する。これにより、データ保持特性にすぐれ、集積度の高いＤＲＡＭ等の半導体装置を容易に形成する。
【解決手段】キャパシタの容量絶縁膜は、第１領域と第２領域を有する。第１領域は、Ｓｒ／Ｔｉの原子組成比が１．２以上１．６以下の範囲であるチタン酸ストロンチウムからなる。第２領域は、Ｓｒ／Ｔｉの原子組成比が０．８以上１．２未満の範囲であるチタン酸ストロンチウムからなる。 （もっと読む）

【課題】基板温度の上昇を抑えサーマルバジェットを抑制しつつ、基板を均一に加熱することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、マイクロ波源から供給されたマイクロ波を処理室に輻射するマイクロ波輻射部を有し、前記マイクロ波輻射部は回転するよう構成され、前記基板支持部で支持された基板の処理面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記マイクロ波供給部と前記基板支持部の間に設けた仕切りと、前記基板支持部に設けた冷却部と、各構成を制御する制御部とを備える基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、トンネル酸化膜、チャージトラップ膜、ブロッキング酸化膜、ゲート電極が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置を製造する方法であって、前記ブロッキング酸化膜を形成する工程が、前記チャージトラップ膜上に結晶質膜を形成する結晶質膜形成工程と、前記結晶質膜の上層にアモルファス膜を形成するアモルファス膜形成工程とを具備し、前記結晶質膜形成工程と、前記アモルファス膜形成工程とを同一の処理容器内で連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】良好な生産性を確保しつつ、優れた特性と信頼性の高いゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板９上にソース領域１７、チャンネル領域１８、ドレイン領域１９を有する活性層１１と、ゲート電極層１６と、活性層１１とゲート電極層１６との間に形成されるゲート絶縁層１５とを有する薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁層１５を、活性層１１側に形成される第１の酸化珪素膜１２と、ゲート電極層１６側に形成される第２の酸化珪素膜１４と、第１の酸化珪素膜１２と第２酸化珪素膜１４の間に形成される窒化珪素膜１３とで形成した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を促進させる方向を制御する。
【解決手段】インピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、プラズマ生成部による電力を制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、プラズマ処理を促進させる方向の電界を強くする。 （もっと読む）

【課題】レンズの反射を抑制することが可能な酸化膜を低温下で形成する。
【解決手段】基板に形成されたレンズの上に、第１元素を含む第１原料、第２元素を含む第２原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、レンズの屈折率より小さい屈折率を有する下層酸化膜を形成する下層酸化膜形成工程と、下層酸化膜の上に、第１原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、下層酸化膜の屈折率より小さい屈折率を有する上層酸化膜を形成する上層酸化膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板のサーマルバジェットを抑制しつつ、基板表面の誘電体を改質することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面に誘電体を含む基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部で支持された基板の表面側からマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、前記基板支持部で支持された基板の裏面側に設けられ、前記基板の裏面と対向する対向面を有する導電性の基板冷却部とを備え、基板処理時における前記基板支持部の上端と前記基板冷却部の対向面との間の距離が、前記供給されるマイクロ波の１／４波長の奇数倍の距離となるよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および膜の製造方法を提供する。
【解決手段】多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】形成される薄膜中に残留する副生成物や中間体の濃度を制御して基板処理することができる半導体製造方法や基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給するガス供給工程と、前記ガス供給工程に続けて、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給しつつ、前記供給されたガスに紫外光を照射して励起する第１のガス励起工程とから、半導体製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いられるキャパシタを効率よく、しかも少ない占有床面積で行うことができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００上に下電極を形成する工程（Ｓ１０４）と、下電極の上に、それぞれ異なる金属元素を含む３種の金属酸化膜を積層して誘電膜を形成する工程（Ｓ１０６、Ｓ１０８、Ｓ１１０）と、誘電膜の上に、上電極を形成する工程（Ｓ１１２）と、を有し、各工程は同一の装置で行う。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜中に取り込まれたＯＨを除去し、信頼性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを１回以上行うことで基板上に高誘電率絶縁層を形成する工程と、処理容器内にアンモニアガスを供給し排気することで高誘電率絶縁層を改質する工程と、を１セットとしてこのセットを１回以上行うことで基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】下部金属層、中間誘電体層、および上部金属層を含む層のスタックを、半導体基板上に形成する方法に関し、特に、金属−絶縁体−金属キャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】下部金属層は、Ｒｕ層の制御された酸化により得られたルテニウム酸化層により覆われたルテニウム層である。誘電体層は、酸化剤として水を用いた原子層成長による、薄いＴｉＯ_２保護層の最初の堆積と、これに続くＯ_３を酸化剤として用いたＡＬＤによる第２誘電体の堆積とにより得られる。好適には、第２誘電体は、ルチル相のＴｉＯ_２層である。薄い保護層は、Ｏ_３によるエッチングからＲｕを保護し、ルチル相ＴｉＯ_２の形成を容易にする。Ｒｕ層の粗さが変化しないように、Ｒｕ層を酸化する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のホール内に、良好なステップカバレッジを有する均一な膜厚の窒化シリコン層を形成する。
【解決手段】ホールを形成後、１回の第１サイクルと、１回以上の第２サイクルを行う。第１サイクルでは、ホールの上部内壁上に２原子層の第１のシリコン層、ホールの下部内壁上に１原子層の第１のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を１分子層の第１の酸化シリコン層とする。ホールの下部内壁上の第１のシリコン層に更に、１原子層の第２のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第１の窒化シリコン層を形成する。第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。この後、窒化処理により、ホールの内壁全面に第２の窒化シリコン層を形成する。 （もっと読む）