【課題】低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたＳｉＢＣＮ膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、ボロン含有ガスと窒化ガスとシラン含有ガスと炭化水素ガスとを供給して被処理体の表面にボロンと窒素とシリコンと炭素を含む薄膜を形成する成膜方法において、ボロン含有ガスと窒化ガスとを交互に間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＢＮ膜を形成する第１の工程と、シラン系ガスと炭化水素ガスと窒化ガスとを間欠的に供給するサイクルを１回以上行ってＳｉＣＮ膜を形成する第２の工程とを有する。これにより、低誘電率化、ウェットエッチング耐性の向上及びリーク電流の低減化が達成されたボロンと窒素とシリコンと炭素とを含む薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く、エッチング選択性が高く、アッシング可能なハードマスク（ＡＨＭ）を提供する。
【解決手段】プラズマ化学気相成長チャンバ内に基板を配置する段階を備える成膜方法を開示する。炭素系の第１のアッシング可能ハードマスク（ＡＨＭ）層１０を基板上に成膜する。第１のＡＨＭ層の成膜時に、シリコン、シラン、ホウ素、窒素、ゲルマニウム、炭素、アンモニア、および、二酸化炭素から成る群から選択される少なくとも１つのドーパントでドープを行う。少なくとも１つのドーパントの原子濃度は、第１のＡＨＭ層の５％以上である。 （もっと読む）

【課題】基板表面に、均一な高品質シリコン酸化膜を、基板温度２００−５００度の低温で形成すること、および、シリコン酸化膜を用いた半導体装置を提供し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さ３０％以内に抑え、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】シリコン酸化膜中にＫｒを含有することを特徴とする。シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにも係わらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする。 （もっと読む）

【課題】２桁以上高い固有抵抗値を持った酸化物絶縁膜を提供でき、適量の酸素原子を含有した酸化物半導体材料を半導体層に、酸素原子に加えて適量の炭素原子を含有した酸化物絶縁層材料をゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層に使った酸化物半導体薄膜トランジスタ素子およびその製造方法を得る。
【解決手段】酸化物半導体層中に、酸素原子に加えて、炭素原子を添加して酸化物絶縁膜を形成する。また、本発明に係る酸化物半導体薄膜トランジスタ素子は、酸化物材料がチャンネル半導体層に使われる酸化物半導体薄膜トランジスタ素子であって、前記酸化物絶縁膜は、前記チャンネル半導体層に使われる酸化物材料と同一材料でなり、ゲート絶縁層、チャンネル保護層、パッシベーション層のいずれかまたはすべてに用いる。 （もっと読む）

【課題】 トンネル絶縁膜を有するトランジスタにおいて、トンネル絶縁膜の電子トラップが増加することによるトランジスタの電気特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する
【解決手段】 実施形態に係る半導体装置は、半導体基板１と、前記半導体基板１上に形成されたトンネル絶縁膜２を含むトランジスタと、前記トランジスタの上方に形成されたＢを含むシリコン窒化膜７と、を備える。前記シリコン窒化膜７は、Ｂ−Ｎ結合を有する。 （もっと読む）

【課題】 フィルム、またはＲがＺｒとＨｆから選択されたＲ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏを備えた誘電材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＲがＺｒとＨｆから選択される、Ｒ−Ｇｅ−Ｔｉ−Ｏのフィルムを備えた誘電材料に関し、また、その製造方法に関連する。誘電材料は、公式Ｒ_x−Ｇｅ_y−Ｔｉ_z−Ｏ_wを有することが好ましく、ここで、．０５≧ｘ≦１、．０５≦ｙ≦１、０．１≧ｚ≦１、１≧ｗ≦２、ｘ＋ｙ＋ｚ≡１であり、さらに好ましくは、０．１５≧ｘ≦０．７、．０５≧ｙ≦０．３、０．２５≧ｚ≦０．７、１．９５≧ｗ≦２．０５であり、ｘ＋ｙ＋ｚ≡１である。本発明は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）装置のコンデンサを備えたシリコンチップ集積回路装置での使用に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温でシリコン含有窒化膜を成膜することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハにＳｉＮ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ウエハが収容される処理室に、ＤＣＳ（ジクロロシラン）を供給するシラン系ガス供給工程と、前記シラン系ガスの供給と同時ではないタイミングで、前記処理室にＮＨ_３（アンモニア）を供給する窒化ガス供給工程と、前記処理室にＴＥＡ（トリエチルアミン）を供給するアミン系ガス供給工程と、前記処理室の前記シラン系ガスまたは前記窒化ガスを排気する排気工程と、を有し、前記アミン系ガス供給工程は、前記シラン系ガス供給工程及び前記窒化ガス供給工程と合わせて行う。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜ＩＬ２を形成する際にＣＶＤ装置内に供給するポロジェンの流量を、ポロジェンおよびメチルジエトキシシランの合計の流量の３０％以上６０％以下とすることで、層間絶縁膜ＩＬ２内に形成される空孔１０の大きさを小さくし、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜への付着性が高く、低誘電率膜中への銅の拡散を効果的に防止できるバリア膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内に、絶縁膜が設けられたウエハＷを配置する工程と、処理容器１内にＴＥＯＳなどのシリコン原子を含む化合物のガスと水蒸気などのＯＨ基供与性ガスを供給し、絶縁膜の表面にＳｉ−ＯＨ基を形成させる表面改質工程と、処理容器１内にマンガン含有材料を含む成膜ガスを供給し、ＣＶＤ法によりＳｉ−ＯＨ基が形成された絶縁膜の表面にマンガン含有膜を成膜する成膜工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗を低減することができるＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ、ＧａＮ−ＩＧＢＴ、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極（Ｍ）１６とＳｉＮゲート絶縁膜（Ｉ）１３と半導体層（ＧａＮ）１２とのＭＩＳ構造を有するＧａＮ−ＭＩＳトランジスタ１５０であって、半導体層は、オーミックコンタクト用ｎ^＋ＧａＮ領域１４が離間した２箇所に形成され、ＳｉＮゲート絶縁膜は、２箇所のオーミックコンタクト用ｎ^＋ＧａＮ領域の基板反対側表面に熱ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＮ膜である。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉチヤネルを有するＮＭＯＳとＳｉＧｅチャネルを有するＰＭＯＳで、ＮＭＯＳには引張り歪みを与える、ＰＭＯＳには、表面のダングリングボンドを減少させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板５０の一部領域にシリコンゲルマニウムチャネル膜５４ａを形成し、ＰＭＯＳトランジスタを、シリコン膜６０ａを形成し、ＮＭＯＳトランジスタを形成する。単結晶シリコン基板、シリコンゲルマニウムチャネル膜、ＰＭＯＳトランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタの表面上に、反応ガス、雰囲気ガス及び水素ガスを含む蒸着ガスを用いて、シリコン窒化膜８２を形成し、ＰＭＯＳトランジスタは、シリコンゲルマニウムチャネル膜表面のダングリングボンドの除去により、ホールスキャタリングが抑制され、ＮＭＯＳトランジスタには引張り歪みを与えることにより動作特性の改善ができる。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る誘電体膜の製造方法は、基板上に、ＡｌとＳｉとＯを主成分とする金属酸化物である誘電体膜を形成する誘電体膜の製造方法であって、Ａｌ元素とＳｉ元素のモル比率Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ａｌ）が０＜（Ｂ／（Ａ＋Ｂ））≦０．１であり、非晶質構造を有する金属酸化物を形成する工程と、該非晶質構造を有する金属酸化物に１０００℃以上のアニール処理を施し、結晶相を含む金属酸化物を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＯ_２膜やＳｒＴｉＯ膜の結晶性を制御し、誘電率を増大させる。
【解決手段】基板上に立方晶もしくは斜方晶の結晶性を持つ第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成し、第１の高誘電率絶縁膜の結晶性を第２の高誘電率絶縁膜に反映させて、第２の高誘電率絶縁膜の結晶性をルチル構造とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。
【解決手段】単層構造の層間絶縁膜である第３の絶縁膜１０７は複数の空孔１２０を有している。第３の絶縁膜１０７における単位体積当たりの空孔占有率は膜厚方向に変化している。 （もっと読む）

【課題】基板配列領域における全領域で低ＷＥＲを確保するとともに、良好なＷＩＷを得る。
【解決手段】炭素が添加された窒化シリコン膜を形成する工程では、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して基板上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第１工程と、処理容器内に窒素を含むガスを熱で活性化して供給することで、シリコン膜を熱窒化して窒化シリコン膜に改質する第２工程と、処理容器内にシリコンを含むガスを供給して窒化シリコン膜上に１原子層から数原子層のシリコン膜を形成する第３工程と、処理容器内に炭素を含むガスを熱で活性化して供給することで、窒化シリコン膜上に形成された前記シリコン膜または窒化シリコン膜に炭素を添加する第４工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に発生する物質による基板の汚染を防止して清浄な基板処理を低コストで実行可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射領域に対して基板ＷがＸ方向に移動する。これにより電子ビーム照射領域が基板表面全体に走査される。電子ビーム照射領域では、電子ビーム照射が基板表面に向けて照射されて未硬化状態の層間絶縁膜に対して硬化処理が施される。ここでは、基板移動範囲ＭＲに渡って基板表面Ｗを覆うようにパージボックス４７が配置されて基板表面側雰囲気ＡＰが形成される。そして、その基板表面側雰囲気ＡＰのうち電子ビーム照射領域の周囲から雰囲気管理されている。このため、電子ビーム照射によって発生する汚染物質は直ちに電子ビーム照射領域から排出される。 （もっと読む）

【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数ｐＫａが３．５以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】残渣の少ないＣＶＤ用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖／分岐／環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が２００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下の量である組成物。前記安定剤化合物が２６５℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物（例えば、４−メトキシフェノール）であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 （もっと読む）

キャッピング層は、汚染からアクティブチャネルを保護するために、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアクティブチャネルの上に堆積してもよい。キャッピング層は、ＴＦＴの性能に影響するかもしれない。キャッピング層があまりに多量の水素、窒素、又は酸素を含んでいるならば、ＴＦＴの閾値電圧、サブスレショルドスロープ、及び移動度に否定的に影響を与えるかもしれない。窒素、酸素、及び水素含有ガスの流速の比率を制御することによって、ＴＦＴの性能が最適化されるかもしれない。更に、電力密度、キャッピング層堆積圧、及び温度も、ＴＦＴ性能を最適化するために制御してもよい。
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