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Fターム[5F058BF37]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜の形成法 (10,542) | 気相堆積 (7,977) | 堆積条件制御 (997) | 反応ガス流量制御 (623)

Fターム[5F058BF37]に分類される特許

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【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜8bを形成する工程と、タングステン膜8b上に窒化チタン膜からなる下部電極13を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極13上に容量絶縁膜14を形成する工程と、容量絶縁膜14上に上部電極15を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置1は、ターゲット8に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット12を備える。ターゲット8に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてPID制御部10に出力する放電用電源9と、マグネット12の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源11とを有する。PID制御部10は、放電用電源9から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット12の電磁石に対する通電量をPID制御するように構成されている。 (もっと読む)


【課題】低温領域において適正な特性を有するSiC系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法,基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタでは、酸化物半導体膜への水素原子の混入が信頼性に悪影響を与える。製造後の半導体装置に混入しうる、水素原子を有する物質として代表的なものは、水である。そこで酸化物半導体を用いた半導体装置に混入する、水素原子を有する物質、特に水を低減することとする。
【解決手段】高密度な酸化窒化シリコン膜は水を含む雰囲気下であっても水の侵入を防ぐ効果が高く、膨潤が少ないことが明らかとなった。そこで高密度な酸化窒化シリコン膜を保護膜として設け、酸化物半導体を用いた半導体装置への水の侵入を防ぐ。具体的には、密度が2.32g/cm以上、またはプレッシャークッカー試験前後において膨潤率が4体積%以下、またはフーリエ変換型赤外分光法によるスペクトルのピーク(極大吸収波数)が1056cm−1以上に現れる、酸化窒化シリコン膜を保護膜として用いる。 (もっと読む)


【課題】前駆体及び膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Xm1npSi(NR234-m-n-pの式Iを有し、式中、XはCl、Br、Iから選択され;R1は直鎖又は分岐C1−C10アルキル基、C2−C12アルケニル基、C2−C12アルキニル基、C4−C10環状アルキル及びC6−C10アリール基から選択され;R2は直鎖又は分岐C1−C10アルキル、C3−C12アルケニル基、C3−C12アルキニル基、C4−C10環状アルキル基及びC6−C10アリール基から選択され;R3は分岐C3−C10アルキル基、C3−C12アルケニル基、C3−C12アルキニル基、C4−C10環状アルキル基及びC6−C10アリール基から選択され;mは1又は2;nは0、1又は2;pは0、1又は2;m+n+pは4未満であり、R2とR3は連結されて環を形成し又は環を形成するために連結されていない前駆体が提供される。 (もっと読む)


【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Pb、Zr、Tiを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Pb(406nm)のスペクトル強度IPb、Zr(468nm)のスペクトル強度IZr、Ti(453nm)のスペクトル強度ITiをそれぞれ求める。IPb/(IZr+ITi)の値をPとしたとき、0.4<P<0.7を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板200が収容される処理室201と、気化空間271を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料270を気化して気化ガスを生成する液体原料容器260と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン240aと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置263と、気化空間内の圧力を測定する圧力計261と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部266と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性等を向上させる。
【解決手段】 大気圧未満の圧力下にある処理容器内の第1の温度に加熱された基板に対して、第1の原料ガスを供給する工程と、酸化ガスおよび還元ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に酸化膜を形成する工程と、処理容器内の第1の温度以上第2の温度以下の温度に加熱された基板に対して窒化ガスを供給することにより、酸化膜の表面にシード層を形成する工程と、処理容器内の第2の温度に加熱された基板に対して、第2の原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜の表面に形成されたシード層上に窒化膜を形成する工程と、を行う。 (もっと読む)


【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第1の金属酸化物層と、多結晶構造を有する第2の金属酸化物層を含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第1の金属酸化物層は結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第2の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第1の金属酸化物層および第2の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。 (もっと読む)


【課題】配線幅が異なる第1及び第2の配線を有する配線パターンの上に形成された絶縁層を、十分に平坦化すること。
【解決手段】基板上に、第1の配線及び第1の配線よりも配線幅が小さい第2の配線を有する配線パターンを形成する配線形成工程S10と、配線パターンの上から、第1の絶縁層及び第2の絶縁層をこの順に形成する絶縁層形成工程S20と、第2の絶縁層の上に、配線パターンの反転パターンを有するレジストパターンを形成するレジスト形成工程S30と、第2の絶縁層の方が第1の絶縁層よりもエッチングされやすい条件で等方性エッチングするエッチング工程S40と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程S50と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 (もっと読む)


【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置1のチャンバー6内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーWが搬入され、保持プレート7によって保持される。フィルタ機構2は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ20をチャンバー6のチャンバー窓61とフラッシュ照射部5のフラッシュランプFLとの間に挿入する。フラッシュランプFLから出射されたフラッシュ光がフィルタ20を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーWの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】複数の種類のガスを用いる場合においても、所望の膜質を得られる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、複数の基板900を円周方向に支持するサセプタ60と、サセプタを回転させる回転機構120と、サセプタの支持面62上の空間に設けられた複数の領域と、これらの複数の領域にガスを供給するガス供給部200と、を有し、ガス供給部200は、複数の領域における隣り合う領域で同じガスを供給するか、若しくは複数の領域における隣り合う領域で異なるガスを供給するかが選択可能な構成である。 (もっと読む)


【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室にそれ単独で固体となる第1の元素を含む第1の処理ガスをCVD反応が生じる温度条件下で供給することで、前記基板上に前記第1の元素を含む第1の層を形成する工程と、前記処理室にそれ単独では固体とならない第2の元素を含む第2の処理ガスを供給することで、前記第2の処理ガスと前記第1の層を反応させ前記第1の元素および前記第2の元素を含む第2の層を形成する工程と、を1回ずつ含むサイクルを1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことで、所定膜厚の前記第1の元素および前記第2の元素を含む薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】良質な膜を簡便に形成する膜形成方法および膜形成装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、少なくとも1つの有機官能基と、加水分解を起こす1つの官能基と、を含む有機ケイ素化合物を、大気雰囲気において基板の表面に供給する第1の工程と、前記有機ケイ素化合物を前記基板の前記表面に供給後、前記有機官能基を酸化し、前記基板の前記表面上にケイ素と酸素とを含む層を形成する第2の工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】EOTの低減及びリーク電流の低減を両立できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理体上に第1の高誘電率絶縁膜を成膜する第1の成膜工程と、前記第1の高誘電率絶縁膜を、650℃以上で60秒未満の間熱処理する結晶化熱処理工程と、前記第1の高誘電率絶縁膜上に、前記第1の高誘電率絶縁膜の金属元素のイオン半径よりも小さいイオン半径を有する金属元素を有し、前記第1の高誘電率絶縁膜よりも比誘電率が大きい、第2の高誘電率絶縁膜を成膜する第2の成膜工程と、を含む、半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層すると共に基板に対してプラズマ処理を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】2つのプラズマ発生部81、82を回転テーブル2の回転方向に互いに離間させて設けると共に、これらプラズマ発生部81、82とウエハWとの間にファラデーシールド95を各々配置する。そして、各々のプラズマ発生部81、82におけるアンテナ83と直交する方向に伸びるスリット97を各々のファラデーシールド95に設けて、各々のアンテナ83において発生する電磁界のうち電界については遮断し、一方磁界についてはウエハW側に通過させる。 (もっと読む)


【課題】柱状形状を有し密に配列される電極の倒壊を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、柱状形状を有するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記電界トランジスタの不純物拡散領域と電気的に接続し、柱状形状を有する第1の電極と、前記第1の電極の少なくとも側面に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成される第2の電極と、前記柱状形状を有する前記第1の電極の長手方向と交差する方向に延び、前記第2の電極の少なくとも一部を貫通して前記第1の電極を連結するホウ素添加窒化シリコン膜により形成される支持膜とを備える半導体装置により、上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器2内に、基板であるウエハWの載置領域を備えた載置台3と、この載置台3と対向する天板部材4とを設け、載置台3を昇降機構5により天板部材4側へ上昇させて、載置台3と天板部材4との間で処理空間Sを形成する。載置台3における載置領域の外側領域と天板部材4との少なくとも一方には突起部43が設けられ、前記処理空間Sの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材4との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の1mm未満の隙間40が形成される。隙間40が狭小であることから、処理空間S内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 (もっと読む)


【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してSiC等のSiC系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板200を処理室201内に収容する工程と、加熱された処理室201内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板200上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室201内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室201内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室201内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室201内を排気する工程と、を有する。 (もっと読む)


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