【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲット８に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット１２を備える。ターゲット８に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてＰＩＤ制御部１０に出力する放電用電源９と、マグネット１２の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源１１とを有する。ＰＩＤ制御部１０は、放電用電源９から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット１２の電磁石に対する通電量をＰＩＤ制御するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。
【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 （もっと読む）

【課題】基板におけるプラズマ誘発損傷を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板２１６をチャンバ２１０内に配置し、一つ以上のプロセスガスをチャンバ２１０内に流入させ、プラズマ源電力を第１電力レベルで加えることにより、一つ以上の該プロセスガスからプラズマを生成させ、基板２１６上に膜を堆積させ、該プラズマ源電力を堆積後に該第１電力レベル以下に逓減させる。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】４００℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上にＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＣＨ_３）_２、Ｚｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＯＣＨ_３）ＣＨ_３及びＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_２ＣＨ_３）］［Ｎ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）］_３の何れか一つの前駆体を用いて４００℃〜５００℃の温度で形成されたジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ_２）１４０を含む高誘電絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法により基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０を設けて反応生成物の改質処理を行うにあたり、天板１１に開口部１１ａを形成し、この開口部１１ａ内に筐体９０を配置する。そして、この筐体９０の内部に、回転テーブル２上のウエハＷに近接するようにプラズマ発生部８０を収納する。また、プラズマ発生部８０とウエハＷとの間にファラデーシールド９５を設けて、プラズマ発生部８０で発生する電界及び磁界のうち電界を遮断して磁界をウエハＷに到達させるために、当該ファラデーシールド９５にスリット９７を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質な膜の形成を可能とできるプラズマ成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ状態とし、重畳バイアス電圧をバイアス電圧印加部１１に印加し、マイナス電圧区間ではイオンがワーク１４に衝突して該ワーク表面に膜層を形成して行き、プラス電圧区間５３では前記膜層の弱い付着力のイオンは該膜層から離れ移動し、かつ、電子が前記膜層に衝突して弱い付着力のイオンおよび該膜層の一部を剥がし、強付着力の膜による第１回目強付着膜層を残し、マイナス電圧区間とプラス電圧区間を繰り返すことにより、前記第１回目強付着膜層〜前記第ｎ回目強付着膜層からなる多層膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】安定してプラズマを発生させることができる原子層堆積装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、成膜容器と、薄膜の原料である原料ガスを成膜容器に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを成膜容器に供給する反応ガス供給部と、成膜容器の内部にプラズマを発生させるために高周波電流を供給する高周波電源と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御し、かつ、高周波電源が高周波電流を供給するタイミングを制御する制御部と、点火プラグを備える点火室と、成膜容器と点火室との間に配置されるバルブと、を備えることを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】中性粒子ビームと平行に原料ガスをウェハに導入でき、ウェハ上に形成される膜の面内均一性を向上することが可能な中性粒子照射型ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】コイル１８によって希ガスを励起してプラズマを発生させるプラズマ発生部１２から中性粒子を取り出して反応室１０内のウェハ１４に向けて導入できる複数の開口２２ａを有するカソード電極２２と、ウェハ１４の直上から前記中性粒子と平行に原料ガスをウェハに供給するガス供給部３１と、を具備するＣＶＤ装置とする。 （もっと読む）

【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】高い絶縁破壊耐圧のＭＩＭキャパシタを提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された下部電極１２と、前記下部電極上に形成された第１の絶縁体膜１３と、前記第１の絶縁体膜上に形成される第２の絶縁体膜１４と、前記第２の絶縁体膜上に形成される第３の絶縁体膜１５と、前記第３の絶縁体膜上に形成される上部電極１６と、を有し、前記第１の絶縁体膜における密度は、前記第２の絶縁体膜における密度よりも高く、前記第３の絶縁体膜における密度は、前記第２の絶縁体膜における密度よりも高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 （もっと読む）

【課題】W等の金属膜の酸化を防止しつつ、金属膜上に低温で酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜が形成された少なくとも１枚のウエハ３１０を処理室３１８内に搬入する工程と、金属膜を含むウエハ３１０表面にシリコンを含む酸化膜を形成する工程と、を少なくとも備える半導体装置の製造方法であって、酸化膜の形成工程は、ウエハ３１０を所定の温度に加熱しながら、シリコン原子を含む第１の反応物質を処理室３１８内に供給する工程と、ウエハ３１０を所定の温度に加熱しながら、酸素原子を含む第２の反応物質と、水素とを処理室３１８内に供給する工程と、を有し、処理室３１８内の加熱温度と、水素に対する第２の反応物質の供給比を制御することにより、金属膜の酸化を制御する。 （もっと読む）

誘電体層を形成する方法を説明する。この方法は、ケイ素を含有する前駆体をプラズマ廃水と混合するステップと、ケイ素と窒素を含有する層を基板上に堆積するステップとを含む。ケイ素と窒素を含有する層は、ケイ素と窒素を含有する層を堆積するために使用したのと同じ基板処理領域内においてオゾン含有雰囲気中で硬化することによって、ケイ素と酸素を含有する層に転換される。さらなるケイ素と窒素を含有する層を、ケイ素と酸素を含有する層の上に堆積することができ、ここでも基板を基板処理領域から取り出すことなく、層のスタックをオゾン中で硬化させることができる。複数回の堆積−硬化サイクル後、ケイ素と酸素を含有する層のスタックの転換は、より高い温度で酸素含有環境中においてアニールすることができる。
（もっと読む）

【課題】層間絶縁膜を備えた半導体装置において、膜剥がれの発生及びリークパスの形成を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、複数の空孔を含む層間絶縁膜１６を備えている。層間絶縁膜１６は、単層構造の膜である。層間絶縁膜１６における、下面領域に含まれる空孔の空孔径及び上面領域に含まれる空孔の空孔径は、上面領域と下面領域との間に介在する中央領域に含まれる空孔の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。 （もっと読む）