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Fターム[5F058BF39]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜の形成法 (10,542) | 気相堆積 (7,977) | 堆積条件制御 (997) | 印加エネルギー制御 (193) | 電力 (88)

Fターム[5F058BF39]に分類される特許

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【課題】透明導電膜の透過率を低下させることなく、絶縁保護膜を形成することができる絶縁保護膜形成方法を提供する。
【解決手段】透明基板に形成された透明導電膜上にプラズマ処理により絶縁保護膜を形成する絶縁保護膜形成方法において、基板の単位面積当たりのプラズマのRFパワーを1.84W/cm2以下とし、加熱時間を60秒以下として、プラズマにより透明基板を加熱し(S1)、RFパワーを1.84W/cm2以下として、透明導電膜上に第1の絶縁保護膜を形成し(S2)、RFパワーを1.84W/cm2より大きくして、第1の絶縁保護膜上に第2の絶縁保護膜を形成する(S3)。 (もっと読む)


【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】GaN系HFETは、ゲート絶縁膜17をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が6.25×10−4(A/cm)であるとき、3.9×10Ωcmであった。抵抗率ρ=3.9×10Ωcmの半絶縁膜によるゲート絶縁膜15を備えたことで、1000Vの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×1011Ωcmを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、1×10Ωcmを下回るとゲートリーク電流が増大する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタでは、酸化物半導体膜への水素原子の混入が信頼性に悪影響を与える。製造後の半導体装置に混入しうる、水素原子を有する物質として代表的なものは、水である。そこで酸化物半導体を用いた半導体装置に混入する、水素原子を有する物質、特に水を低減することとする。
【解決手段】高密度な酸化窒化シリコン膜は水を含む雰囲気下であっても水の侵入を防ぐ効果が高く、膨潤が少ないことが明らかとなった。そこで高密度な酸化窒化シリコン膜を保護膜として設け、酸化物半導体を用いた半導体装置への水の侵入を防ぐ。具体的には、密度が2.32g/cm以上、またはプレッシャークッカー試験前後において膨潤率が4体積%以下、またはフーリエ変換型赤外分光法によるスペクトルのピーク(極大吸収波数)が1056cm−1以上に現れる、酸化窒化シリコン膜を保護膜として用いる。 (もっと読む)


【課題】プラズマを用いたスパッタ法によって、Pb、Zr、Tiを含む誘電体薄膜を成膜する場合でも、圧電特性の高い誘電体薄膜を安定して成膜する。
【解決手段】誘電体薄膜のスパッタによる成膜中に、プラズマの発光分析を行って、上記プラズマの発光スペクトルを取得する。そして、上記発光スペクトルに含まれる、Pb(406nm)のスペクトル強度IPb、Zr(468nm)のスペクトル強度IZr、Ti(453nm)のスペクトル強度ITiをそれぞれ求める。IPb/(IZr+ITi)の値をPとしたとき、0.4<P<0.7を満足するように成膜条件を制御しながら、上記誘電体薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】配線幅が異なる第1及び第2の配線を有する配線パターンの上に形成された絶縁層を、十分に平坦化すること。
【解決手段】基板上に、第1の配線及び第1の配線よりも配線幅が小さい第2の配線を有する配線パターンを形成する配線形成工程S10と、配線パターンの上から、第1の絶縁層及び第2の絶縁層をこの順に形成する絶縁層形成工程S20と、第2の絶縁層の上に、配線パターンの反転パターンを有するレジストパターンを形成するレジスト形成工程S30と、第2の絶縁層の方が第1の絶縁層よりもエッチングされやすい条件で等方性エッチングするエッチング工程S40と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程S50と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 (もっと読む)


【課題】柱状形状を有し密に配列される電極の倒壊を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、柱状形状を有するキャパシタとを有する半導体装置であって、前記電界トランジスタの不純物拡散領域と電気的に接続し、柱状形状を有する第1の電極と、前記第1の電極の少なくとも側面に形成される誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成される第2の電極と、前記柱状形状を有する前記第1の電極の長手方向と交差する方向に延び、前記第2の電極の少なくとも一部を貫通して前記第1の電極を連結するホウ素添加窒化シリコン膜により形成される支持膜とを備える半導体装置により、上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】良好な電気特性を有する半導体装置および該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に水素透過膜を形成し、水素透過膜上に水素捕縛膜を形成し、加熱処理を行って、酸化物半導体膜から水素を脱離させ、酸化物半導体膜の一部に接するソース電極およびドレイン電極を形成し、水素捕縛膜の露出されている部分を除去して、水素透過膜のチャネル保護膜を形成する半導体装置の作製方法である。また、該作製方法で作製された半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.(0℃、大気圧)、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.(0℃、大気圧)とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ウエハ上に膜厚及び膜質が均一な薄膜を形成できる方法を提供する。
【解決手段】平行平板電極を構成するサセプタ26にウエハWを載置し、シャワーヘッド9に高周波を供給してサセプタ26との間にプラズマを生成し、ウエハWに薄膜を形成する際に、シャワーヘッド9を内側電極部91と外側電極部92に分割するとともに、シャワーヘッド9全体に一応に同じレベルの電圧を供給して薄膜を形成したときに、ウエハWの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも薄くなる場合には、内側電極部91に供給される高周波電力よりも大きな高周波電力を外側電極部92に供給してウエハW上に薄膜を形成し、ウエハWの周縁部の膜厚が、周縁部よりも内側部分の膜厚よりも厚くなる場合には、内側電極部91に供給される高周波電力よりも小さな高周波電力を外側電極部92に供給してウエハW上に薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】アモルファスカーボン膜のパターン寸法ばらつきが低減した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に下地膜を形成する工程と、下地膜上にアモルファスカーボン膜を成膜する工程と、アモルファスカーボン膜のパターンを形成する工程と、アモルファスカーボン膜をマスクにして下地膜をエッチングする工程を有する。アモルファスカーボン膜は、アモルファスカーボン膜の表面から下地膜に接する面に向かってその厚み方向を進むにつれて、アモルファスカーボン膜の膜密度を小さくする。 (もっと読む)


【課題】薄膜トランジスター表示板およびその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスター表示板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に位置するゲート線と、前記ゲート線と交差するデータ線と、前記ゲート線およびデータ線と連結されている薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスターのゲート電極と前記薄膜トランジスターの半導体との間に位置するゲート絶縁膜と、前記薄膜トランジスターと連結されている画素電極と、前記画素電極と前記薄膜トランジスターとの間に位置する保護膜と、を備え、前記ゲート絶縁膜および前記保護膜のうちの少なくとも一方は、窒化シリコン膜を含み、前記窒化シリコン膜は、2×1022cm以下または4atomic%以下にて水素を含む。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜の上に形成された第2の層間
絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜、前記第1の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第1の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の1/3以下に形成する。 (もっと読む)


【課題】基板に吸着したガスに含まれる不純物を効果的に除去しつつ基板処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記処理室内へ搬入された基板に、第1のガスを吸着させる第1ガス供給工程と、前記第1ガス供給工程の後、前記処理室内から第1のガスを排気する第1ガス排気工程と、前記第1ガス排気工程の後、前記基板に付着した第1のガスを、分解機構により分解する第1分解工程と、前記第1分解工程の後、前記処理室内へ第2のガスを供給しつつ、前記分解機構により第2のガスを分解する第2ガス供給工程と、前記第2ガス供給工程の後、前記基板を処理室内から搬出する搬出工程とから、基板処理方法を構成する。 (もっと読む)


【課題】バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理により基板19上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜41と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板19にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜31と基板19にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜32とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜32を膜41に接する側に配置する。 (もっと読む)


【課題】バイアスパワーを印加して、窒化珪素膜を成膜する際、基板周辺部におけるブリスタの発生を抑制する窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】半導体素子に用いる窒化珪素膜を、プラズマ処理により基板上に形成する窒化珪素膜の製造方法及び装置において、時間b1において基板にバイアスを印加すると共に、バイアスを印加した後、時間b3において、窒化珪素膜の原料ガスSiH4の供給を開始する。 (もっと読む)


【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素(SiCN)膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第1のガスと、窒素を含有する第2のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマCVD法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でSi−N−Si結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の7%以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 (もっと読む)


【課題】原子層堆積方法および原子層堆積装置は、従来のような防湿性を維持しつつ、内部応力の小さな薄膜を形成する。
【解決手段】基板に薄膜を形成するとき、基板が配置された、減圧した成膜空間内に、原料ガスを一定期間供給する。この後、原料ガスの前記成膜空間への供給後、原料ガスの成分を吸着した基板に向けて、前記成膜空間内に反応ガスを供給し、プラズマ生成素子を用いて反応ガスを活性化させることにより、基板に吸着された原料ガスの成分と反応ガスの成分を反応させて、基板に所定の薄膜を形成させる。上記原料ガスの供給と反応ガスの供給を繰り返し行うことにより、所定の厚さの薄膜を基板に形成する。このとき、上記原料ガスの供給と反応ガスの供給の繰り返し回数が増えるに従って、段階的にあるいは連続的にプラズマ生成素子への供給電力を増加させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高い反応性をもつガス(ラジカル)を利用できるようにラジカル発生装置を用いて、いかなる元素の薄膜の成長をも容易に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのAl薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム(TMA)にパーツを接触させること、ガス状のTMAの供給を停止すること、チャンバからガス状のTMAを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 (もっと読む)


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