【課題】環境負荷が小さく、歪量が大きい液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層７０と圧電体層７０に設けられた電極６０，８０とを具備する圧電素子３００を備え、圧電体層７０は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含みペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、圧電体層７０に駆動電圧Ｖ_ａを印加したときの変位量をＺ_ｍａｘ、その後印加電圧を０Ｖにしたときの変位量をＺ_０としたとき、（Ｚ_ｍａｘ−Ｚ_０）／Ｖ_ａが７０ｐｍ／Ｖ以上且つ比誘電率が７００以下である。 （もっと読む）

【課題】強誘電体ゲート薄膜トランジスターの伝達特性が劣化し易い（例えばメモリウインドウの幅が狭くなり易い）という問題をはじめとして、ＰＺＴ層から酸化物導電体層にＰｂ原子が拡散することに起因して生ずることがある種々の問題が解決された強誘電体ゲート薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】強誘電体ゲート薄膜トランジスター２０は、チャネル層２８と、チャネル層２８の導通状態を制御するゲート電極層２２と、チャネル層２８とゲート電極層２２との間に配置された強誘電体層からなるゲート絶縁層２５とを備え、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５は、ＰＺＴ層２３と、ＢＬＴ層２４（Ｐｂ拡散防止層）とが積層された構造を有し、チャネル層２８（酸化物導電体層）は、ゲート絶縁層（強誘電体層）２５におけるＢＬＴ層（Ｐｂ拡散防止層）２４側の面に配置されている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池（光電変換素子）の反射防止膜等に適応可能な、チタニア・シリカを主成分とする被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】アルコキシシラン化合物の加水分解物および／またはその部分縮合体と、過酸化チタンと、シリカ微粒子と水とを少なくとも含有する被膜形成用組成物であって、その被膜形成用組成物の製造工程は、シリカ微粒子を含有し、ｐＨが７．０〜１１．０のコロイダルシリカゾルと、アルコキシシラン化合物の加水分解物および／またはその部分縮合体を含有し、そのｐＨが６．０〜８．０の組成物とを混合する工程を少なくとも含む被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】より短時間で簡単にシリコンウェーハの外周部分のみ選択的にシリコン酸化膜を形成できるシリコン酸化膜の形成方法及び形成装置を提供することを目的とする。また、高生産性でＳＦＱＲとＥＳＦＱＲとを共に改善できるシリコンウェーハの研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】円形状のシリコンウェーハにシリコン酸化膜をシリコンウェーハ表面の外周部分に形成するとともにシリコンウェーハ表面の中央部分ではシリコンウェーハ表面が露出するように形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、シリコンウェーハを回転テーブルで保持し、該回転テーブルで保持したシリコンウェーハを回転させながらシリコンウェーハ表面の外周部分にオゾン水を供給しつつシリコンウェーハ表面の中央部分に純水を供給することによってシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の１つの薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極２２０とチャネル４０との間に、ゲート電極２０に接する、ビスマス（Ｂｉ）とニオブ（Ｎｂ）とからなる第１酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３２と、チャネル４０に接する、ランタン（Ｌａ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物、ランタン（Ｌａ）とジルコニウム（Ｚｒ）とからなる酸化物、及びストロンチウム（Ｓｒ）とタンタル（Ｔａ）とからなる酸化物の群から選択される１種の第２酸化物（不可避不純物を含み得る）の層３４との積層酸化物３０を備え、チャネル４０が、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とからなるチャネル用酸化物（不可避不純物を含み得る）である。 （もっと読む）

【課題】前駆体及び膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｘ_mＲ¹_nＨ_pＳｉ（ＮＲ²Ｒ³）_4-m-n-pの式Ｉを有し、式中、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉから選択され；Ｒ¹は直鎖又は分岐Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₂−Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₂−Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₄−Ｃ₁₀環状アルキル及びＣ₆−Ｃ₁₀アリール基から選択され；Ｒ²は直鎖又は分岐Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₃−Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₄−Ｃ₁₀環状アルキル基及びＣ₆−Ｃ₁₀アリール基から選択され；Ｒ³は分岐Ｃ₃−Ｃ₁₀アルキル基、Ｃ₃−Ｃ₁₂アルケニル基、Ｃ₃−Ｃ₁₂アルキニル基、Ｃ₄−Ｃ₁₀環状アルキル基及びＣ₆−Ｃ₁₀アリール基から選択され；ｍは１又は２；ｎは０、１又は２；ｐは０、１又は２；ｍ＋ｎ＋ｐは４未満であり、Ｒ²とＲ³は連結されて環を形成し又は環を形成するために連結されていない前駆体が提供される。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物薄膜パターンの形成に適した成型材料、及び当該材料を用いて成型体を製造する際の最適条件を提供すること。
【解決手段】本発明の成型材料は、金属アルコキシドのオリゴマーを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料層の電気特性をより一層向上させることが可能な強誘電体材料層の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の１つの強誘電体材料層の製造方法は、基材上にゾルゲル溶液を塗布することにより、強誘電体材料の前駆体層を形成する強誘電体材料前駆体層形成工程と、その前駆体層を１２０℃〜２５０℃の範囲内にある第１温度で乾燥させる乾燥工程と、その前駆体層を第１温度よりも高く、かつ、１５０℃〜３００℃の範囲内にある第２温度に加熱した状態で前述の前駆体層に対して型押し加工を施す型押し工程と、その前駆体層を第２温度よりも高い第３温度で熱処理することにより、その前駆体層から強誘電体材料層を形成する強誘電体材料層形成工程とを、この順序で含む。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された液体噴射ヘッド、液体噴射装置、及び圧電素子を提供する。
【解決手段】弾性膜５０、密着層５６、第１電極６０、圧電体層７０、及び第２電極８０を備えた圧電素子３００を具備し、圧電体層７０は、少なくともビスマス、バリウム、鉄、及びチタンを含むペロブスカイト型構造の複合酸化物からなり、チタンとバリウムのモル比（Ｔｉ／Ｂａ）が１．１７以上１．４５以下である。 （もっと読む）

【課題】保護膜溶液組成物を提供すること。
【解決手段】下記の化学式１で表わされる有機シロキサン樹脂を含む保護膜溶液組成物：



・・・化学式１
（式中、Ｒは１乃至２５個の炭素を有する飽和炭化水素または不飽和炭化水素から選ばれた少なくとも一つの置換基であり、ｘ、ｙはそれぞれ１乃至２００であり、各波線は水素原子、ｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示すか、あるいは、ｘシロキサン単位、ｙシロキサン単位またはこれらの組み合わせを含む他の有機シロキサン鎖のｘシロキサン単位またはｙシロキサン単位との結合を示す）。 （もっと読む）

【課題】ウエハに設けられた微細孔内に流動性充填材を、より確実に充填し得、しかも、ウエハ上から充填材残渣を取り払い得る充填方法、そのための充填装置及びウエハを提供すること。
【解決手段】ウエハ７に存在する微細孔７３内に流し込まれた流動性充填材９を、加圧手段１，３により加圧する工程において、ウエハ７の受圧面７１に対する流動性充填材９の表面張力と、加圧手段１，３の加圧面３１１に対する流動性充填材９の表面張力とを互いに異ならせる。 （もっと読む）

【課題】少なくともＢｉ、Ｂａ、Ｆｅ及びＴｉを含む圧電体層を有する圧電素子、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置の性能を向上させることにある。
【解決手段】少なくともビスマス、バリウム、鉄及びチタンを含むペロブスカイト型酸化物を形成するための圧電体前駆体溶液は、少なくとも、ビスマス塩、バリウム塩、鉄塩、並びに、チタンの部分アルコキシド（チタンにアルコキシ基及び該アルコキシ基以外の官能基が結合したチタン化合物）を含む。圧電セラミックスの製造方法は、前記圧電体前駆体溶液を塗布する工程と、該塗布した前駆体溶液を結晶化させてペロブスカイト型酸化物を含む圧電セラミックスを形成する工程と、を備える。圧電素子の製造方法は、前記圧電セラミックスに電極を形成する工程を備える。液体噴射ヘッドの製造方法は、前記圧電素子の製造方法により圧電素子を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板、半導体回路素子または絶縁層にクラックが発生することのない高信頼度のＴＳＶを有する半導体基板、電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極を囲む環状の溝に形成された絶縁層３は、シリカ微粒子３１１と、シリカ微粒子３１１−３１１間に生じる隙間に浸透してこれを埋めるナノ結晶またはナノアモルファスのシリカ３２０とからなるナノコンポジット構造である。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が小さく且つ歪み量の大きい圧電素子を有する液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置の製造方法及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０、弾性膜５０、密着層５６、電極６０を形成する工程と、電極６０の上方に、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含む前駆体溶液を塗布して塗布膜を形成する工程と、塗布膜を実温１６５℃以上１８５℃以下の温度で加熱する乾燥工程と、乾燥工程の後、実温３３０℃以上４４０℃以下の温度で加熱する脱脂工程と、脱脂工程の後、脱脂した塗布膜を加熱して結晶化させ圧電膜７２を形成する結晶化工程、を具備し、所定厚さの圧電層７０を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等として有用なチタン酸化物膜及びケイ素酸化物膜を、低温で作製可能な方法、その原料錯体を提供する。
【解決手段】


（式中、Ｍはチタン原子又はケイ素原子を表す。Ｒ^１及びＲ^４はＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基を表す。Ｒ^２及びＲ^３は水素原子又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル基を表す。Ｒ^５は、Ｃ_１〜Ｃ_６アルコキシ基又はジ（Ｃ_１〜Ｃ_６アルキル）アミノ基を表し、ＱはＣ_１〜Ｃ_３アルキル基で置換されていてもよいＣ_２〜Ｃ_６メチレン基を表す。）で示される錯体（１）と、酸素ガス、空気、オゾン、水、過酸化水素の一種類以上とを反応させて得られる製膜用材料。 （もっと読む）

【課題】熱処理方法としてレーザーを使用して薄膜を製造する薄膜製造装置であって、最適なレーザー条件を算出、制御することができる薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】基板上に機能性インクを所定のパターンで塗布する塗布手段と、塗布された前記機能性インクを加熱して結晶化するための１つ又は２つ以上のレーザー光源と、前記機能性インクの結晶状態を測定するためのＸ線回折装置と、前記Ｘ線回折装置により測定された前記機能性インクの前記結晶状態の情報を記録する記録部と、前記レーザー光源のレーザー照射条件を制御する制御装置と、を有し、前記制御部は、前記記録部に記録された、事前の前記レーザー光源によるレーザー照射した前記機能性インクの前記結晶状態の情報に基づいて、前記レーザー光源のレーザー照射条件を調整するようにする、基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置。 （もっと読む）

【課題】インクジェット方式の画像形成装置等に備えられ、上部電極、下部電極ともにテニウム酸ストロンチウム（ＳＲＯ）を用い、経時的に安定した駆動力を得る電気−機械変換素子、これを備えインク等の液滴を吐出するヘッド、これを備えた液滴吐出装置、これらを備えたかかる画像形成装置の提供。
【解決手段】電気−機械変換素子１０が、電極１４と、電極１４上に形成されＳＲＯからなる電極１５と、電極１５上に形成されたＰＺＴからなる電気−機械変換膜１６と、電気−機械変換膜１６上に形成されＳＲＯからなる個別電極１７と、電極１７上に形成された個別電極１８とを有し、厚さ方向におけるＳｒの分布を、ＳＩＭＳを用いた２次イオン強度比を用いて表したとき、ＰＺＴの厚さの１／２の位置でのＳｒの同強度を、電極１５のＳＲＯの厚さの１／２の位置でのＳｒの同強度で除すると、０．０１以下である。 （もっと読む）