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Fターム[5F058BF47]の内容

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Fターム[5F058BF47]に分類される特許

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【課題】酸化物をチャネル及びゲート絶縁層に適用した薄膜トランジスタの高性能化、又はそのような薄膜トランジスタの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
【解決手段】本発明の1つの薄膜トランジスタ100は、ゲート電極220とチャネル40との間に、ゲート電極20に接する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる第1酸化物(不可避不純物を含み得る)の層32と、チャネル40に接する、ランタン(La)とタンタル(Ta)とからなる酸化物、ランタン(La)とジルコニウム(Zr)とからなる酸化物、及びストロンチウム(Sr)とタンタル(Ta)とからなる酸化物の群から選択される1種の第2酸化物(不可避不純物を含み得る)の層34との積層酸化物30を備え、チャネル40が、インジウム(In)と亜鉛(Zn)とからなるチャネル用酸化物(不可避不純物を含み得る)である。 (もっと読む)


【課題】金属酸化物薄膜パターンの形成に適した成型材料、及び当該材料を用いて成型体を製造する際の最適条件を提供すること。
【解決手段】本発明の成型材料は、金属アルコキシドのオリゴマーを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】良質な薄膜を製造することができる。
【解決手段】液滴吐出ヘッド300によって基板11に吐出された機能性インク膜302にレーザ光を照射して加熱すると溶媒が蒸発して溶液が乾燥する。リアルタイムレーザ制御装置600によって機能性インク膜302の乾燥状態を検出する。そして、機能性インク膜302の乾燥状態に対する最適なレーザ光照射条件の関係の特性データと照合しながら検出した機能性インク膜302の乾燥状態に対応する最適なレーザ光照射条件を決定する。 (もっと読む)


【課題】インクジェット方式の画像形成装置等に備えられ、上部電極、下部電極ともにテニウム酸ストロンチウム(SRO)を用い、経時的に安定した駆動力を得る電気−機械変換素子、これを備えインク等の液滴を吐出するヘッド、これを備えた液滴吐出装置、これらを備えたかかる画像形成装置の提供。
【解決手段】電気−機械変換素子10が、電極14と、電極14上に形成されSROからなる電極15と、電極15上に形成されたPZTからなる電気−機械変換膜16と、電気−機械変換膜16上に形成されSROからなる個別電極17と、電極17上に形成された個別電極18とを有し、厚さ方向におけるSrの分布を、SIMSを用いた2次イオン強度比を用いて表したとき、PZTの厚さの1/2の位置でのSrの同強度を、電極15のSROの厚さの1/2の位置でのSrの同強度で除すると、0.01以下である。 (もっと読む)


【課題】熱処理方法としてレーザーを使用して薄膜を製造する薄膜製造装置であって、最適なレーザー条件を算出、制御することができる薄膜製造装置を提供すること。
【解決手段】基板上に機能性インクを所定のパターンで塗布する塗布手段と、塗布された前記機能性インクを加熱して結晶化するための1つ又は2つ以上のレーザー光源と、前記機能性インクの結晶状態を測定するためのX線回折装置と、前記X線回折装置により測定された前記機能性インクの前記結晶状態の情報を記録する記録部と、前記レーザー光源のレーザー照射条件を制御する制御装置と、を有し、前記制御部は、前記記録部に記録された、事前の前記レーザー光源によるレーザー照射した前記機能性インクの前記結晶状態の情報に基づいて、前記レーザー光源のレーザー照射条件を調整するようにする、基板上に薄膜を形成する薄膜製造装置。 (もっと読む)


【課題】構造物の表面に配置されたナノ粒子センサを利用した構造健全性監視の方法及びシステムを提供する。
【解決手段】構造物30の構造健全性172を監視するシステム170は、構造物30の上に沈着されるナノ粒子インクによる圧電センサアセンブリの分散ネットワーク120を含む。各アセンブリは、ナノ粒子インクによる複数の圧電センサ110及び複数の導電性インク電源及び複数のセンサ110を相互接続する通信線アセンブリ140を有する。このシステムはさらに、構造物30の上にナノ粒子インクによる圧電センサアセンブリの分散ネットワークを沈着させるインク沈着装置142を含む。このシステムはさらに、分散ネットワーク120に電力を供給する電源178を有する。このシステムはさらに、センサ110から一又は複数の信号を介して構造物の構造健全性データ174を読み出して処理するデータ通信ネットワーク179を含む。 (もっと読む)


【課題】チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)ナノ粒子インクベースの圧電センサを製作する方法を提供する。
【解決手段】チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)ナノ粒子インク106を製剤するステップを含む。さらに、噴霧堆積プロセス126および噴霧堆積装置146を有するインク堆積プロセス122によって、PZTナノ粒子インク156を基板101上に堆積して、PZTナノ粒子インクベースの圧電センサ110を形成するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】特殊な環境が不要で短時間且つ低コストでニッケル酸ランタン膜形成用組成物を製造することができるニッケル酸ランタン膜形成用組成物の製造方法、ニッケル酸ランタン膜の製造方法、及び圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電素子300(アクチュエーター)は、絶縁体膜55上に、第1電極60と、第1電極60の上方に設けられて厚さが3μm以下、好ましくは0.3〜1.5μmの薄膜である圧電体層70と、圧電体層70の上方に設けられた第2電極80とが、積層形成される。圧電膜70であるニッケル酸ランタン膜形成用組成物は、ランタンアセチルアセトナート、ニッケルアセチルアセトナート、酢酸、及び水を混合して混合溶液を得た後、混合溶液を加熱する。 (もっと読む)


【課題】担持体上に形成したポリシラザン膜を転写することにより、基板表面に良好な膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】ポリシラザン材料を含む塗布液PをシートフィルムFの表面に塗布し、溶剤を揮発させることでポリシラザン薄膜Rを得る。これを半導体基板に転写するのに先立って、UV光源202から拡散板203を介して強度を均一化したUV光Lを薄膜Rに照射する。これにより、薄膜Rの表面Raの粘度が選択的に増大し、基板転写時に、基板表面に形成されたトレンチを埋めることなくエアギャップを形成することができる。 (もっと読む)


【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも1つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも1つの堆積層を硬化させる少なくとも1つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも1つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、1)レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにX−Yビームの偏向モジュールの位置を制御すること、2)レーザの位置をX−Yテーブルを介して制御すること、又は3)基板の位置をX−Yテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。 (もっと読む)


【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができる圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電セラミックス膜形成用組成物は、カリウム、ナトリウム、及びニオブを含む金属錯体混合物と、シリコーンオイルと、溶媒と、を含み、金属錯体混合物と溶媒との総量100容量部に対してシリコーンオイルを5容量部以下含む。所定量のシリコーンオイルを含むことにより、圧電セラミックス膜を形成する際の焼成工程における熱膨張が抑制されて、圧電セラミックス膜の残留応力を低減させることができる。これにより、クラックの発生が抑制されたニオブ酸カリウムナトリウム系の圧電材料からなる圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】高アスペクト比のトレンチ内に埋め込んだ際に、クラック、及びボイドが生じにくく、かつ高密度に埋め込むことができるトレンチ埋め込み方法。
【解決手段】(1)トレンチ2を有する基体1上に、シロキサン系重合体、空孔形成剤、及び有機溶媒を含むトレンチ埋め込み用組成物を、少なくとも該組成物が前記トレンチ内に充填されるように塗布し、塗膜3を形成する工程、及び、(2)工程(1)で得られた塗膜3に加熱処理および光処理の少なくともいずれか一方を行う工程、を含むトレンチ埋め込み方法。 (もっと読む)


【課題】繰り返しの熱処理でも安定して膜の積層が可能で、製造工程を短縮できる電気−機械変換膜の作製方法と、電気-機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】第1の電極と、電気-機械変換膜83と、第2の電極とを順次設けて成る電気-機械変換素子を基板又は下地膜上に備えた液体吐出ヘッド構成体の、電気-機械変換膜83を、少なくとも酸化チタン等の光触媒機能を有する化合物から成る表面改質膜80を形成する工程と、表面改質膜80に選択的に光を照射して光照射部位の親水性を高め、光照射部位と光未照射部位との水に対する接触角の差を60°を超えるように制御する工程により親水性とされた部位81に直接、もしくは親水性部位81に第1の電極を設けこれを介してインクジェット法によりパターン化して設ける電気−機械変換素子。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上にパターニングされたSiO2膜および/もしくはSiN膜を生成する製膜方法において、拡散制御性能、またはパッシベーション性能を満たすSiO2膜および/もしくはSiN膜を生成する。
【解決手段】SiO2および/もしくはSiO2前駆体を含む溶液を半導体基板上にパターニングして塗布して第1パターンを生成するステップと、CVD法によってSiO2膜および/もしくはSiN膜を生成するステップと、フッ酸水溶液に浸漬させて前記第1パターンを除去することにより、前記CVD法によるSiO2膜および/もしくはSiN膜からなる第2パターンを生成するステップと、を備える。 (もっと読む)


【課題】低コストで量産性の高い不純物拡散を実現する。
【解決手段】基板10に不純物を拡散する不純物拡散方法では、まず、基板10において不純物を拡散すべき領域18に、不純物の拡散を防止するマスク材料を含む溶液を塗布する。次に、基板10を乾燥して、溶液に含まれる溶媒の一部を蒸発させた半乾きマスク14を形成する。次に、基板10に対し不純物の気相拡散を行う。これにより、半乾きマスク14に形成された拡散領域18は、半乾きマスク14を形成しなかった拡散領域16に比べて、不純物の濃度が高くなる。 (もっと読む)


【課題】 シートフィルム上に薄膜を形成する塗布装置および塗布方法において、吸着による塗布膜厚ムラを防止するのに適した技術を提供する。
【解決手段】 シートフィルムFの一面の周縁を吸引して吸着する真空チャックにて基材を保持するステージ340と、ステージ340保持されたシートフィルムFの表面に薄膜材料を塗布する塗布ノズル343と、塗布された薄膜材料をシートフィルムFの表面に広げるためにステージ340を回転する回転機構とを具備する塗布ユニット34において、塗布手ノズル343より薄膜材料が塗布される前にシートフィルムFを保持した状態でステージ340を回転することでステージ340の中央部341aとシートフィルムFとの間に残留する空気を排気した状態で吸着状態を達成する。 (もっと読む)


【課題】熱処理工程時の温度ムラによる特性のバラつきを抑制し、かつ、高抵抗率に制御可能とする。
【解決手段】In、Ga及びZnを含有し、In及びGaの合計に対するGaのモル比率が0.50<Ga/(In+Ga)の関係を満たす非晶質酸化物薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、非晶質酸化物薄膜のGaのモル比率が0.50<Ga/(In+Ga)<0.75の関係を満たす場合には、成膜工程後に100℃以上150℃以下又は350℃以上600℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理し、非晶質酸化物薄膜のGaのモル比率が0.75≦Ga/(In+Ga)の関係を満たす場合には、成膜工程後に100℃以上200℃以下又は350℃以上600℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】従来よりも大幅に少ない原材料及び製造エネルギーを用いて、かつ、従来よりも短工程で製造することが可能な機能性デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理することにより機能性固体材料となる機能性液体材料を準備する第1工程と、基材上に機能性液体材料を塗布することにより、機能性固体材料の前駆体組成物層を形成する第2工程と、前駆体組成物層を80℃〜200℃の範囲内にある第1温度に加熱することにより、前駆体組成物層の流動性を予め低くしておく第3工程と、前駆体組成物層を80℃〜300℃の範囲内にある第2温度に加熱した状態で前駆体組成物層に対して型押し加工を施すことにより、前駆体組成物層に型押し構造を形成する第4工程と、前駆体組成物層を第2温度よりも高い第3温度で熱処理することにより、前駆体組成物層から機能性固体材料層を形成する第5工程とをこの順序で含む機能性デバイスの製造方法。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が低く比誘電率の高い絶縁膜を印刷プロセスで提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜を形成するための絶縁膜形成用インクにおいて、1または2以上のアルカリ土類金属元素と、Ga、Sc、Y、及びランタノイド(Ceを除く)のうち1または2以上の金属元素と、が溶液に含まれることを特徴とする絶縁膜形成用インクとこれを使用した製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


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