【課題】バックライトの間接光に起因するリーク電流を低減可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】表示装置用のボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１と、ゲート電極配線２と、ゲート絶縁膜３と、チャネルとなる第１の半導体層４と、第１及び第２のコンタクト層５ａ、５ｂとなる第２の半導体層と、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂとを有し、ソース又はドレイン電極配線７ａ、７ｂに対して露出する第２の半導体層の露出部に、絶縁性半導体層６ａ、６ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を抑え、デバイスのリーク電流の発生、耐圧低下、しきい値電圧の継時変化、およびショートチャネル効果を抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】単結晶ＡｌＮからなる基板を準備するステップと、前記単結晶ＡｌＮからなる基板の表面を酸素プラズマによって酸化し、単結晶ＡｌＮからなる基板上に酸化アルミニウムまたはアルミニウムオキシナイトライドからなる絶縁膜を形成するステップとを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 酸素含有層を窒素濃度が高い酸窒化層又は窒化層に改質することで、ポリシリコン膜の耐酸化性を向上させる。
【解決手段】 酸素含有層が形成されたポリシリコン膜を有する基板が搬入される処理室と、処理室内に設けられ、基板を加熱する加熱部と、処理室内に窒素及び水素を含む処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、加熱部により基板を所定の温度に加熱させ、ガス供給部により供給させた処理ガスを励起部により励起させ、励起した処理ガスを基板に供給させ、酸素含有層を酸窒化層又は窒化層に改質させるように、少なくとも加熱部、ガス供給部及び励起部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等にダメージを与えることなくゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に誘電体膜を形成する成膜工程と、前記誘電体膜を熱処理する熱処理工程と、前記誘電体膜上の一部に電極を形成する電極形成工程と、前記電極の形成されていない前記誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する照射工程と、前記照射工程の後、ウェットエッチングにより、前記イオン化したガスクラスターの照射された領域における前記誘電体膜を除去するエッチング工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の膜厚均一性を高める。
【解決手段】複数枚の基板を積層して収容した処理室１２の内周面に区画され、一対の電極を内部に収容する放電室に処理ガスを供給する工程と、前記電極に電力を印加してプラズマを形成し前記処理ガスを活性化させる工程と、を行い、活性化された前記処理ガスを用いて前記基板を処理する。 （もっと読む）

【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第１の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第２の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を１ｐｐｂ以下にした水素添加超純水にＩＰＡを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量１ｐｐｂ以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ２ｎｍにおけるピーク・トゥ・バレイ値が０．３ｎｍ以下となるようにするとともに、前記第１の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を４Ω・μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】排気口の位置を変更することなく、複数の処理領域の雰囲気を互いに混合させずに夫々対応する排気口へ排気させること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理で被処理基体上の層を、例えば窒化又は酸化するＡＬＤ法で、パージに要する時間を短縮できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１６が、第１の空間Ｓ１内の第１の領域で第１のプロセスガスをステージ１４に向けて供給する。ヘッド１６は、第２の領域Ｒ２に退避可能である。ヘッド１６は、第１の空間Ｓ１内の第１の領域の上方の上部領域Ｒａと第１の領域の下方の下部領域Ｒｂとを画成する。供給源１８は、上部領域Ｒａに電磁界エネルギーを供給する。上部領域Ｒａには、第２のプロセスガスが供給される。ヘッド１６は、ステージ１４を覆い、且つ、下部領域Ｒｂに面する連通路Ｐの開口を覆う大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度の低下を抑制しつつ閾値電圧を制御する炭化珪素半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、（ｂ）二酸化珪素膜が形成された炭化珪素基板を窒化処理する工程と、（ｃ）窒化処理された炭化珪素基板を水蒸気を含んだ酸素雰囲気で熱処理する工程とを備える。工程（ｃ）は、（ｃ１）窒化処理された炭化珪素基板を投入した熱処理炉の温度を不活性ガス雰囲気中で昇温又は降温する工程を含む。工程（ｃ１）は、窒化処理直後のチャネル移動度をμ_ch、昇温又は降温開始時刻をｔ＝０、熱処理開始時刻をｔ＝ｔ₁、熱処理終了時刻をｔ＝ｔ₂、熱処理炉からの基板取出時刻をｔ＝ｔ₃、ボルツマン定数をｋ、時刻ｔにおける熱処理炉の温度をＴ（Ｋ）とした場合に、式（１）により求められる炭化珪素基板中のチャネル移動度の低下率が１０％以下となるように昇温速度及び／又は降温速度を決定する。 （もっと読む）

【課題】二酸化シリコン層及びシリコン基板を窒素イオンで過剰にダメージを生じさせることのないプラズマ窒化プロセスのための方法及び装置を提供する。
【解決手段】窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度およびフラットバンド電圧がともに良好な界面特性を有する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず、炭化珪素基板１の表面を洗浄する（ステップＳ１）。つぎに、原料ガスをＥＣＲプラズマ化し、原料ガスに含まれる原子を炭化珪素基板１に照射することで、炭化珪素基板１の表面にシリコン窒化膜２を成長させる（ステップＳ２）。つぎに、ＥＣＲプラズマ化学気相成長法により、シリコン窒化膜２の表面にシリコン酸化膜３を堆積する（ステップＳ３）。つぎに、窒素雰囲気中で、シリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３が形成された炭化珪素基板１のアニール処理を行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数ｎｍ程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００では、平面アンテナ３１からマイクロ波透過板２８を経て処理容器１内に放射されたマイクロ波により、処理容器１内で電磁界が形成され、ＡｒガスおよびＮ_２ガスがそれぞれプラズマ化する。プラズマ中の活性種の作用によりウエハＷのトレンチの内壁面が極薄く窒化されることにより、緻密なライナーＳｉＮ膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロファイルを改善する為の方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する方法において：基板が、あるシステム１０の窒化用チャンバ２０Ｂ内に置かれている間に、前記基板上に形成されたゲート誘電層に窒素（Ｎ）を導入するステップと；前記システム１０から前記基板を外に搬送することなく、前記基板を前記システム１０のアニール用チャンバ２０Ｃに搬送するステップと；前記窒化用チャンバ２０Ｂ内の前記基板の温度を超える温度まで、前記アニール用チャンバ２０Ｃ内で前記基板を加熱することにより、前記ゲート誘電層をアニールするステップと；を備え、前記アニールの間、前記アニール用チャンバ２０Ｃ内の圧力は、少なくとも５０トルであり、前記基板を、前記窒素が導入された後、５分以内にアニールする、前記方法。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な半導体装置を形成する。
【解決手段】本発明は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳ形成領域１Ａに有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳ形成領域１Ｂに有する半導体装置の製造方法であって、ＨｆＯＮ膜５上にＡｌ膜８ａを形成する工程と、Ａｌ膜上にＴｉリッチなＴｉＮ膜７ａを形成する工程と、を有する。さらに、ｎＭＩＳ形成領域１ＢのＴｉＮ膜およびＡｌ膜を除去する工程と、ｎＭＩＳ形成領域１ＢのＨｆＯＮ膜５上およびｐＭＩＳ形成領域１ＡのＴｉＮ膜７ａ上にＬａ膜８ｂを形成する工程と、Ｌａ膜８ｂ上にＮリッチなＴｉＮ膜７ｂを形成する工程と、熱処理を施す工程とを有する。かかる工程によれば、ｐＭＩＳ形成領域１Ａにおいては、ＨｆＡｌＯＮ膜のＮ含有量を少なくでき、ｎＭＩＳ形成領域１Ｂにおいては、ＨｆＬａＯＮ膜のＮ含有量を多くできる。よって、ｅＷＦを改善できる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対し簡易な手法により均質な絶縁膜を高速に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜形成装置１は、堆積部１０の電子ビーム蒸着源１２からハフニウム金属の原子線を照射して、基板７０のシリコン酸化膜７２上に液体状のハフニウム微粒子７３を堆積させて堆積状態とし、照射部２０のプラズマ源２２から窒素原子、活性窒素分子及び窒素イオンでなる活性粒子７４を照射することにより、表面に窒化ハフニウムシリケート膜７６を形成すると共にシリコン酸化膜７２をシリコン酸窒化膜７５に変化させ、基板７０を成膜状態とする。この結果絶縁膜形成装置１は、基板７０へのハフニウム微粒子７３の堆積処理及び窒素プラズマでなる活性粒子７４の照射処理を行うことにより、高誘電率ゲート絶縁膜として機能し得る窒化ハフニウムシリケート膜７６を短時間で容易に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を促進させる方向を制御する。
【解決手段】インピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、プラズマ生成部による電力を制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、プラズマ処理を促進させる方向の電界を強くする。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン上において高品質な絶縁膜を形成できる絶縁膜の形成方法を提供する
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、基板上にポリシリコン膜を堆積する工程と、
前記ポリシリコン膜の表面を、酸素を含むガスとＫｒガスを主体とする不活性ガスとよりなる混合ガスにマイクロ波によりプラズマを励起することで形成される原子状酸素Ｏ*に曝すことにより、前記ポリシリコン膜の表面にシリコン酸化膜を形成する工程とよりなる。 （もっと読む）

【課題】被処理体を載置する載置台の電極にバイアス用の高周波電力を供給する方式のプラズマ処理装置において、プラズマ電位の振動を抑制し、安定なプラズマを生成させると共に、金属製の対向電極のスパッタリングによるコンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】蓋部材２７の内周側には、拡張突出部６０が形成されている。拡張突出部６０は、プラズマ生成空間Ｓに臨んで形成されており、載置台５の電極７に対してプラズマ生成空間Ｓを隔てて対をなす対向電極として機能する主要部分である。バイアス用電極面積に対する対向電極表面積の比（対向電極表面積／バイアス用電極面積）は、１以上５以下の範囲内が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_ｘ膜を層間絶縁膜として有する多層配線構造の半導体装置において、低誘電率であるＣＦ_ｘ膜の利点を生かすことができ、かつＣＭＰ処理による特性の劣化を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ＣＦ_ｘ膜を成膜する工程（ａ）と、ＣＦ_ｘ膜に所定パターンの凹部を形成する工程（ｂ）と、凹部を埋めかつＣＦ_ｘ膜上にわたって配線層を設ける工程（ｃ）と、凹部内以外の前記ＣＦ_ｘ膜上の余剰の配線層をＣＭＰ（化学機械研磨）によって除去してＣＦ_ｘ膜の表面を露出させる工程（ｄ）と、を有し、工程（ｂ）の前または後において、ＣＦ_ｘ膜の表面を窒化する工程（ｅ）を備える。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ窒化処理によって形成した酸化窒化珪素膜からのＮ抜けによる膜中窒素濃度の低下を抑制し、被処理体間・ロット間での窒素濃度のばらつきを最小限にする。
【解決手段】 絶縁膜の改質方法は、被処理体の表面に露出した酸化珪素膜をプラズマ窒化処理し、酸化窒化珪素膜を形成する窒化処理工程と、前記酸化窒化珪素膜の表面を酸化処理する改質工程とを行い、窒化処理工程の終了から前記改質工程の開始までの間、真空雰囲気を維持する。また、プラズマ窒化処理は、窒化処理工程直後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度をＮ_Ｃ０とし、改質工程後の酸化窒化珪素膜の膜中窒素濃度の目標値をＮ_ＣＴとしたとき、Ｎ_Ｃ０＞Ｎ_ＣＴとなるように行う。 （もっと読む）