Fターム[5F058BH00]の内容
絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜形成後の処理 (2,470)
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基体上の誘電体層とその作製方法
【課題】半導体装置等において、薄型で容量が大きく、かつ、少ないスルーホール発生率の誘電体膜を提供する。
【解決手段】第1の基体、第1の誘電体材料からなる第1の基体上の誘電体層であって、誘電体層が誘電体膜厚を有し、第1の基体との境界面から誘電体層の半対面まで通じるスルーホールに貫通される誘電体層、及び、スルーホールを少なくとも部分的に塞ぐ第2の誘電体材料からなる装置、並びに、そのような装置を作製する方法。
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