【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１のチャンバー６内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーＷが搬入され、保持プレート７によって保持される。フィルタ機構２は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ２０をチャンバー６のチャンバー窓６１とフラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬとの間に挿入する。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光がフィルタ２０を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーＷの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体構造の形成方法、より具体的にはトレンチ内における誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。シリコン酸化被膜は酸素含有環境内で紫外線（ＵＶ）硬化される。 （もっと読む）

【課題】良質な膜を簡便に形成する膜形成方法および膜形成装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、少なくとも１つの有機官能基と、加水分解を起こす１つの官能基と、を含む有機ケイ素化合物を、大気雰囲気において基板の表面に供給する第１の工程と、前記有機ケイ素化合物を前記基板の前記表面に供給後、前記有機官能基を酸化し、前記基板の前記表面上にケイ素と酸素とを含む層を形成する第２の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体基板１のｎＭＩＳ形成領域１Ａにｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎを、半導体基板１のｐＭＩＳ形成領域１Ｂにｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐを、それぞれ形成してから、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐを覆うように引張応力の窒化シリコン膜５を形成し、ｎＭＩＳ形成領域１ＡおよびｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５に紫外線照射処理を施す。その後、ｎＭＩＳ形成領域１Ａの窒化シリコン膜５を覆いかつｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５を露出するマスク層６ａを形成してから、ｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５をプラズマ処理することで、ｐＭＩＳ形成領域１Ｂの窒化シリコン膜５の引張応力を緩和させる。 （もっと読む）

【課題】サイズが小さくなっても、受光部などの光学領域への集光を向上させることが可能な光学素子を提供する。
【解決手段】光学領域（フォトダイオードである受光部１０２）を有する半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上に配置された透明絶縁膜１１１を有し、透明絶縁膜１１１は、光学領域直上の第１の領域（遮光膜１１０によって挟まれる領域）と、第１の領域の上の第２の領域を有し、透明絶縁膜１１１は、第２の領域と同じ高さにあり、平面視において第２の領域の外側に位置する第３の領域（遮光膜１１０の上の領域）を有し、第１の領域が有する空孔１１５の空孔径は第３の領域が有する空孔１１５の空孔径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】強誘電体等からなる金属酸化物膜を所望の位置に低温で低コストで形成する。
【解決手段】金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液に、金属酸化物膜が成膜される基板を浸す工程と、前記基板と前記前駆体溶液との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを覆うシリコン窒化膜を用いて、該トランジスタの駆動能力をより一層向上することができるようにする。
【解決手段】Ｐウェル１０２の上に、ＮＭＯＳゲート絶縁膜１０４を介在させて形成されたＮＭＯＳゲート電極１０６と、Ｐウェル１０２におけるＮＭＯＳゲート電極１０６の両側方の領域に形成されたｎ型ソースドレイン領域１１２と、Ｐウェル１０２の上に形成され、ＮＭＯＳゲート電極１０６及びｎ型ソースドレイン領域１１２を覆うように形成されたシリコン窒化膜１１８とを有している。シリコン窒化膜１１８を構成するシリコンは、その同位体^２９Ｓｉ又は^３０Ｓｉの比率が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、異なる膜特性を有する絶縁膜に形成されるコンタクト形状の制御性を向上させる。
【解決手段】半導体基板に素子領域を形成し、半導体基板の第１の領域上に、第１の絶縁膜を形成し、半導体基板の第２の領域上に、膜応力及びコンタクトの形成の際のエッチング加工時のエッチングレートが、第１の絶縁膜と異なる第２の絶縁膜を形成し、少なくとも第２の絶縁膜において、コンタクトが形成されるコンタクト領域に選択的にＵＶ光を照射し、ＵＶ光を照射した後、第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングして前記コンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】
高い水蒸気バリア性、耐湿熱性を示すシリコン含有膜の製造方法を提供すること
【解決手段】
乾式法により少なくともケイ素原子、窒素原子を含む乾式堆積膜を基材上に堆積させた後に、膜表面に波長が１５０ｎｍ以下の光照射を行い、膜の少なくとも一部を変性するシリコン含有膜の製造方法。本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に形成されたトレンチの埋め込み用途に好適なポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法の提供。
【解決手段】（ｉ）一般式：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）（式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である）で表される１種類以上のシラン化合物に由来し重量平均分子量が３００以上１０００未満であるポリシロキサン化合物を得る工程と、（ｉｉ）該ポリシロキサン化合物とシリカ粒子とを溶媒中で反応させてポリシロキサン縮合反応物溶液を得る工程と、（ｉｉｉ）該ポリシロキサン縮合反応物溶液に、少なくとも１種類の沸点１００℃以上２００℃以下の溶媒を加えた後に、蒸留により沸点１００℃以下の成分を留去する工程と、を含むポリシロキサン縮合反応物ワニスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】液状の原料を確実に気化させることができ、配管や処理チャンバ内の汚染を防止して良好な表面処理を可能とする表面処理装置を提供する。
【解決手段】 被処理物Ｓが配置される処理チャンバ２と、この処理チャンバに接続された気化器６とを備え、この気化器にその表面処理を行う表面処理装置において、前記気化器６から処理チャンバ内に通じ被処理物に至る経路に原料が衝突する加熱体５０を設け、加熱体は、所定の角度で傾斜させて処理チャンバ内に配置した反射板５１と、この反射板を所定の温度に加熱する加熱手段５２を有する。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である。｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物の縮合換算量４０質量％以上９９質量％以下と、（ｉｉ）シリカ粒子１質量％以上６０質量％以下と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のトレンチ内に埋め込んだ際に、クラック、及びボイドが生じにくく、かつ高密度に埋め込むことができるトレンチ埋め込み方法。
【解決手段】（１）トレンチ２を有する基体１上に、シロキサン系重合体、空孔形成剤、及び有機溶媒を含むトレンチ埋め込み用組成物を、少なくとも該組成物が前記トレンチ内に充填されるように塗布し、塗膜３を形成する工程、及び、（２）工程（１）で得られた塗膜３に加熱処理および光処理の少なくともいずれか一方を行う工程、を含むトレンチ埋め込み方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜から紫外線照射処理によって脱ガスしたガス成分の排気時間を短縮し、異常放電をなくすことができる真空排気系を備えた紫外線照射処理装置及びＬｏｗ−ｋ膜の紫外線キュア方法を提供する。
【解決手段】基板加熱機構２４を備えた基板支持ステージが配置されている紫外線照射処理室２の上部に、紫外線光源２１を組み込んだ紫外線照射装置２２と紫外線透過窓２３が配置され、前記処理室２の内部を排気するための真空排気系であって、大気から低真空領域に排気するための低真空用ポンプ２６ａと、低真空領域から中・高真空領域へ排気するための中・高真空用ポンプ２６ｂと、を組み合わせた真空排気系２６が接続されてなる紫外線照射処理装置を用いて、基板Ｓ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜を熱キュア処理する。 （もっと読む）

【課題】形成される薄膜中に残留する副生成物や中間体の濃度を制御して基板処理することができる半導体製造方法や基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給するガス供給工程と、前記ガス供給工程に続けて、前記基板が搬入された処理室内へ、メチル基を含む有機シリコンガス及び酸素含有ガスを供給しつつ、前記供給されたガスに紫外光を照射して励起する第１のガス励起工程とから、半導体製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】紫外線が照射されても疎水性の低下が抑えられ、誘電率の上昇が抑制された低誘電率膜を製造するための低誘電率膜の前駆体組成物、及び、低誘電率膜の製造方法を提供する。
【解決手段】低誘電率膜の前駆体組成物は、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシメチルシラン、ジエトキシジシラン、ジメトキシジシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシシラン、ジメチルエトキシシラン及びジメチルメトキシシランから選択される一種以上の化合物と、式：（ＲＯ）_３−Ｓｉ−Ｘ−Ｓｉ−（ＲＯ）_３（ＲＯはアルコキシ基、Ｘは有機架橋基であってメチレン基、エチレン基、ビニレン基、１，４−フェニレン基から選択される）で表される化合物、式：Ｓｉ（ＯＲ）_４（Ｒは一価の有機基）で表される化合物、環状シロキサン、二重環状シロキサン及びゼオライト微結晶から選択される一種以上の物質と、熱分解性化合物と、アルコキシシラン加水分解触媒と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。
【解決手段】半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10¹⁹cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。シリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属-絶縁膜（あるいは酸化膜）-半導体（MISあるいはMOS）構造を有する半導体装置（電界効果型トランジスタ(MISあるいはMOSFET)）に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いることにより、６００°Ｃ以下の低温においてゲート絶縁膜／シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図る。 （もっと読む）

【課題】紫外光による基板のダメージを最小限に抑えながら基板の酸化膜の改質を行う。
【解決手段】オゾンと紫外光とを基板１１に供して基板１１上の酸化膜を改質する酸化膜改質装置１は、格納された基板１１に対してオゾンと紫外光が供される処理炉２と、前記改質が開始されてからの基板１１に供された後のオゾンガスのオゾン濃度の上昇を検出しこの検出したオゾン濃度の上昇速度の変化に基づき紫外光の照射を制御する制御部７とを備える。制御部７は前記オゾン濃度の上昇速度の低下を検出した時点で基板１１に対する紫外光の照射を停止させる。 （もっと読む）

【課題】機械的強度および密着力に優れた低誘電率の層間絶縁層を有する半導体装置を提供すること。
【解決手段】基板上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第１の多孔質層６と、第１の多孔質層６の直上に形成された、ＳｉＯ_２骨格を含む第２の多孔質層７と、第１の多孔質層６に埋め込まれたビア１０と、第２の多孔質層７に埋め込まれた配線１１と、を有し、第１の多孔質層６の孔密度ｘ_１は４０％以下であり、第２の多孔質層７の孔密度ｘ_２は、（ｘ_１＋５）％以上である半導体装置を提供する。 （もっと読む）