Fターム［5F058BJ00］の内容
絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜形成箇所 (3,520)
Fターム［5F058BJ00］の下位に属するFターム
半導体基板上 (1,170)
配線層間 (884)
最上層（最終保護膜） (211)
特定箇所 (1,062)
その他 (193)
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絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜形成箇所 (3,520)
半導体基板上 (1,170)
配線層間 (884)
最上層（最終保護膜） (211)
特定箇所 (1,062)
その他 (193)
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