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Fターム[5F058BJ07]の内容

絶縁膜の形成 (41,121) | 無機絶縁膜形成箇所 (3,520) | 特定箇所 (1,062) | 側壁 (69)

Fターム[5F058BJ07]に分類される特許

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【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜8bを形成する工程と、タングステン膜8b上に窒化チタン膜からなる下部電極13を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極13上に容量絶縁膜14を形成する工程と、容量絶縁膜14上に上部電極15を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板、半導体回路素子または絶縁層にクラックが発生することのない高信頼度のTSVを有する半導体基板、電子デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極を囲む環状の溝に形成された絶縁層3は、シリカ微粒子311と、シリカ微粒子311−311間に生じる隙間に浸透してこれを埋めるナノ結晶またはナノアモルファスのシリカ320とからなるナノコンポジット構造である。 (もっと読む)


【課題】低温ALD法で形成された窒化珪素膜のエッチング耐性を向上させる。
【解決手段】プラズマ窒化処理方法は、上部に開口を有する処理容器1と、ウエハWを載置する載置台2と、処理容器1の開口を塞ぐとともにマイクロ波を透過させるマイクロ波透過板28と、処理容器1内にマイクロ波を導入するための複数のスロットを有する平面アンテナ31と、を備えたプラズマ処理装置100を用いる。処理容器1内で、窒素含有ガスと希ガスとを含む処理ガスのプラズマを生成させて、ウエハW上の窒化珪素膜をプラズマ窒化処理する。窒化珪素膜は、ALD法により400℃以下の成膜温度で成膜された窒化珪素膜であり、プラズマ窒化処理は、ALD法における成膜温度を上限とする処理温度で行う。 (もっと読む)


【課題】基板に形成されたトレンチ側面の酸化膜を薄膜化し、且つトレンチ上のパターン上部の角がエッチングされることを抑制する。
【解決手段】熱酸化膜60形成後にトレンチ61が形成されたウェハWをプラズマによって酸化処理するプラズマ処理方法であって、ウェハWはイオン引き込み用の高周波電圧が印加されるサセプタに載置され、プラズマによる酸化処理は、イオン引き込み用の高周波電圧をウェハWに印加しながら行われる。プラズマ酸化処理における処理ガスは、ヘリウムと酸素を含む混合ガスであり、プラズマ処理は、処理容器内において6.7〜133Paの圧力で行われる。 (もっと読む)


【課題】nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。pチャネル型電界効果トランジスタ30のゲート電極35を覆う応力制御膜39には、膜応力が、nチャネル型トランジスタ10の応力制御膜19より、圧縮応力側の膜を用いることにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】デバイス特性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の一形態の半導体装置は、第1および第2の領域を有する機能膜と、前記基板の前記第1の領域に設けられ、第1の幅を有する第1の溝と、前記基板の前記第2の領域に設けられ、第1の幅よりも広い第2の幅を有する第2の溝と、前記第1の溝を埋めるように高分子材料を前駆体として形成された第1の絶縁膜と、前記第1の幅を上回る直径を有し、前記第2の溝を埋める微粒子と、前記第2の溝内で前記微粒子間および前記微粒子と前記第2の溝との間隙を埋める前記高分子材料とを前駆体として形成された第2の絶縁膜とを持つ。 (もっと読む)


【課題】エピタキシアル沈着工程だけを用いて製造される縁部端子領域を有する高電圧半導体ディバイスを提供すること。
【解決手段】半導体ディバイスの製造方法は相互に対向する第1及び第2の主表面を有する半導体基板を設けることを含む。この方法は、上記の半導体基板に少なくとも1つの溝と、第1メサおよび第2メサとを設けることを含む。この方法は、また、各溝の両側壁と底部とを酸化し、ドープされた酸化物を各溝ならびに第1および第2メサの頂部に沈着させて、沈着せられた酸化物が流動して、各第1メサのシリコンが完全に二酸化ケイ素に変換し、各第2メサのシリコンが部分的にのみ二酸化ケイ素に変換し、各溝には酸化物が充填される温度で、半導体基板を熱酸化させることを含む。 (もっと読む)


【課題】炭素を含む膜を選択成長させること。
【解決手段】主面上にトレンチとポストが形成された基板13上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマCVD法により堆積する選択成膜方法である。基板を設置する反応室11において、第1電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間21において、第2電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給する。反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御する。第1電力、第2電力、バイアス電圧を制御することにより、基板の前記ポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された1つの面、又は、2つの面に対して、膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】側壁部の形成の基礎となるパターンをレジストにより形成する場合であっても、側壁部の傾きを抑制できる微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたエッチング対象層の上に有機膜を形成する有機膜形成ステップと、有機膜上にレジスト膜を形成し、このレジスト膜をパターニングするパターニングステップと、パターニングされたレジスト膜から露出する有機膜と、パターニングされたレジスト膜とを覆うように酸化シリコン膜を常温にて堆積する堆積ステップと、基板を加熱して酸化シリコン膜に引っ張り応力を生じさせる加熱ステップと、処理ステップの後に、パターニングされたレジスト膜の側壁に酸化シリコン膜が残るように当該酸化シリコン膜をエッチングする第1のエッチングステップと、パターニングされたレジスト膜を除去する除去ステップとを含む、微細パターンの形成方法が開示される。 (もっと読む)


【課題】金属含有膜の酸化を抑制しつつシリコン含有膜の選択酸化を行い、シリコン含有膜中に侵入した水素の残留を抑制する。
【解決手段】基板を第1の温度に加熱しつつ、処理室内に水素含有ガス及び酸素含有ガスを供給した状態でプラズマ放電して所定時間維持する工程と、基板を第1の温度よりも高い第2の温度で加熱しつつ、処理室内に希ガスを供給して処理室内を希ガスの雰囲気に所定時間維持する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】ビアに位置ずれが生じても、ビアがエアギャップにつながることを抑制できるようにする。
【解決手段】複数の配線240は例えばCu配線であり、互いに平行に延伸している。側壁絶縁膜212は、複数の配線240それぞれの側壁に形成されている。エアギャップは、複数の配線240それぞれの相互間に形成され、複数の側壁絶縁膜212の間に位置している。絶縁膜302は、複数の配線240上、複数の側壁絶縁膜212上、およびエアギャップ214上に形成されている。ビア344は絶縁膜302を貫通しており、いずれかの配線240に接続している。そして側壁絶縁膜212は、絶縁膜302がエッチングされる条件では絶縁膜302よりエッチングレートが低い材料により形成されている。 (もっと読む)


【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にMn等の金属を含む薄膜、例えばMnOxを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】絶縁層1が表面に形成された被処理体Wに対して成膜処理を施す成膜方法において、第1の金属よりなる第1の薄膜60を形成する第1の薄膜形成工程と、前記第1の薄膜を酸化して酸化膜60Aを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第2の金属を含む第2の薄膜62を形成する第2の薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にMn等の金属を含む薄膜、例えばMnOxを効率的に形成する。 (もっと読む)


【課題】ポリシリコンゲート電極の意図しないフルシリサイド化を防止する。
【解決手段】基板17上に、ゲート絶縁膜12およびシリコン層10をこの順に積層した積層体(10、12)を形成する工程と、積層体(10、12)の側壁沿いにSiN膜を有するオフセットスペーサ13を形成する工程と、その後、シリコン層10の上面を、薬液を用いて洗浄する工程と、その後、少なくともシリコン層10の上面を覆う金属膜19を形成する工程と、その後、加熱する工程と、を有し、オフセットスペーサ13が有するSiN膜は、ALD法を用いて450℃以上で成膜されたSiN膜、または、1Gpa以上の引張/圧縮応力を有するSiN膜であり、前記薬液は、重量比率で、HF/HO=1/100以上であるDHF、または、バッファードフッ酸である半導体装置の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】シリコンからなる集積回路とゲルマニウム受光器との集積化がより容易に行えるようにする。
【解決手段】シリコン層101の上に形成された第1ゲルマニウム層102と、第1ゲルマニウム層102の上に形成された第2ゲルマニウム層103と、第2ゲルマニウム層103の上に第2ゲルマニウム層103の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層104とを少なくとも備える。第1ゲルマニウム層102および第2ゲルマニウム層103は、周囲が絶縁層105により覆われている。 (もっと読む)


【課題】W等の金属膜の酸化を防止しつつ、金属膜上に低温で酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜が形成された少なくとも1枚のウエハ310を処理室318内に搬入する工程と、金属膜を含むウエハ310表面にシリコンを含む酸化膜を形成する工程と、を少なくとも備える半導体装置の製造方法であって、酸化膜の形成工程は、ウエハ310を所定の温度に加熱しながら、シリコン原子を含む第1の反応物質を処理室318内に供給する工程と、ウエハ310を所定の温度に加熱しながら、酸素原子を含む第2の反応物質と、水素とを処理室318内に供給する工程と、を有し、処理室318内の加熱温度と、水素に対する第2の反応物質の供給比を制御することにより、金属膜の酸化を制御する。 (もっと読む)


【課題】Siチヤネルを有するNMOSとSiGeチャネルを有するPMOSで、NMOSには引張り歪みを与える、PMOSには、表面のダングリングボンドを減少させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板50の一部領域にシリコンゲルマニウムチャネル膜54aを形成し、PMOSトランジスタを、シリコン膜60aを形成し、NMOSトランジスタを形成する。単結晶シリコン基板、シリコンゲルマニウムチャネル膜、PMOSトランジスタ、NMOSトランジスタの表面上に、反応ガス、雰囲気ガス及び水素ガスを含む蒸着ガスを用いて、シリコン窒化膜82を形成し、PMOSトランジスタは、シリコンゲルマニウムチャネル膜表面のダングリングボンドの除去により、ホールスキャタリングが抑制され、NMOSトランジスタには引張り歪みを与えることにより動作特性の改善ができる。 (もっと読む)


【課題】温度変化に起因したパッシベーションクラックを適切に防止することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明による半導体装置1は、絶縁膜11と、絶縁膜11上に形成されるバリア層16と、バリア層16上に配されるアルミ配線12と、アルミ配線12の上部に設けられるキャップメタル18又は防腐処理部21と、アルミ配線12の側部に設けられるサイドウォール17と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シリコン半導体のP/N接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたPN接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに導電型の異なるシリコン半導体2,3相互の接合部を少なくとも1つ有する半導体装置であって、上記シリコン半導体接合部の接合界面端部を含む表面を、Nを含有するSiO2膜8で接合界面端部を覆うことにより、接合界面端部の大気との接触を避けることができ、この部分での不純物吸着を抑え、経年によるリーク電流の発生を抑えることができる。SiO2膜8にNを含有させることで、NがSiO2膜に含有されると同膜に正の固定電荷が発生し、これにより電場が形成され、接合界面端部を含む表面でのキャリアの再結合を抑え、リーク電流の発生を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】高誘電体ゲート絶縁膜/メタルゲート電極のMOSトランジスタ構造において、メタルゲート電極側壁の酸化層を抑制し、トランジスタ駆動能力を改善する。
【解決手段】基板101上に、金属含有膜110を形成する工程(a)と、反応室内において金属含有膜にアンモニアラジカルを曝露する工程(b)と、反応室内に不活性ガスを供給し、工程(b)において生じたガスを排気する工程(c)と、工程(b)及び工程(c)を所定の回数繰り返した後に、大気曝露することなく、反応室内において金属含有膜110を覆うシリコン窒化膜100aを形成する工程(d)とを備える。 (もっと読む)


【課題】 金属膜やHigh−k膜の膜質の劣化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第1の薄膜2上に、第1の薄膜2とは異なる第2の薄膜3を形成し、第2の薄膜3上に、第2の薄膜3とは異なる膜からなる犠牲膜5を形成し、犠牲膜5をエッチングにより所望の間隔を持つパターンに加工し、犠牲膜パターンを形成し、シリコン含有プリカーサー、酸素含有ガスを基板上に間欠的に供給して、犠牲膜パターンにシリコン酸化膜6を被覆し、シリコン酸化膜6をエッチングにより犠牲膜5の側壁上に側壁スペーサー6aを形成し、犠牲膜5を除去し、側壁スペーサー6aをマスクとして用いて第1の薄膜2および第2の薄膜3を加工する。 (もっと読む)


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