【課題】深いキャビティ部であっても、前記キャビティ部の内周面に離型フィルムを密着させることができ、成形精度の高い樹脂封止金型装置を提供する。
【解決手段】上金型１２と上面に複数のキャビティ部２３を並設した下金型２０とで、電子部品１５を実装した基板１６および離型フィルム１４を挟持し、前記キャビティ部２３内に位置決めした前記電子部品１５を、前記基板１６と前記離型フィルム１４との間に注入した液状樹脂１７で樹脂封止する樹脂封止金型装置である。特に、前記下金型２０のキャビティ部２３を相互に連通する吸引溝２４を設けるとともに、前記吸引溝２４に少なくとも１つの吸引孔を設けてある。 （もっと読む）

【課題】シート状のモールド樹脂であって、溶融時間が長くかかることなく、また、樹脂モールドする際に空気溜まりが生じないモールド樹脂及び樹脂モールド方法を提供する。
【解決手段】本発明の樹脂モールド方法は、上型と下型とから構成され、前記下型に樹脂溜まりが形成されているモールド樹脂金型を準備する工程と、前記下型の前記樹脂溜まりに、シート状で、かつ、厚み方向に凹凸が設けられているモールド樹脂１Ａを供給する工程と、前記モールド樹脂を加熱して、溶融する工程と、前記上型によって被成型品を保持し、前記上型で保持したまま、前記樹脂溜まり内の溶融された前記モールド樹脂に前記被成型品を浸漬し、圧縮成型する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの圧縮成形装置１全体の設置スペースを効率良く縮小し、装置１に設けられる金型５、６における型締力を効率良く減少させ、更に、厚さの異なる基板２（２ａ、２ｂ）を用いたときに、基板２の厚さに対して効率良く調整して型締めする。
【解決手段】 半導体チップの圧縮成形装置１を２個の半導体チップの圧縮成形用金型５、６（上下両型）を積層配置して構成すると共に、この装置１に、上下配置の金型５、６の夫々における上型５ａ、６ａの型面と下型５ｂ、６ｂの型面とを閉じ合わせる型開閉手段１２を設け、型開閉手段１２を、２個のラック１５、１６と１個のピニオン１７とを有する型開閉機構１３と、上下配置の金型５、６の夫々に供給される基板２の厚さに対応して調整する厚さ調整機構１４を設けて構成した。 （もっと読む）

【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）チップが搭載されたリードフレーム上に上記ＬＥＤチップを覆って透明の封止樹脂組成物を成形し、硬化して樹脂封止部を形成する透明樹脂封止型発光ダイオードの製造方法であって、封止樹脂１００質量部に対して離形剤を０．０５〜５質量部含有する封止樹脂組成物を射出成型機により上記ＬＥＤチップを覆って射出成型し、硬化して樹脂封止部を形成することを特徴とする樹脂封止型発光ダイオードの製造方法。
【効果】本発明によれば、封止樹脂に離型剤を特定の濃度で添加することにより、射出成形の際に金属金型に対して良好な離型性が得られ、連続射出成形によりＬＥＤ発光装置が作製できる。 （もっと読む）

【課題】高温高湿下で生じるマイグレーションによる絶縁性の低下が抑制されたＣＯＦ構造の半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材フィルム３ａ上に半導体チップ搭載領域３ｃを有する回路が形成されているＦＰＣ３の該半導体チップ搭載領域３ｃに、半導体チップ２を搭載する工程と、前記ＦＰＣ３と前記半導体チップ２との間に形成される隙間に、液状エポキシ樹脂組成物を注入する工程と、前記隙間に注入した液状エポキシ樹脂組成物を硬化させる工程とを備え、前記液状エポキシ樹脂組成物が、エポキシ樹脂、酸無水物系硬化剤、及び硬化促進剤を含有し、液状エポキシ樹脂組成物を前記隙間に注入する前に、前記基材フィルム３ａを膨潤可能な有機溶媒を前記ＦＰＣ３に塗布することを特徴とするＣＯＦ構造の半導体装置の製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】セラミック回路基板を構成部品とする半導体装置の分離をダイシングで実施すると、セラミック焼成時の不均一な収縮による寸法ズレにより基板側面の外部端子を欠損させる恐れがある。
【解決手段】セラミック回路基板１６の封止樹脂２０表面側から各半導体素子１８ごとの領域のヘヤーライン２４に対して、回転するダイシングブレードでセミフルカットすることにより、残存した基板部分はローラー押圧で分断するので、セラミック回路基板底面の外部端子のダイシングカット時の欠損、フルカットを避けたセミフルカットによるダイシングブレードの摩耗、破損を防止できるものである。 （もっと読む）

【課題】 加熱により反りが発生する脆性な基板を利用した場合でも基板の破損を防止することができ、生産性の高い中空半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子２の回路面を配線基板側にして、半導体素子を基板１にフリップチップ実装し、光硬化性封止用部材１５を、半導体素子が搭載された基板側から半導体素子及び基板に被せ、光硬化性封止用部材を、真空下で、半導体素子及び基板へ弾性体１７を介した加圧押し当てにより貼り付けて半導体素子と基板との間の隙間に中空部４を形成し、真空状態を維持したまま、光硬化性封止用部材に樹脂硬化用光線を照射して光硬化性封止用部材を硬化させる。半導体素子を、基板上にマトリクス状又は直線状に複数配置し、光硬化性封止用部材に樹脂硬化用光線を照射して光硬化性封止用部材を硬化させた後、各々の半導体素子を基板とともに個別に切断してもよい。 （もっと読む）