【課題】 半導体素子の実装時に半導体素子と被着体との電気的接続を良好に行い、接続信頼性の高い半導体装置を製造可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、アンダーフィル材を備える封止シートを準備する工程と、半導体ウェハの接続部材形成面と上記封止シートとを貼り合わせる工程と、上記半導体ウェハをダイシングして上記半導体素子を形成する工程と、上記被着体と上記半導体素子の間の空間をアンダーフィル材で充填しつつ上記接続部材を介して上記半導体素子と上記被着体とを電気的に接続する工程とを含み、上記接続工程は、上記接続部材と上記被着体とを下記条件（１）の温度α下で接触させる工程と、上記接触した接続部材を上記被着体に下記条件（２）の温度β下で固定する工程とを含む。
条件（１）：接続部材の融点−１００℃≦α＜接続部材の融点
条件（２）：接続部材の融点≦β≦接続部材の融点＋１００℃ （もっと読む）

【課題】環状オレフィンモノマーを開環メタセシス重合して得られる熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂を含み、封止材、プリプレグ、接着剤に使用される樹脂との十分な離型性と、引張破断伸び、引張破断強度等の機械的強度を有するフィルムとその製造方法を提供する。
【解決手段】熱硬化性架橋環状オレフィン樹脂フィルムを、（ａ）環状オレフィンモノマー１００質量部及び（ｂ）石油樹脂０．２〜１３質量部を含有する重合性組成物を開環メタセシス重合して得る。 （もっと読む）

【課題】小型で、信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的としている。
【解決手段】電力用半導体素子２１、２２を接合するダイパッド１１ｄと、ダイパッド１１ｄに対して段差を付けられた制御素子２３を接合するダイパッド１２ｄが、並列する複数の端子１１、１２を形成するリードパターンとともに、端子の延在方向におけるそれぞれ一端側の領域と他端側の領域で連なり、かつ、一端側の領域から他端側の領域にかけて延在する延在パターン１３、１５が形成された１枚のリードフレーム１０を用い、リードフレーム１０の面を保ったまま、延在パターン１３、１５の所定部分Ｒｂに屈曲部１３ｂ、１５ｂを形成することにより、制御素子２３が、電力用半導体素子２１、２２にオーバーラップするようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を覆う樹脂の融解むらを低減するモールディング装置を提供する。
【解決手段】融解したモールディング材料が流し込まれる型と、型に設けられ、融解する前の固形のモールディング材料が設置されるセットポッドと、モールディング材料を融解させる温度に熱せられ、モールディング材料を型に押し込むプランジャと、プランジャの固体のモールディング材料に接する面から前記モールディング材料側に突出可能に設けられた持ち上げ部材と、を備えるモールディング装置。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の破損や電極板の変形を回避できるように考慮されたモールド装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と、その表裏両面側の電極板４，５と、枠状の絶縁体６とからなる中間組立体Ｗを、それらの電極板４，５を当接部とする上型８と下型９との型締め状態をもって形成されるモールド室Ｒ内に配置する。中間組立体Ｗをインサートとしてモールド室Ｒに樹脂材料を充填して、中間組立体Ｗをモールドして半導体装置１とする装置である。上側の電極板４の一部を直接挟持部４ａとして上下型８，９同士の型合わせ面１０で直接的に挟持するとともに、上下型８，９のうち直接挟持部４ａ以外で電極板４，５に当接する部分を揺動可能なフローティング型８ｂ，９ｂとしてある。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において半導体装置の形状や意匠への制限を抑制でき、高生産性、かつ低コストで高品質の半導体装置の製造を可能にする半導体装置用パッケージの製造方法及び半導体装置用パッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】成型部を成型するためのキャビティ凹部を有する上金型と平坦面を有する下金型との間にリードフレームをチップ搭載領域が上側になるようにセットし、キャビティ凹部内で連結部と該連結部に隣接する信号接続端子との一部を押圧ブロックによりクランプしながらキャビティ凹部内に成型材料を充填し、複数のチップ搭載領域のダイパッド部と押圧ブロックによりクランプした信号接続端子の一部とが上面に対して露出し、チップ搭載領域の反対側の信号接続端子が下面に対して露出して上下両面に複数の外部電極が露出するように成型部を成型する工程を含む半導体装置用パッケージの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で安価な小型の樹脂封止装置を提供する。
【解決手段】少なくとも上金型２１と下金型２３とを備え、前記上金型２１と前記下金型２３との間で基板およびフィルムを挟持するとともに、前記基板とフィルムとの間に充填した樹脂材料で基板に実装した電子部品を樹脂封止する樹脂封止装置であり、前記下金型２３を、前記上金型２１に対向する成形位置と、前記上金型２１の一方側の側方に位置し、かつ、前記フィルムを供給するフィルム供給ユニット３０の直下に位置するフィルム供給位置Ｆと、前記上金型２１の他方側の側方に位置する基板供給位置Ｅとに移送する移送手段と、前記下金型２３単体でフィルム供給位置Ｆに移送できる一方、前記中間金型２２を載置したままの状態で前記下金型２３を基板供給位置Ｅに移送できる制御手段と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造可能なＬＥＤパッケージ用基板を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージを製造するために用いられるＬＥＤパッケージ用基板であって、ＬＥＤチップの第１の電極に電気的接続するためのダイパッドおよびＬＥＤチップの第２の電極に電気的接続するためのリードを備えたリードフレームと、トランスファ成形によりダイパッドとリードとの間の抜き孔に充填され、かつ、リードフレームの表面上の端部にダム部を成形する樹脂とを有する。 （もっと読む）

【課題】モールド金型内面に強力に放熱板を押しつけることにより、樹脂バリに発生を抑制するし、効率よく放熱をおこなうことができる半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、リードフレームと放熱板と樹脂封止体で構成され、放熱板の一方の主面が樹脂封止体から露出する高放熱樹脂封止型半導体装置において、リードフレームに吊り部とヘッダー部を備え、吊り部は放熱板の他方の主面に接合固定させ、ヘッダー部は放熱板の他方の主面に押圧させている状態で、樹脂封止用金型で挟持させて樹脂封止するものである。また、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、樹脂成形において、ダイパッドの変形が起こり難いアルミニウム素材のリードフレームと、軽量で製造コストの安い半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明のリードフレームは、アルミニウム素材を使用し、ダイパッド部に切欠き部を設けることにより、樹脂成形時におけるリードフレームの変形を抑制している。また、このリードフレームを使用して、製造したフルモールド型の樹脂封止型半導体装置とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金型や成形品との剥離性に優れ、しかも、金型の形状が設計寸法通りに成形品へ転写される型形状転写性に優れるとともに、成形品の表面平滑性が得られ、さらには、１４０℃前後の使用温度における耐熱性も有する離型用フィルムを提供する。
【解決手段】ＪＩＳ Ａ 硬度が７０以上、ビカット軟化温度が１００〜１８０℃であるポリウレタン系エラストマー１００質量部に対して、フッ素含有アルコール系化合物とフッ素含有ジオール化合物からなる群から選択される１つ又は複数の化合物を０．１〜５．０質量部の範囲に含有する熱可塑性エラストマー組成物からなっている。 （もっと読む）

【課題】 より効率よく基板に実装することのできる半導体装置を提供すること。
【解決手段】 複数のダイパッド部１１と、複数のダイパッド部１１のいずれか一つに各々が配置された複数の半導体チップ４１と、複数のダイパッド部１１のいずれをも露出させる凹部７５が形成され、且つ、複数のダイパッド部１１および複数の半導体チップ４１を覆う封止樹脂部７と、凹部７５に配置された、絶縁性の放熱層６と、を備え、放熱層６は、複数のダイパッド部１１のいずれにも正対しており、放熱層６は、凹部７５が開口する方向に露出している弾性層６９を含み、弾性層６９は、放熱層６の厚さ方向視において、複数のダイパッド部１１のいずれにも重なる。 （もっと読む）

【課題】封止性能が向上したダイパッド露出型パッケージの半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１０は、以下の構成を備えている。裏面に、平面視で外縁に沿って、当該外縁よりも内側に設けられた凸部２２２を備えるダイパッド２２０と、ダイパッド２２０の裏面の反対側の一面に搭載された半導体チップ１００と、ダイパッド２２０から間隔を隔てて当該ダイパッドの外縁に沿って当該ダイパッドの周囲に配置された複数のリード端子２４０と、ダイパッド２２０、半導体チップ１００、および複数のリード端子２４０の少なくとも一部を封止した封止樹脂３００と、を備えている。ダイパッド２２０の裏面のうち、凸部２２２および凸部２２２によって囲まれた領域２２４は、封止樹脂３００の下面から露出しており、凸部２２２の頂面は、封止樹脂３００の下面と同一面を形成している。 （もっと読む）

【課題】半田ペースト溶融時の半導体チップの傾きを抑制し、半導体チップと電極板との接合の信頼性を向上できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、電極を有する裏面電極板と、裏面電極板に半田により接合された半導体チップと、電極が露出した状態で、半導体チップを封止する封止材と、を備え、裏面電極板と半導体チップとの接合面に、１以上の第１のバンプが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子の保護を確保できるように改善された半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１０は、いわゆるインテリジェントパワーモジュール（Intelligent Power Module、ＩＰＭ）であり、その内部にパワー半導体素子１２ａ〜１２ｆを備えている。半導体装置１０には、ＨＶＩＣ２０およびＬＶＩＣ３０が設けられている。ＨＶＩＣ２０は、高耐圧ＩＣ（High Voltage IC）であり、ハイサイド側にあるパワー半導体素子１２ａ、１２ｂ、１２ｃを駆動する駆動ＩＣである。ＬＶＩＣ３０は、低耐圧ＩＣ（Low Voltage IC）であり、ローサイド側にあるパワー半導体素子１２ｄ、１２ｅ、１２ｆを駆動する駆動ＩＣである。ＨＶＩＣ２０は、Ｆｏ入力端子を備えている。ＬＶＩＣ３０からＦｏ入力端子への異常信号の入力に応じて、その信号を受け取ったＨＶＩＣ２０がパワー半導体素子１２ａ、１２ｂおよび１２ｃをオフとする。 （もっと読む）

【課題】金型でのクランプによる半導体素子のバリ発生や破断を防止した製造方法を用いて、半導体素子の一部と電気制御回路の表面を樹脂で封止する流量センサの構造を提供する。
【解決手段】空気流量検出部とダイヤフラムとを形成した半導体素子と、前記半導体素子を制御するための電気制御回路部を配置した基板またはリードフレームを備え、前記空気流量検出部を露出させた状態で、前記半導体素子の一部表面を含み、前記電気制御回路部の表面が樹脂で覆われている空気流量センサの構造を用いる。樹脂モールド、基板、予めモールドしたプリモールド部品などの面が、半導体素子の空気流量検出部分の設置面と直交する３面と連続して接触しない状態で、半導体素子を囲んだ流量センサの構造や、バネの変形や弾性体フィルムの肉厚方向の変形により半導体素子の寸法バラツキを吸収できる製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲート下部の樹脂厚が薄く、樹脂形状やゲート位置に制限がある場合であっても、ゲート切断時においてゲート直下部のリードフレームからの樹脂の剥離によるリード裏面の露出を防止することを目的とする。
【解決手段】リードフレーム２１のゲート樹脂残り部１０５の近傍表面のエリア２６に、樹脂との密着性が向上するような表面処理３９を施すことにより、樹脂形状やゲート位置に制限があり、かつ、ゲート直下部の樹脂厚２０３がゲート径２０６より薄い場合でも、リードフレーム２１と樹脂との接合強度が向上するため、ゲート切断時に樹脂が剥離することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂成形型５・８のキャビティ10内に供給セットした樹脂封止前基板上の電子部品を樹脂封止成形する際に、キャビティ10内の樹脂材料未充填状態や樹脂パッケージ内外部のボイド形成を防止すると共に、キャビティ10内と外部とを連通させたエアベント溝部13からの樹指漏れを防止する。
【解決手段】樹脂成形型の型開閉方向の位置となり且つ成形品突出機構17と重ね合せた位置にエアベントピン28を装着したエアベントピン取付プレート29を連続して配設すると共に、エアベントピン28をエアベント溝部13の部位に配設する。このエアベントピン28を介してエアベント溝部13を開放した状態に設定し且つこの開放状態でキャビティ10内への樹脂材料注入工程とキャビティ10内の減圧工程を行うと共に、エアベントピン28を介して樹脂材料注入工程の終了時期に合わせてエアベント溝部13を閉鎖した状態に設定する。 （もっと読む）