【課題】ボイドの発生を抑制し、かつ、半導体チップ上面への這い上がりを生じにくい電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、無機充填剤とを含有する電子部品用接着剤であって、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定した５ｒｐｍでの粘度をＡ１（Ｐａ・ｓ）、０．５ｒｐｍでの粘度をＡ２（Ｐａ・ｓ）としたとき、Ａ１とＡ２／Ａ１とが図１の実線及び破線で囲まれた範囲内（ただし、実線上は含むが破線上は含まない）であり、前記硬化性化合物１００重量部に対して、前記硬化剤の配合量が５〜１５０重量部、前記無機充填剤の配合量が６０〜４００重量部である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】上面に回路素子が組み込まれた回路基板の裏面を薄く樹脂封止する樹脂封止工程を低コストで実現する回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明では、混成集積回路が組み込まれた回路基板１４の上面および側面をトランスファーモールドで形成される第１封止樹脂１８で被覆した後に、回路基板１４の下面、第１封止樹脂１８の下面および側面を第２封止樹脂２０で被覆している。更に、第２封止樹脂２０を形成する工程では、第１封止樹脂１８の上面を第２金型５０の内壁に当接させて位置を固定することで、安定したトランスファーモールドを実現している。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、離型フィルムが低温度域で予備加熱される場合であっても封止樹脂（前駆体）を比較的容易に所望の形状に成形することができると共に、封止半導体を容易に脱型することができる封止半導体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る封止半導体の製造方法は、離型フィルム設置工程、封止樹脂等注入工程、半導体浸漬工程および封止樹脂等固化工程を備える。離型フィルム設置工程では、型３００の凹部（キャビティ）３１０に、ポリオレフィンを主成分とするクッション層２２０を有する離型フィルム２００が沿わせられる。封止樹脂等注入工程では、離型フィルムが沿わせられた凹部（以下「離型凹部」という）３１１に封止樹脂等４００が注入される。半導体浸漬工程では、離型凹部内の封止樹脂等中に半導体１２０が浸漬される。封止樹脂等固化工程では、半導体が封止樹脂等に浸漬された状態で、封止樹脂等が固化される。 （もっと読む）

【課題】基板と封止材料の間、あるいは基板中に異物が侵入して性能の低下を招くのを抑制できる半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体パッケージの製造工程で枠フレーム２の中空部を表面が粘着性の銅箔３で被覆した保持治具１を用いることにより、半導体パッケージを製造する半導体パッケージの製造方法であり、保持治具１の銅箔３表面に、多層のサブストレート２０上に半導体チップ２２が実装された半導体パッケージ用の複数の中間部品２５を隙間を介し並べて粘着保持させ、この複数の中間部品２５をモールド樹脂２６により一括モールドして各中間部品２５の下面２７以外の領域を被覆し、一括モールドされた複数の中間部品２５を保持治具１から取り外した後、一括モールドされた複数の中間部品２５をその隣接する中間部品２５と中間部品２５の間で分断する。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する塗布対象面へ平坦で厚さが均一な塗布を実現できる粘性材料塗布装置を提供する。
【解決手段】本発明の粘性材料塗布装置１００は、表面に凹凸を有する被塗布体の表面に設けられたマスク１９上を摺動可能に設けられ、マスク１９上を摺動することにより、粘性材料４１をローリングしながら基板１３の表面に塗布するスキージ５と、粘性材料４１を基板１３の表面に押圧可能なヘラ７と、ヘラ７の押圧量を調節可能な上下機構９を有する （もっと読む）

【課題】水分の排出経路の確認を容易にしながら、樹脂層とシールド層との界面で剥離が生じるのを抑制することが可能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】この高周波モジュール１は、ＩＣ２および部品３が搭載された基板４と、ＩＣ２および部品３を封止する絶縁性の樹脂層５と、樹脂層５の表面に設けられた導電性のシールド層６と、を備える。シールド層６には、樹脂層５まで達するとともに１μｍ以上の開口幅Ｗ１を有する開口部６ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】反射体付基板を製造する際に環境に与える負荷を抑制して、反射体付基板を安価に製造する。
【解決手段】上型４６の下面に基板本体２を固定し、キャビティ５０を流動性樹脂５１によって満たされた状態にし、上型４６と下型４７とを型締めして基板本体２の所定の面を流動性樹脂５１に浸漬し、流動性樹脂５１を硬化させて硬化樹脂５３を形成し、上型４６と下型４７とを型開きし、成形済基板５２を上型４６から取り外す。下型４７には基板本体２の領域４にそれぞれ対応する領域が設けられ、キャビティ５０には複数の凹部４８と複数の凹部４８同士を連通する空間４９とが設けられる。複数の凹部４８において硬化樹脂５３からなる反射体５４を形成するとともに空間４９において硬化樹脂５３からなる薄肉部５５を形成し、成形済基板５２から薄肉部５５を除去する。 （もっと読む）

【課題】一括封止法の途中で得られる一括封止基板の反りを防止又は軽減する。
【解決手段】本発明は、基板上に複数の半導体素子が搭載され、その素子搭載面を一括封止した封止部を設けた一括封止基板であって、前記封止部は、少なくとも一つの半導体素子を含む個片化単位間の境界の少なくとも一部領域に当該境界と平行に延びるリブを有しており、当該リブが、封止材によって当該封止部と一体成形されている。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法を用いて形成される外部端子を有する半導体装置の製造において、欠けのない封止体を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの表面が第１ステージの表面と対向するように、第１温度（例えば８０〜１００℃）に加熱された第１ステージの表面上に半導体ウエハを配置して、半導体ウエハの裏面に接着剤を貼り付けた後、半導体ウエハに第１温度よりも高い第２温度の熱処理を施す。さらに、半導体ウエハおよび接着剤を切断領域に沿って切断して複数の半導体チップを取得した後、第３温度（例えば４０〜８０℃）に加熱された第２ステージの表面上に母基板を配置して、母基板の上面に接着剤を介して半導体チップを固定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明が解決しようとする課題は、回路基板が薄くとも、パッケージ反りを抑制することができる半導体パッケージの製造方法を提供すること。
【解決手段】
（Ａ層）耐熱フィルム層、（Ｂ層）封止層用樹脂組成物層、（Ｃ層）回路基板層を含有する特定の半導体パッケージ前駆体を熱硬化し、Ａ層を剥離することにより、本発明を完成するに至った。 （もっと読む）

【課題】ランナおよびゲートが異なる位置に設けられた任意の金型に対応可能であり、基板に応力を掛けることなく不要な樹脂を除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板の上に半導体チップを実装するステップと、半導体チップの実装後に基板の上に剥離性部材を形成するステップと、半導体チップを封止するように基板の上に樹脂を形成するステップと、基板の剥離性部材の上に形成された不要な樹脂を除去するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】 不具合解析のための個体識別情報を電子部品モジュールの表面に露出することなく付加し、個体識別情報の付加による基板レイアウト上の自由度を向上した電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】 複数の領域に区画された板状支持体と、この板状支持体の一方の面上に前記区画毎に配置された回路部品を備え、前記板状支持体の少なくとも前記一方の面上と前記回路部品とが一括封止された後、前記区画に沿って分割されて成る電子部品モジュールであって、前記板状支持体は前記区画毎の個体識別情報を備え、該個体識別情報は外部に露出しない。 （もっと読む）

【課題】粒体樹脂を用いてキャビティ凹部に応じて万遍なく樹脂を供給可能な樹脂吸着搬送方法を提供する。
【解決手段】樹脂吸着搬送装置１の吸着面２ａを粒体樹脂３に接離動させて吸着面２ａに粒体樹脂３を吸着保持させ、粒体樹脂３を吸着保持したまま樹脂吸着搬送装置１を型開きしたモールド金型５へ進入させて、キャビティ凹部６と対向する位置に位置合わせして吸着保持した粒体樹脂３の吸着を解除して供給する。 （もっと読む）

【課題】高精度で信頼性の高い半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の主面および第１の主面とは反対側の第２の主面を有する基板１０と、基板１０の第１の主面上に実装された半導体チップ２０と、半導体チップ２０を封止した樹脂４０と、基板１０の第１の主面上に配置され、樹脂４０の一部をレーザ加工により除去することで樹脂４０から少なくとも一部を露出した半田ボール３０と、基板１０の第２の主面上に配置された半田ボール５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 電子デバイスのパッケージを薄型化する。
【解決手段】 金属、プラスチック、シリコン等の基板２００上に電気接続部２０２、２０４、２０６が形成され、電気接続部２０４の上にＬＥＤ等の電子デバイス２０８が接着剤２１８等によって固定される。ワイヤボンド２１０、２１２が接続された後、固定剤２１４が供給され、固化して電子デバイス２０８が電気接続部２０４に固定される。基板２００は、機械的、あるいは化学的な方法によって除去され、電気接続部２０２、２０４、２０６は固定剤２１４の一面で露出した状態となり、パッケージの接続部を構成する。パッケージの製造プロセス中で必要であった基板２００が最終的に除去されることで、パッケージ全体としての高さが減じられて薄型化が達成される。 （もっと読む）

【課題】車載用電子モジュールをモールドする際にコネクタ端子の変形や樹脂漏れなどが起こり難く成形品質を高めた樹脂モールド方法を提供する。
【解決手段】車載用電子モジュール１を型開きしたトランスファ成形用の第一のモールド金型６に搬入し、熱硬化性樹脂をポット９内に搬入し、コネクタ４を除いた基板面を第一のモールド金型６によりクランプして電子部品２が搭載された基板面を一次成形する工程と、一次成形された車載用電子モジュール１を、第二のモールド金型１２に搬入し、一次成形されたパッケージ部１１とコネクタ４のコネクタ成形部４ａをクランプして露出する基板接続端子５ａを二次モールドする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ小型で高機能なパワーモジュールを得ること。
【解決手段】実施の形態にかかるパワーモジュール１００は、金属ベース３と、前記金属ベース３の上に搭載されたパワー素子９と、前記パワー素子９を制御する部品７を搭載し、貫通穴６を備えた制御基板４と、前記金属ベース３の一面のみ露出させ、前記金属ベース３、前記パワー素子９、及び前記制御基板４を覆って封止する樹脂５とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップ、又は半導体チップとその他の電子部品とを樹脂で固定して一体化し、高密度化の半導体装置を歩留まり良く製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上に接着剤層１２を介して金属層１３を配置する。その後、金属層１３の上に、金属層１３の金属と反応して粘着性を有する化合物を生成する溶液を付着させ、粘着層１４を形成する。次に、粘着層１４の上に電子部品１５を載置し、電子部品１５を樹脂層１６で被覆する。次いで、レーザ照射等により接着剤層１２の接着力を減少させた後、支持基板１１を樹脂層１６から分離する。その後、接着剤層１２及び金属層１３等を除去して疑似ウェハとした後、疑似ウェハの表面に配線等を形成する。 （もっと読む）

【課題】成形品の製造歩留まりを向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】上テーパプレート２４に対して、そのテーパ面２４ａと対向するテーパ面２５ａを有する下テーパプレート２５を型開閉方向と直交する方向に移動して、テーパ面２４ａおよびテーパ面２５ａでスライドさせると共に、下テーパプレート２５を介してインサートブロック２２を型開閉方向に移動させてクランプ位置を固定させる。次いで、ワークＷが第１クランプ力Ｃ１より高い第２クランプ力Ｃ２でクランプされた状態で、キャビティ１５ａが完全に充填されるまで第１樹脂圧Ｐ１で溶融樹脂２８ａを注入し、ワークＷが第２クランプ力Ｃ２より高い第３クランプ力Ｃ３でクランプされた状態で、キャビティ１５ａで充填された溶融樹脂２８ａに対して第１樹脂圧Ｐ１より高い第２樹脂圧Ｐ２で加圧する。 （もっと読む）

【課題】モールド工程において、モールド流れの導きと流速バランス取りが可能な非アレイバンプのフリップチップモールドの構造体を提供する。
【解決手段】基板１１０は、はんだマスク層１１２に覆われる上表面１１１を有し、複数のパッド１１３と少なくとも１つのモールド流れガイドバー１１４を設置する。モールド流れガイドバー１１４は、パッド無し空白区域Ａに設置され、かつパッド１１３とはんだマスク層１１２を越える高さＨを有して突起状に形成される。チップ１２０は複数個のバンプ１２１を有し、かつ基板１１０上にフリップチップ接合されることで、バンプ群１２１をパッド群１１３に接合させ、チップ１２０と基板１１０との間にモールド流れ間隙Ｓを形成する。モールド封止材１３０は上表面１１１に形成されてチップ１２０を密封し、モールド流れ間隙Ｓに十分充填されてバンプ群１２１とモールド流れガイドバー１１４を密封している。 （もっと読む）