【課題】ＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあってもＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができるＬＥＤパッケージ製造システムにおける樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供する。
【解決手段】蛍光体を含む樹脂によってＬＥＤ素子を覆って成るＬＥＤパッケージの製造に用いられる樹脂塗布装置であって、クランプ部６３が試し塗布材４３を位置決めした状態で、試し塗布材４３に試し打ちされた樹脂に励起光を照射して、樹脂に含まれる蛍光体から発生した光を発光特性測定部３９が測定し、発光特性測定部によって測定した測定結果と、予め規定された発光特性との偏差を求め、この偏差に基づいて実生産用としてＬＥＤ素子に塗布されるべき樹脂の適正樹脂塗布量を導出する。 （もっと読む）

【課題】発光特性を均一にして生産歩留まりおよび面積生産性を向上させることができる発光素子の製造システムおよび製造方法ならびにこの発光素子を基板に実装して構成された発光素子パッケージの製造システムおよび製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＬＥＤ素子の上面を蛍光体を含む樹脂で被覆してなる発光素子パッケージの製造において、ウェハ状態のＬＥＤ素子に樹脂を吐出して供給する樹脂供給に際し、樹脂を発光特性測定用として試し供給した透光部材に光源部から励起光を照射してこの樹脂が発する光の発光特性を測定し、この測定結果と予め規定された発光特性とに基づいて適正樹脂供給量を補正して、実生産用としてＬＥＤ素子に供給されるべき樹脂８適正樹脂供給量を導出する。 （もっと読む）

【課題】一方のクランパ部に対して他方のクランパ部の平行度を保つことのできる技術を提供する。
【解決手段】下クランパ部２８を上クランパ部２７に向かって平行に昇降する平行昇降機構４０が備えるレベリング部２９は、摺動孔２６ａの対向する内壁面に当接して挿入され、下クランパ部を載置する載置ブロック５２と、載置ブロック５２と対向する摺動孔２６ａの内壁面との間に設けられたスプリング部５１とを有している。レベリング部２９は、スプリング部５１により摺動孔２６ａの内壁面に対して載置ブロック５２を押し付けて位置決めしたまま摺動孔２６ａ内を摺動することにより、載置ブロック５２上に設けられた下クランパ部２８の昇降をガイドする。 （もっと読む）

【課題】
レンズと封止樹脂との間に光学的界面が存在しないようにして光取り出し効率を最大限に向上させるとともに、製造上無理がなく、しかもＬＥＤ素子１と確実に光軸を合わせることができるＬＥＤパッケージ１００の製造方法等を提供する。
【解決手段】
ＬＥＤ素子１を透明なシリコーン樹脂で封止して封止層３を形成し、前記封止層３の表面に短パルスレーザを照射して環状の変質部分Ｑを形成し、該変質部分Ｑを取り除くことによって環状の有底溝５を形成し、前記封止層３の表面における前記有底溝５の内周縁５ａで囲まれた領域に、前記シリコーン樹脂とは同種又は別種の透明な第２樹脂を液体状態で供給し、前記内周縁５ａを境界とする表面張力によって当該第２樹脂の盛り上がり部を形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、大口径、薄膜ウエハに対して良好な転写性能を有し、成形後（モールド後）において低反り性及び良好なウエハ保護性能を有し、ウエハーレベルパッケージに好適に用いられる樹脂積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 樹脂積層体であって、前記第一剥離フィルムの剥離力が１００〜２５０ｍＮ／５０ｍｍであり、前記第二剥離フィルムの剥離力が３５〜１００ｍＮ／５０ｍｍであり、前記第一剥離フィルムの剥離力と前記第二剥離フィルムの剥離力の差が５０ｍＮ／５０ｍｍ以上であって、前記第一樹脂層はシリコーン骨格含有高分子化合物、架橋剤およびフィラーを含有し、前記第二樹脂層はシリコーン骨格含有高分子化合物、架橋剤を含有し、さらに、前記第一樹脂層に含まれるフィラーの含有率を１００とした場合に、含有率が０以上１００未満となるようにフィラーを含有するものであることを特徴とする樹脂積層体。 （もっと読む）

【課題】高精度な電極接合を行うことができ、電極の接合不良を低減することのできる半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】封止樹脂５を介して半導体チップと電子部品とを別々の温度に加熱しながら押圧して、前記半導体チップの突起状電極２と前記電子部品の電極部とを接触及び接合させる工程と、前記封止樹脂５を硬化させる工程とを有する半導体チップ実装体の製造方法であって、前記半導体チップの突起状電極２と前記電子部品の電極部とを接触及び接合させる工程において、前記半導体チップの突起状電極２の先端部の融点をＭ１、前記電子部品の電極部の融点をＭ２、前記半導体チップを加熱する温度をＴ１、前記電子部品を加熱する温度をＴ２としたとき、Ｔ１＜Ｍ１＜Ｔ２＜Ｍ２、又は、Ｔ２＜Ｍ２＜Ｔ１＜Ｍ１を満たす半導体チップ実装体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑制できるとともに、光半導体層の発光効率の低下を防止しながら、均一な白色光を発光して、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置の製造方法、および、その製造方法に得られる発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】ベース基板１６を用意し、電極部４が上に設けられた光半導体層３とベース基板１６とを厚み方向に対向配置させ、電極部４と端子１５とを電気的に接続して、光半導体層３をベース基板１６にフリップチップ実装し、ベース基板１６の上に、光半導体層３および電極部４を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層１４を形成し、封止樹脂層１４の上側部を、光半導体層３が露出されるように除去し、シート状に形成された蛍光体層１７を、光半導体層３の上面と接触するように形成して、蛍光体層１７、光半導体層３および電極部４を備える発光ダイオード素子２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル液を用いたときと同等の効果が得られ基板と半導体チップ間の充填方法を実現する。
【解決手段】プリント基板３３の複数の電極部にハンダバンプ３９を形成し、この複数のハンダバンプを介して半導体チップ４１をプリント基板に搭載する。その際、プリント基板のハンダバンプが形成された面側を覆うアンダーフィル用の熱可塑性のフィルム３０を準備する。このフィルムは、ハンダバンプ部分が取り除かれているとともに半導体チップが搭載される部分の周縁部が突起状に形成されており、フィルムでプリント基板を覆った後にフィルムを基板に貼り合せ、次いで半導体チップをプリント基板に搭載してリフロー炉に搬送し、このリフロー炉において加熱および加圧ＨＰして、ハンダバンプを溶融する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する。次いで、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止する（モールド工程）。次いで、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す。次いで、封止樹脂の不要部分を除去する（除去工程）。ここで、リードフレーム２００の支持フレーム２４０には、切れ込みが形成されている。これにより、支持フレーム２４０の一部が可動部２６０として、支持フレーム２４０の本体につながりつつ、折畳み可能になっている。また、除去工程において、可動部２６０を除去することにより、不要部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】パッケージのうち封止層の表面に窪みが形成されることを抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造プロセスにおいて、半導体ウエハ２１上への液状の封止材料３３の塗布、脱泡、仮焼成からなる一連の工程を実行して仮硬化状態の封止膜１７−１を形成した後、再度液状の封止材料３３の塗布、脱泡、本焼成からなる一連の工程を実行して、仮硬化状態の封止膜１７−１と、その後に塗布した封止材料３３からなる封止膜１７−２が、境目のない一体の層をなす封止層１７が形成される。また、これにより、均一な膜厚を有するとともに、平坦な表面状態を有する封止層１７が形成される。 （もっと読む）

【課題】封止前基板と封止済基板とを容易に取り扱うことによって、高い生産性でＬＥＤパッケージを製造する。
【解決手段】キャリア１４に封止前基板１をはめ込む。次に、そのキャリア１４を上型１８に固定する。次に、下型１７と上型１８とを型締めする。これにより、封止前基板１に装着された複数のＬＥＤチップ１３を、キャビティに満たされた流動性樹脂２６に浸す。次に、流動性樹脂２６を硬化させて硬化樹脂２８を形成する。これにより、複数のＬＥＤチップ１３を一括して樹脂封止する。次に、下型１７と上型１８とを型開きして、封止済基板２９がはめ込まれたキャリア１４を取り出す。次に、キャリア１４から封止済基板２９を突き出す。次に、封止済基板２９を切断する。これにより、封止済基板２９を、各ＬＥＤチップ１３にそれぞれ相当する複数のＬＥＤパッケージに個片化する。 （もっと読む）

【課題】複数層の構造を有する半導体装置の界面における微小な欠陥を検出する。
【解決手段】欠陥検出装置１００は、複数層の構造を有する半導体装置１１に光１４を照射する光源（例えば、同軸照明３）と、半導体装置１１を撮像する撮像部（例えば、ＣＣＤカメラ１）を有する。欠陥検出装置１００は、更に、撮像部による撮像結果に基づいて、少なくとも、半導体装置１１の層間の界面１２における欠陥（例えば、樹脂剥離部９）を検出する欠陥判定部６５を有する。光源から照射される光を、界面１２に直交する方向に対して傾斜した方向から、半導体装置１１において撮像部と対向する面（例えば、上面１３）から半導体装置１１に入射させ、撮像部により、界面１２からの反射光１７を撮像する。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤパッケージ製造システムにおいて、個片のＬＥＤ素子の発光波長がばらつく場合にあってもＬＥＤパッケージの発光特性を均一にして、生産歩留まりを向上させることができる樹脂塗布装置および樹脂塗布方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子を蛍光体を含む樹脂によって覆って成るＬＥＤパッケージの製造に用いられる樹脂塗布において、樹脂８を発光特性測定用として試し塗布した透光部材４３を光源部を備えた透光部材載置部４１に載置し、光源部から発光された励起光を透光部材４３に塗布された樹脂８に照射することによりこの樹脂８が発する光の発光特性を発光特性測定部３９によって測定した測定結果と予め規定された発光特性との偏差を求め、この偏差に基づいて実生産用としてＬＥＤ素子に塗布されるべき樹脂の適正樹脂塗布量を導出する。 （もっと読む）

【課題】電子部品と回路基板との隙間に存在するボイドを低減して、電子部品の信頼性を向上させる構造体を提供する。
【解決手段】回路基板１０の電極部又は前記電子部品の端子部上に、前記回路基板１０及び前記電子部品の隙間の間隔よりも薄い膜厚の第１の樹脂材を供給する工程と、前記第１の樹脂材を供給した後、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接触させたまま、前記回路基板１０の電極部又は前記電子部品の端子部上に配設された半田材３０を第１の温度で溶融して、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接続する工程と、前記電子部品の端子部を前記回路基板１０の電極部に接続した後、前記回路基板１０及び前記電子部品の隙間に第２の樹脂材を充填する工程と、前記第２の樹脂材を、前記第１の温度よりも低温である第２の温度で加熱する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アタッチメントへの半導体用封止材の付着を抑制しながら、良好なフィレットを形成することのできる半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】厚みが１００μｍ以下の半導体チップを基板に実装する半導体チップの実装方法であって、基板に半導体用封止材を供給する工程と、前記半導体用封止材を介して、半導体チップを前記基板に搭載する工程と、前記半導体用封止材を硬化する工程とを有し、前記基板は、水との接触角が３０°以下である半導体チップの実装方法。 （もっと読む）

【課題】 集合基板状で製造する樹脂モールドタイプの回路モジュールにおいて、集合基板の反りに起因する回路モジュールの高さばらつきがある。高さばらつきが低減された回路モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】 平坦な溝付き支持板を用い、集合基板をこれに押し付ける形で平坦な状態を作り出し、この状態で封止用樹脂を硬化させることで、分割された個々の回路モジュールの高さばらつきを低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの背面に沿って発生するフラッシュの蓄積を防止した半導体モールディングチャンバーを有する半導体装置の封止システム及び封止方法を提供する。
【解決手段】半導体モールディングチャンバーのシステムと方法が開示される。上モールディング部分１０５と下モールディング部分１０７とを含み、それらの間にモールディングキャビティ３０５を形成し、半導体ウェハ１０１が配置される。半導体モールディングチャンバーは、半導体ウェハの位置を保持、固定する第一組吸引チューブと、キャビティ外部周辺ガスを排出する第二組吸引チューブと、を有する。封止材３０１が、その後、半導体ウェハ上に配置されて、半導体ウェハを封止する。 （もっと読む）

【課題】 樹脂封止されるために成形型に配置される封止前基板を、適切に予熱する。
【解決手段】 封止前基板５に装着されたチップを樹脂封止する樹脂封止装置１に、成形モジュール３Ａ〜３Ｄと、各成形モジュール３Ａ〜３Ｄに各々設けられた下型１０と、下型１０に相対向して各々設けられた上型と、各下型１０に設けられ流動性樹脂によって満たされるキャビティ１１と、各成形モジュール３Ａ〜３Ｄまで封止前基板５を搬送する搬送機構９と、搬送機構９に設けられた第１のヒータと、搬送機構９から受け取った封止前基板５をキャビティ１１の上方まで移送して上型の型面に引き渡す移送機構１３と、移送機構１３に設けられた第２のヒータとを備える。第１のヒータは封止前基板５を各成形モジュール３Ａ〜３Ｄまで搬送する過程において、第２のヒータは受け取った封止前基板５を上型の型面に引き渡すまでの過程において、各々封止前基板５を面的に加熱する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装された半導体装置において、半導体素子を適切に保護しつつ、半導体装置の反り量を低減する。
【解決手段】半導体素子２と樹脂回路基板４とを、半導体素子２に形成された突起電極３を介してフリップチップ接続し、半導体素子２と樹脂回路基板４間の隙間を第１の樹脂５により封止する。樹脂回路基板４における半導体素子２が実装されている面を、半導体素子２と共に第１の樹脂５とは異なる第２の樹脂６で覆う。さらに、半導体素子２上の第２の樹脂６で覆われている部分に凹部７を設け、凹部７に第１の樹脂５と第２の樹脂６とは異なる第３の樹脂または金属８を設ける。 （もっと読む）