Fターム[5F064AA10]の内容
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Fターム[5F064AA10]に分類される特許
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半導体デバイスの製造方法
【課題】 新規な方法は,大幅なNREの減少と数の柔軟性を備えたASICを提供する。本発明は,半導体基板上を提供し,当該半導体基板上に,複数のエリアI/Oを含むボーダレスロジックアレイが形成し,デバイスをパッケージングするために,該エリアI/Oの少なくともいくつかを再分配する再分配レイヤを形成する;ステップを含む集積回路の製造方法を含む。製造は,ダイレクトライト電子ビームを利用できる。カスタマイズ過程は,同じ基板上で,数が相違する様々なデバイスの種類を製造できる。
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