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Fターム[5F064CC08]の内容

ICの設計・製造(配線設計等) (42,086) | 使用素子 (2,627) | トランジスタ (1,639) | FET (1,516) | ショットキFET (1)

Fターム[5F064CC08]に分類される特許

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【課題】 電界効果トランジスタの特性の正確なシミュレーションを可能とする電界効果トランジスタモデル、回路シミュレーション装置、回路シミュレーション方法、回路シミュレーション用プログラム及び記録媒体を提供する。
【解決手段】 電界効果トランジスタのAC特性及び雑音特性のシミュレーションを行うための電界効果トランジスタモデルにおいて、熱雑音を発生する第一抵抗と熱雑音を発生しない第二抵抗とを直列に接続した抵抗回路を電界効果トランジスタのゲート抵抗として接続する。 (もっと読む)


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