【課題】半導体チップのチップサイズを縮小化することができる技術を提供する。特に、ＬＣＤドライバを構成する長方形形状の半導体チップにおいて、短辺方向のレイアウト配置を工夫することにより、半導体チップのチップサイズを縮小化することができる技術を提供する。
【解決手段】ＬＣＤドライバを構成する半導体チップＣＨＰ２は、複数の入力用バンプ電極ＩＢＭＰのうち一部の入力用バンプ電極ＩＢＭＰの下層には入力保護回路３ａ〜３ｃが配置されている一方、複数の入力用バンプ電極ＩＢＭＰのうち他の一部の入力用バンプ電極ＩＢＭＰの下層には入力保護回路３ａ〜３ｃが配置されずにＳＲＡＭ２ａ〜２ｃ（内部回路）が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の製造歩留まりの低下要因の１つであるビアコンタクトの粗密を軽減して、ビアコンタクトの製造不良を改良する。
【解決手段】回路の論理動作上は不必要であるオフトランジスタ１２６、１２７を備えた標準セルのレイアウト構造において、前記各オフトランジスタ１２６、１２７の不純物拡散領域１０３、１０６にダミービアコンタクト１１６、１１７が配置される。前記各ダミービアコンタクト１１６、１１７には、ダミーメタル配線１２２、１２３が接続される。 （もっと読む）

【課題】複数の接続孔を用いて配線間を接続する半導体装置において、信頼性を向上させる。
【解決手段】第１の絶縁膜８上及び第１の配線１０ａ上に形成された第２の絶縁膜１１と、第２の絶縁膜１１に形成されており、第１の配線１０ａの上方を通る溝１２ａと、溝１２ａの底部に位置していて第１の配線１０ａ上に配置された第１の接続孔及び第２の接続孔１２ｂと、溝１２ａ、並びに第１の接続孔及び第２の接続孔１２ｂに埋め込まれた第２の配線１３ａとを具備する、第２の配線１３ａは、第１の配線１０ａとは同一長さにおける抵抗値が異なり、第２の接続孔は第１の配線１０ａ又は第２の配線１３ａの幅方向において第１の接続孔と異なる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の検証精度を向上し、高信頼性、高歩留まり且つ高集積の半導体装置を実現すること。
【解決手段】半導体集積回路の仕様の情報に基づき論理回路図を設計する論理回路図設計部と、論理回路図に基づきレイアウトデータを作成するレイアウトデータ作成部と、レイアウトデータから配線の抵抗の情報を抽出する抵抗情報抽出部と、回路シミュレーションを実行する回路シミュレーション実行部と、配線の抵抗の情報及び回路シミュレーションの実行結果に基づき配線における電流の向きを識別する電流方向識別部と、配線における電流の向きの情報に基づき配線のレイアウトデータが半導体集積回路の仕様の情報から抽出するデザインルールに違反しているか否かを検証してその検証結果を生成する検証部と、レイアウトデータを出力するデータ出力部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 オープン不良の発生を抑制して高い信頼性を実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヒューズ配線１において、ヒューズ開口部３の周縁に位置する部分からその端部をヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層と電気的に接続するビアホール２までの間に腐食原因物質の侵入を遅延させる侵入経路の延長構造を設けた。 （もっと読む）

【課題】
配線間の絶縁性を確保できるような配置配線を行う。
【解決手段】
同一配線層内において、所定の電圧が供給される第１の配線１１と、所定の電圧以上の電圧となる第２の配線１２と、所定の電圧以下の電圧となる第３の配線１３と、を含む。あるいは、所定の電圧が供給される第１の配線１１と、所定の電圧以下の電圧となる第２の配線１２と、所定の電圧以上の電圧となる第３の配線１３と、を含む。そして、第２の配線１２と第３の配線１３との間に第１の配線１１が介在するようにそれぞれの配線が配線間隔ｄで配置配線される。予め電位差の少ないことが分かっている配線１１が配線１２に常に隣接するように配線される。したがって、配線１２との電位差が大きくなる可能性のある配線１３が配線１２に直接的に隣接することがない。このような配線配置の結果、配線間の絶縁性を充分確保できるような配線がなされる。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーションの発生を抑制できる電源配線構造を提供すること。
【解決手段】本電源配線構造は、互いに異なる配線層である第１、第２の電源配線１０１０，１０３０を備え、かつ、前記両電源配線１０１０，１０３０が互いの交差領域でビア１０６０により電気的に接続されている電源配線構造であって、前記交差領域から第１の電源配線１０１０の配線方向１０２０に第２の電源配線１０３０が延長されて第３の電源配線１０７０が構成され、かつ、第１および第３の電源配線１０１０，１０７０がビア１０６０により電気的に接続されている。 （もっと読む）