【課題】実装時の基板の反りに対する受容性を高くし、コネクタのコプラナリティ管理を容易にし、半田付け不良の発生を抑制することができる表面実装部品を提供すること。
【解決手段】本発明による表面実装部品Ｃは、本体部２ａと脚部２ｂを有する複数のリード２と、脚部２ｂの電気的な接続面２ｂａに頂部を有して形成される半田溜まり部３と、半田溜まり部３を形成する半田のリードに沿う拡散を防止する拡散防止部２ｃを含む、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】不純物残渣が少なく、接続部同士の短絡が生じにくく、接合強度の高い金属焼結膜を金属基材上に形成する金属構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともアミド基を有する有機溶媒（Ａ）、アミン系化合物（Ｂ）、および多価アルコール（Ｃ）からなる混合溶媒（Ｓ）中に、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、およびＣｕから選択される１種または２種以上を含み、平均一次粒子径が１０〜５００ｎｍである金属微粒子（Ｐ）が分散されていて、インク（Ｉ）を、特定の金属基材（Ｋ）上に塗布（またはパターン化）し、予備加熱した後、前記多価アルコール（Ｃ）からなる還元性ガスが存在する雰囲気中で１５０〜３００℃に加熱して、金属基材上に、該金属基材（Ｋ１）と焼結（または焼成）により接合された金属焼結膜（Ｍ１）を形成することを特徴とする、金属構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】封止材等との接着性が良好であり、電気特性及び放熱性の低下を抑制することができ、低温処理可能であって、生産性に優れ、キズやコスレなどの痕が付きにくい、半導体実装用導電基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】腐食抑制剤、硫酸及び過酸化水素を含有する化学粗化液を接触させて銅表面に粗化形状を形成する粗化工程を有し、前記腐食抑制剤は、１，２，３−ベンゾトリアゾール及び５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを含有し、前記粗化工程の後に、前記粗化工程で表面に形成される有機皮膜を、アミン及び、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムから選択されるアルカリ金属化合物を含有しているアルカリ性溶液に接触させて除去する皮膜除去工程を有する銅表面の処理方法。 （もっと読む）

【課題】半導体素子載置部材およびリード部とはんだとの接触面積を広くすることにより、半導体素子載置部材およびリード部とはんだとの密着性を高めることが可能なリードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、半導体素子２１を載置する半導体素子載置部材１１と、半導体素子載置部材１１の周囲に設けられ、半導体素子２１と電気的に接続されるリード部１２とを備えている。半導体素子載置部材１１の外面１１ｂに配線用のめっき部材１４が形成され、リード部１２の外面１２ｂに配線用のめっき部材１５が形成されている。また外面１１ｂ、１２ｂに連なる側面１１ｃ、１１ｄ、１２ｃ、１２ｄの一部にも、めっき部材１４、１５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】粗化品質を確保しつつ安価に提供できるリードフレーム、半導体装置、及びリードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリードフレーム１は、金属材料からなる基材１０と、基材１０の一部に設けられ、半導体素子を搭載可能な素子搭載部２０と、基材１０の表面の一部であって、素子搭載部２０に搭載される半導体素子を封止する封止材が接触する領域の少なくとも一部に設けられる粗化面３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属板に形成されたダイパッド部上に半導体チップを搭載し、モールド後に封止体から金属板を剥離することによって製造される薄型半導体パッケージにおいて、封止体と金属板との熱膨張係数差に起因する封止体の反りを抑制する。
【解決手段】半導体チップを封止する封止体７が形成された金属基板１は、成形金型から取り出された後、ゲートやランナなどの内部で硬化した不要な樹脂７ａを封止体７から分離・除去するためのゲートブレーク装置１０に搬送される。そして、弾性支持部材１５によって基板ステージ１１の上面と非接触の状態で水平に支持され、所定時間、室温の大気に晒されて徐冷した後、基板ステージ１１上に位置決めされ、不要な樹脂７ａが封止体７から分離・除去される。 （もっと読む）

【課題】表面層形成金属の拡散問題を確実に解決でき、しかも非磁性の外部電極を実現することにより、磁気的な悪影響を半導体素子に与えることが無く、加えて伝送信号の周波数が増加した場合でも導電率の低下が生じない半導体装置を提供する。
【解決手段】外部電極３を構成するＣｕ層１２と表面層（Ａｕ層）１０との間に、Ｎｉ−Ｐ層１１を介在させる。かかるＮｉ−Ｐ層１１を構成するＮｉ−Ｐは、ＣｕおよびＡｕの両者に対して優れた密着性を示し、また、Ａｕの拡散を効果的に防止することができる。また、Ｎｉ−Ｐは非磁性体であり、加えて外部電極３から一切の磁性金属層を廃したため、外部電極３の全体を完全に非磁性化できる。これにて、磁性金属層に由来する磁気的な影響が半導体素子２に及ぶことを確実に防ぐことができるので、半導体素子２の動作不良を防いで、半導体装置の信頼性向上に貢献できる。 （もっと読む）

【課題】被めっき体に形成されためっきの厚さをその場で瞬時に判定することができる。
【解決手段】この被めっき構造体は、めっきが形成される被めっき体１１と、被めっき体１１にスリット部１２を介して対向し、被めっき体１１から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材１６を備えている。めっき２１が、被めっき体１１の表面からスリット部１２を介してめっき膜厚判定用部材１６まで成長したか否かを判定することによって、被めっき体１１に形成されためっき２１が、スリット部１２の幅Ｗより厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な手法の追加でウィスカの発生を抑制できるめっき基材の製造方法を得る。
【解決手段】母材１の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層２を有するめっき基材３を製造するに際し、母材１の表面にＰｂフリーのＳｎめっき層２を形成した後、形成しためっき層２に冷間圧延処理を施す。冷間圧延によりめっき面での配向指数の偏りが平準化され、ウィスカの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっきされたリードフレームへの成形物の密着性を促進させる。
【解決手段】ニッケルおよびニッケル合金層のエッチング方法を開示する。本発明のエッチング組成物は、無機酸と、複素環式窒素化合物とを含む。さらに、本発明のエッチング方法は、ニッケルまたはニッケル合金層のアノードエッチングを含むことができる。本発明の方法は、半導体パッケージングの製造において使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドに搭載された半導体素子とリードとをボンディングワイヤで接続したものを、モールド樹脂で封止してなる樹脂封止型の半導体装置において、インナーリードにおける下地金属の表面拡散を抑制し、モールド樹脂とインナーリードとの密着性を確保して樹脂剥離を抑制しやすくする。
【解決手段】リード１２のうちモールド樹脂４０で被覆されている部位であるインナーリード１２ａの表面に形成されている金薄膜の方が、アウターリード１２ｂの表面に形成されている金薄膜よりも膜厚が大きい。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーのめっき材料を採用しながら、端子１５の表面に形成しためっき層１６でウィスカが成長するのを抑制でき、防湿性にも優れた端子を持つ電子部品を得る。
【解決手段】端子１５を有する電子部品１０において、端子１５の表面にめっき層１６を形成し、その表面に前記めっき層１６から発生するウィスカよりも高い機械的強度を持つ硬質薄膜（例えば、ＤＬＣ薄膜）１７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に関する情報が不特定の者に容易に認識されるということは、セキュリティ対策として逆効果となってしまう。
【解決手段】半導体装置１は、パッケージ本体１１と、パッケージ本体１１から当該パッケージ本体１１の外部へ延びる外部リード端子１２と、外部リード端子１２上に記され、当該半導体装置１に関する情報を示すマーク１４と、外部リード端子１２のうち少なくともマーク１４が記された部分を覆うめっき膜１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、均一めっき性に優れたリードフレーム用銅合金を提供することにある。
【解決手段】Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金、Ｃｒ−Ｚｒ系銅合金、Ｓｎ−Ｐ系銅合金等の銅合金において、最表層からの深さＬに存在する介在物の大きさＤについて、
０．１≦Ｌの場合、Ｄ≦０．１μｍ
０．１＜Ｌ≦５μｍの場合、Ｄ＜Ｌ
５μｍ＜Ｌ≦１０μｍの場合、Ｄ≦５μｍ
の関係を満たすことを特徴とする、均一めっき性に優れたリードフレーム用銅合金である。 （もっと読む）

【課題】リードに表面処理を施す際、表面処理によってリード間の樹脂部分に付着する異物を残さないようにする。
【解決手段】ダムバー８１で連結された複数のリード４０を備えて構成されるリードフレーム８０に半導体チップを実装し、少なくとも半導体チップおよびリード４０の一部をモールド樹脂６０で封止したものを用意する。続いて、リードフレーム８０のうち各リード４０を連結するダムバー８１以外の不要な部分をカットし、モールド樹脂６０から露出した複数のリード４０にはんだコート４１を形成する。この後、隣り合うリード４０をそれぞれ連結するダムバー８１をカットする。 （もっと読む）

基板表面の改良された金属コーティングまたは金属析出物を提供する方法、このような金属析出物を提供するために使用されるめっき溶液の改良及び金属コーティング済み基板の物品。金属コーティングのはんだ付け性は、金属コーティング中に微量のリンを取り入れて、それに続く加熱の最中の表面酸化物形成を低減し、従って金属コーティングの長期はんだ付け性を向上することによって向上する。リンは好都合に、金属コーティングを基板表面に提供するために使用される溶液中にリンの源を取り入れることによって金属コーティング中に提供され、次に、金属コーティングが溶液から基板表面に提供される。 （もっと読む）

【課題】 製品の取れ数を減少させずにめっきリードを配置することができ、且つ、製造コストを上昇させることなくめっきリードを除去できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基材２上に、複数の配線パターン３間を経由してめっき電極６に接続されためっきリード７を形成し、この際、めっきリード７の幅Ｃを配線パターン３の最も細い部位よりも細くし、めっき電極６からめっきリード７を経由して各配線パターン３にめっき電流を流して、インナーリード４およびアウターリード５ａ，５ｂを電解めっきし、絶縁基材２を全面エッチングして、配線パターン３よりも先にめっきリード７を除去する。 （もっと読む）