【課題】バイポーラトランジスタを用いたＥＳＤ保護回路の面積効率を向上する。
【解決手段】集積回路は、回路用バイポーラトランジスタ１２４を含む内部回路１２１と、内部回路１２１をサージから保護するための保護用バイポーラトランジスタ１２０とを備え、保護用バイポーラトランジスタ１２０におけるエミッタとベースとは短絡されている。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴは、ベース−エミッタ間電流が正の温度係数を持つため、コレクタ電流も正の温度係数を持つ。従って、ベース電流を増加させて電流密度の向上を図ると、複数並列接続されたＨＢＴの単位素子のうち、１つの単位素子に電流が集中して二次降伏を起し、破壊に至りやすくなる。
【解決手段】 ＨＢＴとＦＥＴを分離領域を介して隣接して配置し、ＨＢＴのベース電極にＭＥＳＦＥＴのソース電極を接続した単位素子を複数接続してスイッチ回路装置を構成する。単位素子を並列に複数接続したスイッチ回路装置において、単位素子毎に動作電流が不均一となっても、１つの単位素子に電流が集中することはなく二次降伏による破壊は発生しない （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴのベースが直接制御端子に接続するスイッチ回路装置では、制御端子から、ＨＢＴの駆動に必要なベース電流を供給する必要がある。しかし、この回路構造ではＨＢＴの電流増幅率ｈ_ＦＥが限られているため、必要なベース電流を制御端子から十分に得られない問題があった。
【解決手段】スイッチング素子を構成するＨＢＴのベースにソースが接続する駆動ＦＥＴを設け、駆動ＦＥＴのドレインを電源端子に接続し、ゲートを制御端子に接続する。制御信号により駆動ＦＥＴが導通し、電源端子から供給される電流によってＨＢＴが動作する。従って一般的な制御用ＬＳＩからの制御信号を利用できる。またＨＢＴの各単位ＨＢＴに駆動ＦＥＴの各単位ＦＥＴを対応させることによりＨＢＴの２次降伏による破壊を防止できる。 （もっと読む）