【課題】広範囲の温度領域で高精度であり、極めて小さく形成できる高速応答可能な二端子のダイオード温度センサ素子を提供すると共に、これを用いた安価で高速応答可能な温度計測装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタの2個のｐｎ接合のうち、一方のｐｎ接合を短絡してダイオードとして取り扱い、このダイオードをダイオード温度センサとして用い、バイポーラトランジスタを形成している半導体チップ内で、一方のｐｎ接合を短絡してあり、外部には、二端子として取り出すようにしたダイオード温度センサ素子と、これを用いた温度計測装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】最終製品での電気特性検査において半導体装置の歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体装置の品質評価方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置（安定化電源用ＩＣ）の品質評価方法は、ｎ型エピタキシャル層１３およびアノードショットキー電極層２７からなるショットキーバリアダイオードの電気特性を測定する工程と、アノードショットキー電極層２７と同時に形成され、半導体層（ｎ⁺型エミッタ拡散層１７、ｐ⁺型ベース拡散層１５ｂ、ｎ⁺型コレクタ補償拡散層１８およびｐ⁺型ベース拡散層１９ａ〜１９ｄ）にそれぞれオーミック接触されるオーミック電極層（エミッタオーミック電極層２３、ベースオーミック電極層２４、コレクタオーミック電極層２５および抵抗オーミック電極層２６ａ〜２６ｄ）の品質を、ショットキーバリアダイオードの電気特性により評価する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】素子分離領域を通過するリーク電流を感度高く検出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース電極を含むバイポーラトランジスタ領域と、抵抗を含む抵抗領域と、前記抵抗の一方の端部と、前記ベース電極と、を接続する配線層と、前記バイポーラトランジスタ領域と前記抵抗領域とを分離する素子分離領域と、を備え、前記バイポーラトランジスタ領域内のコレクタ層と前記抵抗との間において、前記素子分離領域を通過して前記抵抗に流れるリーク電流を、前記配線層を介して前記ベース電極に供給することを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、並列接続されたボンディングワイヤの断線を容易に検出することが可能な半導体集積回路装置及びこれを用いたレギュレータを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るＩＣ１は、ベース共通のトランジスタＰ１〜Ｐ２と、各エミッタに接続されるパッドＴ１１〜Ｔ１２と、各コレクタに接続されるパッドＴ２１〜Ｔ２２と、ベース信号を生成する手段（ＤＲＶ、ＥＲＲ、Ｅ１）と、を備えた半導体チップＣＨＩＰ１と；パッドＴ１１〜Ｔ１２が各々ボンディングワイヤＷ１１〜Ｗ１２を介して共通接続されるフレームＦＲ１と；パッドＴ２１〜Ｔ２２が各々ボンディングワイヤＷ２１〜Ｗ２２を介して共通接続されるフレームＦＲ２と；を有して成る構成としている。 （もっと読む）

【課題】 製造に多くの工数を必要とせず、回路特性変動を抑制することが可能である半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１に形成されたＮＰＮトランジスタＱ１と、シリコン基板１に形成された複数の抵抗領域８から構成され、ＮＰＮトランジスタＱ１にＮＰＮトランジスタＱ１のｈＦＥに対応したバイアス電圧を与えるための抵抗素子と、複数の抵抗領域８のうちの、抵抗素子の抵抗として機能する抵抗領域８とＮＰＮトランジスタＱ１とを接続する配線２３ａとを備える。 （もっと読む）

過温度により生じる損傷から集積回路を保護する方法及び装置に関し、前記集積回路は複数のパワートランジスタ（２０８ａ、２０８ｂ、２０８ｎ）を有する。前記パワートランジスタ（２０８）のそれぞれは、それぞれの温度測定回路（２００ａ、２００ｂ、２００ｎ）を備える。温度測定は、逆バイアスｐｎ接合を通る電流の温度依存性に基づく。全ての温度測定回路（２００）は、プルダウンライン（２０２）、タイマ（２０４）のトリガ入力部に接続される。前記タイマ（２０４）は、前記パワートランジスタ（２０８）のいずれか１つの温度が所定の局所閾値温度を超えると決定される場合に、ベースをエミッタに引き、全ての駆動トランジスタを使用不可にすることにより前記パワートランジスタの全てをオフに切り替える停止回路２０６に対して供給される固定周期のパルスを生成する。前記集積回路の小信号部の温度を測定する大域温度センサ（２１０）も備えられ、この温度が所定の大域閾値温度を超えると決定される場合に前記回路をオフに切り替える。
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