【課題】安価に製造することができ、そこに形成される各種半導体素子の特性を阻害することなく高集積化できる貼り合わせ基板の製造方法および貼り合わせ基板を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ層１ａとなる第１基板１１ａの一方の第１面１Ｓ側に、埋め込み絶縁分離トレンチＴを形成する、埋め込み絶縁分離トレンチ形成工程と、第１面１Ｓ側に、埋め込み拡散層１ｂ，１ｃとなる不純物層１ｉｂ，１ｉｃを形成する、不純物層形成工程と、第１基板１１ａにおける第１面１Ｓ側を支持基板２となる第２基板１１ｂに対向するようにして積層し、第１基板１１ａと第２基板１１ｂを互いに貼り合わせる、基板貼り合わせ工程と、貼り合わされた第１基板１１ａのもう一方の第２面２Ｓ側を研磨して、埋め込み絶縁分離トレンチＴを基板表面に露出し、ＳＯＩ層１ａとする基板研磨工程とを有する貼り合わせ基板１１の製造方法とする。 （もっと読む）