【課題】エミッタ電極−コレクタ電極間において、低電圧で大電流変調を可能とするトランジスタ素子を提供する。また、そうしたトランジスタ素子の製造方法、また、そのトランジスタ素子有する発光素子及びディスプレイを提供する。
【解決手段】エミッタ電極３とコレクタ電極２との間に、半導体層５（５Ａ，５Ｂ）とシート状のベース電極４が設けられているトランジスタ素子により、上記課題を解決する。半導体層５は、エミッタ電極３とベース電極４との間及びコレクタ電極２とベース電極４との間に設けられて、それぞれ第２半導体層５Ｂ及び第１半導体層５Ａを構成し、さらに、ベース電極の厚さが８０ｎｍ以下であることが好ましい。また、少なくともエミッタ電極とベース電極との間又はコレクタ電極とベース電極との間には、暗電流抑制層が設けられていてもよい。 （もっと読む）

【解決手段】ベースコンタクト接続部（１２）、エミッタ部（４、５）及びコレクタ部がｎ層（３）上に配置され、当該ｎ層は、更なるｎｐｎバイポーラトランジスタために用いることができる。当該コレクタ部はエミッタ部に対して側方に配置され、当該エミッタ部及びコレクタ部の少なくとも一方は、当該ｎ層の表面領域上でショットキーコンタクト（１４）を備える。 （もっと読む）