【課題】ＮＰＮトランジスタ等のバイポーラリニア素子とＩＩＬ素子とを同一の半導体基板上に備えた半導体装置であって、高耐圧であるとともに、動作特性の優れたＩＩＬ素子を有するものを提供すること。
【解決手段】ＩＩＬ素子に含まれたマルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタＴｒ１は、半導体基板１０１の裏面側から表面側へ向かう縦方向に順にＮ型エミッタ層Ｔｒ１Ｅ、Ｐ型ベース層Ｔｒ１Ｂ、Ｎ型コレクタ層Ｔｒ１Ｃを備える。マルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタのＰ型ベース層Ｔｒ１Ｂは、エミッタ層Ｔｒ１Ｅ側で高く、かつコレクタ層Ｔｒ１Ｃ側で低くなるように傾斜した不純物濃度プロファイルを持つ。 （もっと読む）