【課題】多くの半導体装置に必要な低温処理と両立しない高温操作を必要とするような欠点がない、半導体構造を提供することを目的とする。
【解決手段】下部誘電層（１５１）へ接合された基板（１０３）、および、下部電極（１２１）を通じて前記下部誘電層（１５１）と接合される垂直方向半導体装置（１１１）を含む半導体構造であって、前記垂直方向半導体装置（１１１）は、ｎ^＋−ｐ−ｎ^＋層（１２４）を有する隔離構造（１３５）を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な特性の半導体装置を良好な歩留りで製造可能な製造方法を提供する
【解決手段】半導体基板１０Ａ上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜上に感光性材料５１を塗布する工程と、半導体基板１０Ａの周辺部に形成された感光性材料５１を除去する工程と、感光性材料５１に対してプリベイクを行い、感光性膜５２を形成する工程と、感光性材料５１が除去された領域と離間するように、感光性膜５２に対して露光を行う工程と、露光された感光性膜５２に対して現像を行うことにより、レジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして、絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホール内にプラグ導電部を形成する工程と、プラグ導電部上に強誘電体キャパシタを形成する工程と、強誘電体キャパシタに対して、酸素雰囲気中で熱処理を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】形状に限定されることなく、柔軟性ないし可撓性を有し、任意の形状の各種装置を作成することが可能な端面センサデバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】線状体の端面に、対象からの情報を受容して他の情報として出力する受容部が形成されていることを特徴とする端面センサデバイス。線状体２００１は、中止部に中心電極２００７を有し、その外周は絶縁膜２００８で覆われている。上記線状体２００１を用意し、その端面にｎ型半導体層２００４を形成する。次いで、ｎ型半導体層２００４上にｐ型半導体層２００３を形成する。これにより、線状体２００１の端面にｐｎ接合の受容部（光センサ）が形成される。 （もっと読む）

【課題】ストレージノードからのリークを低減する。
【解決手段】書き込みトランジスタＷＴ、転送トランジスタＴＴ、アンプトランジスタＡＴおよび電荷蓄積キャパシタ（ストレージ・キャパシタＣ１）を有し、書き込みトランジスタ書き込みトランジスタＷＴは、ソース・ドレイン領域の一方が書き込みビット線ＷＢＬに接続され、他方がアンプトランジスタＡＴのゲートに接続され、ゲートが書き込みワード線ＷＷＬに接続され、転送トランジスタＴＴは、ソース・ドレイン領域の一方がアンプトランジスタＡＴのゲートに接続され、他方がストレージ・キャパシタＣ１のストレージノード電極に接続され、ゲートが転送ゲート線ＴＧに接続され、アンプトランジスタＡＴのドレインが読み出しビット線ＲＢＬに接続され、ソースがコモンソース線ＣＳＬに接続されている。 （もっと読む）