【課題】容量形成工程数を増やすことなく、大きな積層容量構造体が形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、積層構造体を有する。積層構造体は、第一の導電体膜４と第二の導電体膜５とが、互いの間に誘電体膜６を挟んだ状態で、交互に積層されてなる構造体である。そして、積層構造体では、積層方向と直交する方向に互いに間隔をあけて、第一および第二のコンタクトホールが設けられており、第一および第二のコンタクトホールのそれぞれに、第一および第二の電極１１、１４が埋め込み形成されている。第一の電極１１は、第一のコンタクトホール内において、第一の導電体膜４に対し接続され、且つ、第二の導電体膜５に対し接続されておらず、第二の電極１４は、第二のコンタクトホール内において、第二の導電体膜５に対し接続され、且つ、第一の導電体膜４に対し接続されていない。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の膜厚が比較的厚い構成を有する半導体記憶装置において、コンタクト抵抗の上昇又は断線の発生を抑制可能な構造を提供する。
【解決手段】 半導体記憶装置は、半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜(8)と、キャパシタ(18)と、第２の層間絶縁膜(21)と、第１のコンタクトプラグ(9a、9b、又は9c)と、第１のコンタクトプラグと接続するように形成された第２のコンタクトプラグ(22a、22b、又は22c)とを備える。第１のコンタクトプラグ(9a、9b、又は9c)と第２のコンタクトプラグ(22a、22b、又は22c)との間には、第１の層間絶縁膜(8)と第２の層間絶縁膜(21)との境界領域の一部と接するように、第１の酸素バリア膜(11a、11b、又は11c)が介在している。 （もっと読む）