【課題】簡便な方法で書き込みが可能であり、しきい値特性の不安定性に対応した酸化物半導体を用いた半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタが紫外線照射する事でしきい値シフトする特性を有していることを利用して半導体記憶装置とする。読み取り電圧を紫外線未照射のしきい値と照射後のしきい値の間に設定して読み取ることができる。初期特性におけるしきい値特性の制御にはバックゲートを備えることや２個の薄膜トランジスタを用いることで解決する。 （もっと読む）

第１の層１４と第２の層２２とを含むスイッチング素子１０であり、このスイッチング素子は、第１の状態と第２の状態とを有し、第１の状態において、第１の層１４及び第２の層２２が接触領域２２において積層され、第２の状態において、第１の層及び第２の層が接触領域２２において剥離され、このスイッチング素子は、当該スイッチング素子に対するスイッチング刺激の印加により第１の状態から第２の状態へと非可逆的に切り換わる。
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【課題】基板上にトランジスタ等の半導体素子とセンサーとを作り込んで設ける場合に、同一工程で作製することにより得られる半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】同一基板上に、互いに接する第１の領域および第２の領域を有する第１の半導体膜と、チャネル領域とソースまたはドレイン領域として機能する第３の領域とを有する第２の半導体膜と、第１の半導体膜および第２の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ且つ第１の領域と電気的に接続する第１の導電膜と、第２の領域と電気的に接続する第２の導電膜とを設け、第１の領域、第２の領域および第３の領域に不純物元素を第１の領域と第２の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なるように導入する。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤを代表とする半導体装置に実装する記憶素子において、製造工程を削減し、低コスト化された記憶素子及び当該素子を有する記憶回路を提供することを課題とする。
【解決手段】電極間に挟まれた有機化合物を有する記憶素子であって、当該記憶素子を制御する半導体素子に接続された電極を、当該記憶素子の電極として機能させることを特徴とする。また当該記憶素子を絶縁表面上に形成された極薄な半導体膜を用いるため、低コスト化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性であり、作製が簡単であり、追記が可能な記憶装置、半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】一対の導電層間に組成物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有することを特徴とする。上記特徴により、不揮発性であり、作製が簡単であり、追記が可能な記憶装置を提供することができる。また、複数のメモリセル、第１の方向に延在する複数のビット線、及び第１の方向と垂直な第２の方向に延在する複数のワード線を有することを特徴とする。複数のメモリセルの各々は記憶素子を有する。記憶素子は、ビット線を構成する第１の導電層と、ワード線を構成する第２の導電層と、光学的作用により硬化する組成物層を有することを特徴とする。組成物層は、第１の導電層と第２の導電層の間に設けられている。 （もっと読む）

本発明は、第１の導体（１）および第２の導体（２）によってアドレス指定されることが可能なメモリ・セル（３）のアレイを備えるストレージ媒体に関する。各メモリ・セル（３）は、最初には電気的に絶縁しており、これらの第１の関連する導体（１）と、第２の関連する導体（２）とを選択的に接続するなど、局在化された可塑性変形（４）により導電性にされることが可能なアクティブ層（８）の１つのゾーン（１０）を備える。本発明によれば、メモリ・セル（３）に記憶されるバイナリ情報は、アクティブ層（８）の対応するゾーン（１０）の導電状態によって決定される。アクティブ層（８）は、帯電された（ｃｈａｒｇｅｄ）レジンを使用して形成されてもよい。この媒体製造方法は、以降のステップ、すなわちこの初期の絶縁状態にある、アクティブ層（８）を有するブランク・ストレージ媒体のアセンブリと、記憶されるべき情報に対応するスタンピング・パターンを有するスタンピング・ダイの製造と、このスタンピング・ダイを使用したこのストレージ媒体のスタンピングとを含んでいる。
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