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Fターム[5F083EP22]の内容

半導体メモリ (164,393) | EPROM、EEPROMの構造 (21,423) | 制御機構 (7,428) | CGを有するもの (4,415)

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【課題】微細な構造であり、高い電気特性を有する半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ゲート電極上の導電膜と、酸化物半導体膜及びゲート絶縁膜の側面に接するソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース電極及びドレイン電極の上面の高さは、ゲート電極の上面の高さより低く、導電膜、ソース電極及びドレイン電極は、同一の金属元素を有する半導体装置である。また、ゲート電極の側面を覆う側壁絶縁膜を形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】 書き込み動作及び消去動作の両方の特性向上を図る。
【解決手段】 実施形態による不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板11と、半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜上に形成され、13族元素であるP型不純物を含有するポリシリコンからなり、下部膜13aと下部膜上に積層された上部膜13bとを有するフローティングゲート電極13と、フローティングゲート電極上に形成された電極間絶縁膜16と、電極間絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極17と、を具備し、上部膜におけるP型不純物の濃度又は活性化濃度は、下部膜におけるP型不純物の濃度又は活性化濃度より高い。 (もっと読む)


【課題】セル面積の小さい不揮発性プログラマブルスイッチを提供する。
【解決手段】第1配線に接続される第1端子と第2配線に接続される第2端子と第3配線に接続される第3端子とを有する第1不揮発性メモリトランジスタと、第4配線に接続される第4端子と第2配線に接続される第5端子と第3配線に接続される第6端子とを有する第2不揮発性メモリトランジスタと、第2配線にゲート電極が接続されたパストランジスタと、を備え、第1および第4配線が第1電源に接続され、第3配線が第1電源の電圧よりも高い電圧に接続されるときに第1不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が増加し、第2不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が低下し、第1および第4配線が第1電源に接続され、第3配線が第1電源の電圧よりも低い電圧に接続されるときに第1不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が低下し、第2不揮発性メモリトランジスタの閾値電圧が増加する。 (もっと読む)


【課題】制御性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、第1のメモリセルアレイ層と、第1のメモリセルアレイ層の上に形成された第1の絶縁層と、第1の絶縁層の上に形成された第2のメモリセルアレイ層と、第1の絶縁層を介して上下に位置する第1及び第2の浮遊ゲートの第1の方向の両側面にゲート間絶縁層を介して形成され、第1の方向と直交する第2の方向に延びる制御ゲートと、第1の絶縁層を介して上下に位置する第1及び第2の選択ゲートの第1の方向の両側面にゲート間絶縁層を介して形成され、第2の方向に延び、第1及び第2の半導体層並びに第1及び第2のゲート絶縁層と共に補助トランジスタを形成する補助ゲートとを備える。 (もっと読む)


【課題】メモリセルの電荷蓄積層内での電荷の横方向の移動を抑制する。
【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第1乃至第nの半導体層(nは2以上の自然数)12−1〜12−3と、第1乃至第nの半導体層12−1〜12−3をチャネルとする第1乃至第nのメモリストリングS1〜S3とを備える。第iのメモリストリング(iは1〜nのうちの1つ)Siは、第iの半導体層12−iの第3の方向にある表面上に、複数のメモリセルMCに対応する、複数の電荷蓄積層16及び複数のコントロールゲート18を備える。また、第iのメモリストリング内において、少なくとも第2の方向に隣接する2つのメモリセルMCの電荷蓄積層16が互いに結合される。そして、複数のコントロールゲート18間に、複数の電荷蓄積層16のバンドオフセットを上昇させる金属元素19が添加される。 (もっと読む)


【課題】フローティングゲートへの電荷の蓄積と消去を容易に行え、またフローティングゲートの電荷を消去する場合にメモリセルの閾値を容易に制御できる、不揮発性半導体メモリ素子を提供する。
【解決手段】フローティングゲートへの電荷の蓄積時に、フローティングゲートとドレイン(またはソース)間に電圧を印加し、バンド・バンド間によるホットエレクトロンを半導体基板中に発生させ、フローティングゲートに電荷を注入する。また、フローティングゲートの電荷の消去時には、フローティングゲートとドレイン(またはソース)間に電圧を印加し、バンド・バンド間によるホットホールを発生させ、該ホットホールにより蓄積された電荷を消去する。また、フローティングゲートの電荷の消去時には、メモリセルのコントロールゲートとソース間の閾値が所望の値になるように制御しながら、電荷を消去する。 (もっと読む)


【課題】スプリットゲート型メモリセル構造を採用し、電荷蓄積層として窒化膜を用いる不揮発性メモリを有する半導体装置において電気的特性を向上させる。
【解決手段】半導体基板1Subの主面にn型の半導体領域6を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極MGおよび電荷蓄積層CSLを形成する。続いて、そのメモリゲート電極MGの側面にサイドウォール8を形成した後、半導体基板1Subの主面上にフォトレジストパターンPR2を形成する。その後、フォトレジストパターンPR2をエッチングマスクとして、半導体基板1Subの主面の一部をエッチングにより除去して窪み13を形成する。この窪み13の形成領域では上記n型の半導体領域6が除去される。その後、その窪み13の形成領域にメモリセル選択用のnMISのチャネル形成用のp型の半導体領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】ホールの微細化を図りつつ、ホールとスリットとを一括形成する。
【解決手段】4層分のワード線WL4〜WL1が順次積層されるとともに、ワード線WL4〜WL1にそれぞれ隣接するように4層分のワード線WL5〜WL8が順次積層され、ワード線WL5〜WL8が柱状体MP1にて貫かれるとともに、ワード線WL1〜WL4が柱状体MP2にて貫かれることで、NANDストリングNSが構成され、ワード線WL1〜WL8およびセレクトゲート電極SGD、SGSはロウ方向に沿って幅が周期的に変化されている。 (もっと読む)


【課題】メモリセルの動作を従来よりも高速化できる半導体装置を提供する。
【解決手段】フローティングゲートFGとコントロールゲートCG、第1導電型ソース13s及び第1導電型ドレイン13dを有する第1導電型MOSトランジスタ13と、前記フローティングゲートFGと前記コントロールゲートCG、第2導電型ソース14s及び第2導電型ドレイン14dを有する第2導電型MOSトランジスタ14と、前記第1導電型ドレイン13d及び前記第2導電型ドレイン14dに接続される第1のソース/ドレイン11bと、第2のソース/ドレイン11aと、ゲートを有する選択トランジスタ11と、前記第1導電型ソースに接続される第1電源線VpLと、前記第2導電型ソースに接続される第2電源線VnLと、前記選択トランジスタ11の第2のソース/ドレイン11aに接続されるビット線BLと、前記選択トランジスタ11のゲートに接続されるワード線WLと、を有する。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜の膜減り及びダメージを抑え、微細なトランジスタを歩留まり良く作製する。
【解決手段】絶縁表面上の半導体膜と、半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の、第1の金属膜および第1の金属膜上の第2の金属膜を有するゲート電極と、ゲート絶縁膜上に形成され、かつ第1の金属膜の側面と接し、第1の金属膜と同一の金属元素を有する金属酸化物膜と、を有し、第2の金属膜より第1の金属膜のほうが、イオン化傾向が大きい半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
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【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の導電率を高めることで、高いオン特性を有する酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】第1の領域および第2の領域を有し、少なくともインジウム(In)を含む酸化物半導体膜と、少なくとも酸化物半導体膜の第1の領域と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜およびゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、少なくとも一部が酸化物半導体膜の第2の領域と接して設けられた電極と、を有し、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜と電極との界面近傍のInの濃度が高く、界面から15nmの範囲で遠ざかるに従いInの濃度が低くなる。なお、酸化物半導体膜の第1の領域はトランジスタのチャネル領域として機能し、第2の領域はトランジスタのソース領域、ドレイン領域として機能する。 (もっと読む)


【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜に含まれる不純物元素濃度を低減する。また、ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極、及びドレイン電極と、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されたシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が1.0原子%以下の濃度である領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造のトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタのオン特性を向上させ、高速応答、高速駆動が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、絶縁層、導電膜、層間絶縁層が順に積層され、該導電膜を切削することにより、該ゲート電極層及び該絶縁層上の導電膜を除去して、自己整合的に形成されるソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域と重畳して酸化物半導体層と接する電極層を設ける。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気的特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】チャネル形成領域、及びチャネル形成領域を挟む低抵抗領域を含む酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び上面及び側面を覆う酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び酸化アルミニウム膜を含む絶縁膜の上面及び側面の一部に接して設けられる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層(またはドレイン電極層)と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜の水素濃度および酸素欠損を低減する。また、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】下地絶縁膜と下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜に重畳して設けられたゲート電極と、を有し、下地絶縁膜は、電子スピン共鳴にてg値が2.01で信号を表し、酸化物半導体膜は、電子スピン共鳴にてg値が1.93で信号を表さない半導体装置である。 (もっと読む)


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